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公开(公告)号：CN112864783A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110045825.5
申请日：2021-01-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种CdTe@CdSe@ZnS双层壳核壳量子点光放大器及其制备方法，属于核壳量子点光放大器领域。液芯光纤或超细毛细管构成直径为百微米量级的环形谐振腔，CdTe@CdSe@ZnS双层壳核壳量子点作为增益介质添加到环形谐振腔内。通过CdTe@CdSe@ZnS双层壳核壳量子点材料的自发和受激辐射产生物理机理及光谱特性，控制量子点形成条件，调控量子点微结构形貌、元素组分、表面配体和配比浓度，光学泵浦环形腔尺寸设计，实现可调微区辐射范围的低阈值高强度稳定红外光发射。
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公开(公告)号：CN112724960A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110045823.6
申请日：2021-01-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种适用于靶向癌症光热疗法的双核壳量子点CdTe@CdSe@ZnS，属于光热疗法领域和核壳量子点领域。所述的双层壳核壳量子点CdTe@CdSe@ZnS，是以CdTe纳米晶体为核心，CdTe核心的外层为CdSe中间壳层，CdSe中间壳层的外层为ZnS外壳，即最终产品为CdTe@CdSe@ZnS双层壳核壳结构。制备惰性ZnS，包裹CdTe@CdSe单层核壳量子点，制备出双层壳核壳量子点CdTe@CdSe@ZnS减少重金属Cd带来的毒性，使其更适合于生物医药使用。
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公开(公告)号：CN114563841B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210190316.6
申请日：2022-02-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种封装集成一体的温度梯度增敏保偏光纤传感器，属于基于镀膜保偏光纤的多参量光纤传感器领域。在去掉涂覆层的保偏光纤包层表面通过脉冲激光沉积的方法镀近红外高透过率的ZnSe9:Co1纳米薄膜，使得传输光能量更集中在光纤表面。在ZnSe9:Co1纳米薄膜表面利用热蒸镀的方法镀银纳米薄膜，提高光纤的热膨胀系数。用PDMS填充毛细管封装镀膜保偏光纤，增加传感器整体热膨胀系数，最终实现温度梯度增敏的测量。
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公开(公告)号：CN114645251A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210260057.X
申请日：2022-03-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种改变半导体材料PN型的制备方法，涉及半导体材料领域。将硒化锌掺杂半导体沉积到基底表面形成半导体薄膜，通过控制制备条件，达到控制基片上半导体薄膜PN型的目的。制备过程中选择使用脉冲激光沉积技术完成薄膜的制备，基片选择使用石英玻璃。本发明的半导体材料通过脉冲激光沉积法来制备的，采用如下技术方案实现：先采用固体反应烧结法制备ZnSe0.4:Mo0.3:Ga0.3陶瓷靶材，再采用脉冲激光沉积法制备ZnSe:Mo:Ga薄膜，通过控制不同的制备条件，得到不同PN特性的半导体薄膜。本发明结晶质量好、表面光滑，具有纳米结构，能够实现同一块靶材通过控制制备条件改变其薄膜的PN型的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106634940B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201610730480.6
申请日：2016-08-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09K9/00
Abstract: 一种非晶态‑纳米晶复合结构的铟锡铌镓氧化物电致变色薄膜及其制备方法，属于电致变色技术领域。利用元素掺杂和控制调整平均配位数方法，通过优化脉冲激光沉积法制备(ITO)x(Nb2O5)y(Ga2O3)1‑x‑y薄膜的工艺，整体薄膜制备为统一纳米晶‑非晶混合晶态。本发明操作简单，不易引入杂质，制备温度低，制备条件容易控制，所制备的纳米晶‑非晶复合结构的(ITO)x(Nb2O5)y(Ga2O3)1‑x‑y电致变色薄膜响应时间快，具有较好的柔韧性和明显的颜色变化，为柔性智能变色窗器件提供材料支持和工艺改进。
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公开(公告)号：CN106249500B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610729707.5
申请日：2016-08-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02F1/1514 , G02F1/1523
Abstract: 一种基于非晶态‑纳米晶复合结构的柔性电致变色器件及其制备方法，属于电致变色技术领域。包括柔性衬底、非晶态透明导电层、非晶‑纳米晶复合结构电致变色层和离子导电层。其中柔性透明衬底为PET或PDMS，非晶态透明导电层为(In2O3)x(ZnO)y(Ga2O3)1‑x‑y薄膜，非晶‑纳米晶复合结构电致变色层为(ITO)x(Nb2O5)y(Ga2O3)1‑x‑y薄膜，离子导电层为非晶态LiTaO3薄膜。其中，非晶‑纳米晶复合结构电致变色层的制备是先用固相烧结法制备出铟锡铌镓氧靶材，再用脉冲激光沉积法制备出非晶态铟锡铌镓氧化物薄膜。本发明的电致变色器件具有较好的柔韧性和明显的颜色变化。
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公开(公告)号：CN103605196B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201310533345.9
申请日：2013-10-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B7/00
Abstract: 一种普适于光学系统中用来放置光学器件的遥感定位系统，属于光学器件、机械零部件和自动化仪器仪表应用领域。本发明包括：装配和旋转光学元件1的光学元件旋转架2；用于固定光学元件1防止其滑出的光学元件固定胶圈3与光学元件固定套筒12；装配时用于固定支架的拧紧螺母4和拧紧螺钉11；光学元件旋转架转轴5及其固定件光学元件旋转架转轴支架14；实现平面微调节的二维微调平移台6和高度定位的系统支架9；实现低速旋转的减速齿轮组7及其固定件减速齿轮组固定支架10；提供旋转动力的电机8；遥控信号处理终端13和远程遥控端15。本发明针对不同仪器，经过合理的装配和放置可以实现光学元件按需插入的固定和转动，使用便捷、提高功效。
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公开(公告)号：CN101921986A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010233272.8
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌掺杂同质PN结及其制备方法，由ZnO掺钴薄膜作为P型结，ZnO掺铟镓薄膜作为N型结，P型的ZnO掺钴薄膜在附着在衬底基片上，N型ZnO掺铟镓薄膜附在P型的ZnO掺钴薄膜上，P型的ZnO掺钴薄膜的部分被N型ZnO掺铟镓薄膜覆盖；其制备方法通过脉冲激光沉积法来制备的，采用如下技术方案实现：先采用固体反应烧结法制备Zn0.9Co0.1O和In0.8Ga0.1Zn0.1O陶瓷靶材，再采用脉冲激光沉积法分别制备P型掺钴氧化锌薄膜和N型掺铟镓氧化锌薄膜，形成同质p-n结。本发明结晶质量好、表面光滑，具有纳米结构。
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公开(公告)号：CN101698932A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910236797.4
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法。本发明通过以ZnO和Co2O3为原料经研磨混合、烧结、研磨、压制、烧结，得到Zn0.9Co0.1O陶瓷靶材；再利用Zn0.9Co0.1O陶瓷靶材，采用脉冲激光沉积法制备P型掺钴氧化锌薄膜。本发明具有操作简单易行，重复率高，所制得的稀磁半导体薄膜不仅结晶质量好、表面光滑，最重要的是成功使得n型本征ZnO转变为P型掺杂ZnO基稀磁半导体材料，为下一步制备具有稀磁特性的ZnO基同质P-N结的应用创造了良好的前提条件。
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