公开(公告)号：CN110096765B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201910294484.8

申请日：2019-04-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  李艮松 ,  任哲玄 ,  黄如

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明公布了一种FinFET器件的单粒子效应评估方法，在FinFET器件被粒子入射前，提升器件的温度，温度变化量与自热效应引起的温度变化量相同，然后再进行粒子入射和单粒子效应表征参数的提取。本发明考虑了FinFET的自热效应对FinFET器件单粒子效应的影响，修正了以往评估方法由未考虑自热效应所带来的偏差，为FinFET器件单粒子效应的评估提供了更加准确的手段。

公开(公告)号：CN111697048A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201910187276.8

申请日：2019-03-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  李艮松 ,  陈珙 ,  黎明 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明公开了一种提高FinFET器件抗总剂量辐照性能的方法。该方法利用氧化层陷阱电荷密度和界面态的晶向依赖性，在版图设计时通过适当调整器件摆放方向，确保FinFET器件沟道晶向为 ，使得总剂量辐照在制备得到的FinFET器件中产生的氧化层陷阱电荷密度和界面态密度更低，从而减少总剂量辐照对FinFET器件的影响，提高FinFET器件抗总剂量辐照性能。

公开(公告)号：CN106952959B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201710156420.2

申请日：2017-03-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  胡向阳 ,  黎明 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公布了一种锗硅沟道鳍式场效应晶体管及其制备方法。该锗硅沟道鳍式场效应晶体管通过热氧化形成体在绝缘层上(BOI)结构，切断了源漏间的泄漏电流通道，能够有效抑制器件的泄漏电流，并且比SGOI FinFET具有更小的埋氧层面积，可以改善散热效果。另外，在氧化过程中利用锗聚集技术有利于提高沟道中锗组分，提高载流子迁移率，从而提高开态电流。

公开(公告)号：CN107946354A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711144513.X

申请日：2017-11-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  王家宁 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐射的SOI FinFET器件及其制备方法。所述SOI FinFET是在SOI衬底上通过刻蚀形成上部宽大、下部窄小的“π”形Fin条结构，其剖面形貌与字母“π”相似。“π”形Fin条下部宽度较小，因此两侧栅间距更小，使得栅对Fin条下部电势控制能力增强，从而有效减弱总剂量辐射在BOX中产生的氧化层陷阱电荷以及Fin/BOX界面态对器件特性的影响，提高其抗总剂量辐射能力。

公开(公告)号：CN107910362A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711146246.X

申请日：2017-11-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  王家宁 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐射的FinFET器件及其制备方法。所述器件在半导体衬底上通过刻蚀形成“哑铃”形Fin条结构，一方面，增强了栅对“哑铃”形Fin条较薄中部电势控制能力，能够有效减少辐照在STI区引起的陷阱电荷对Fin条电势的影响；另一方面，增大了Fin两侧STI区距离，降低辐照引起的器件关态泄漏电流退化。相比普通体硅FinFET，本发明的“哑铃”形Fin条结构还增强了器件常态栅控能力，具有更大的开态电流。

公开(公告)号：CN105336694B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201510657587.8

申请日：2015-10-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  林猛 ,  黄如 ,  安霞 ,  张冰馨 ,  赵阳 ,  郝培霖 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用不同的钝化方法处理CMOS中的NMOSFETs与PMOSFETs，即PMOSFETs中使用有利于空穴迁移率提高的GeOx(其中0

公开(公告)号：CN103887241B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201410080933.6

申请日：2014-03-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  刘朋强 ,  张冰馨 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种适用于锗基阱的制备方法，包括如下步骤：对锗基衬底进行清洗；在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；注入所需的杂质；退火实现杂质的激活；去除注入的掩蔽层；用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度。利用牺牲氧化的方法改善去除掩蔽层后锗基衬底表面的粗糙度。由于高能量离子注入，及带掩蔽层的杂质激活退火会带来衬底表面粗糙度的退火。由于退火过程中锗衬底会氧化形成锗的亚氧化物，导致表面粗糙度退化。用H2O2氧化30s，使锗基衬底表面形成GeO2，再利用HCl去除GeO2层，实现减小表面粗糙度。

公开(公告)号：CN105551941A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610017832.3

申请日：2016-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  黎明 ,  刘朋强 ,  林猛 ,  郝培霖 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02658 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02365

Abstract: 本发明公开了一种提高金属锗化物热稳定性的方法，属于微电子器件领域。该方法通过在锗基衬底上制备金属锗化物薄膜前，采用氮等离子体对表面进行处理，可以提高锗基衬底上金属锗化物薄膜的热稳定性，改善其表面形貌，并且与现有工艺兼容，有利于锗基MOS器件的工艺集成。

公开(公告)号：CN105336694A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510657587.8

申请日：2015-10-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  林猛 ,  黄如 ,  安霞 ,  张冰馨 ,  赵阳 ,  郝培霖 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8238

Abstract: 本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用不同的钝化方法处理CMOS中的NMOSFETs与PMOSFETs，即PMOSFETs中使用有利于空穴迁移率提高的GeOx(其中0

公开(公告)号：CN103295890A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310208388.X

申请日：2013-05-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李志强 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02321 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。本发明提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小界面态密度，实现了锗基和三五族化合物基MOS器件性能地提高。