-
公开(公告)号：CN103258940B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201310178638.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种全固态白光发光二极管的封装方法。该包括如下步骤：提供蓝宝石外延片，在其背面键合固态荧光材料形成晶圆片，对所述晶圆片进行减薄抛光，在半导体层上制作电极，将制备好的晶圆片进行划片切割制成芯片，在支撑基板上加工电极金属层，将芯片采用覆晶工艺焊接在支撑基板上形成发光二极管，本发明采用了无介质或者高折射率介质键合工艺将固态荧光材料和蓝宝石外延片直接键合成晶圆片后再进行后续加工，由于固态荧光材料和蓝宝石外延片之间为介质或者高折射率介质膜，因此减小了全反射损耗，此外先键合后切割的工艺简化了加工工艺，提高了成品率。
-
公开(公告)号：CN102966857A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110257941.X
申请日：2011-09-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: F21S2/00 , F21V19/00 , F21V23/06 , F21Y101/02
Abstract: 本发明的技术方案提供了一种可组装的LED日光灯，包括日光灯管和电源模块，日光灯管可以互相串联后与电源模块串联使用，本发明的优点是各个部件方便更换，并且可以根据使用条件不同增减灯管数量。
-
公开(公告)号：CN102701261A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210207087.0
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01F17/00
Abstract: 本发明涉及稀土卤化物的制备方法。该方法包括制备稀土卤化物粉末的步骤，并对对稀土卤化物粉末进行区熔提纯。所述的稀土卤化物的通式为LnX3，其中Ln选自La、Ce、Pr、 Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc或Y；X选自Cl、Br或I。该方法可降低卤氧化物和杂质金属离子含量、提高稀土卤化物的纯度，并且适用于规模制备。
-
公开(公告)号：CN102560647A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210027676.0
申请日：2012-02-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法。本发明采用改良的改良坩埚下降法来制备闪烁晶体Cex:La(1-x)Br3，所述改良的坩埚下降法在原料熔化阶段通过三温区独立控制，将上温区分为上a温区和上b温区，上温区温度比晶体的熔点高，且上b温区的温度略高于上a温区；在晶体自发成核阶段，利用预埋的透明石英光纤，导入氦氖激光，通过观测激光的光损耗变化情况，来确定自发成核的籽晶经过筛选后是否单晶化；在晶体生长后，在还原氢气氛下长时间退火，消除晶体热应力并将晶体中的无用的Ce4+变价为Ce3+。
-
公开(公告)号：CN102465332A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110239820.2
申请日：2011-08-21
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法。本发明的核心内容是采用磷酸二氢钾、磷酸氢二钾和二氧化钛为原料，利用K6P4O13为助熔剂生长，KTP:K6P4O13＝0.5g/1g，转速15r/min，拉速0.2mm/day～2mm/day，降温速率0.2℃/day～2℃/day。本发明具有简单、有效缩短生长周期、节约成本、高效等特点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101833105A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910111249.9
申请日：2009-03-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G01T1/202
Abstract: 本发明涉及一种平板式高时空分辨率射线转换屏。该转换屏由大量细长方体状无机闪烁晶体接受元通过规则二维阵列密排布方式构成。每个接受元的前表面和侧面抛光后，分别镀上不透光的金属反射膜，由于每一个闪烁晶体射线接受元接受射线所发出的荧光相互完全隔离，可以将每个接受元发出的光作为一个独立的显像点，避免了闪烁材料各个部位发出荧光的互相重叠、干扰，通过规则二维阵列密排布，可以实现转换屏高的空间分辨率。
-
公开(公告)号：CN101831712A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910111250.1
申请日：2009-03-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明涉及一种生长炉内晶体退火装置。通过测量2个双铂铑热电偶温度，调节缠绕在内外层保温罩上的热铬铝高温加热丝的加热功率，提供一个加热源，在上保温罩内部形成一个温度梯度相对小的退火空间，使得晶体头部和尾部的温度梯度较小，从而起到了降低晶体内部热应力的效果。采用本发明的方法可以生长出低内应力的高温晶体，晶体生长退火完毕后可以直接进行定向和切割，制备成为各种规格的晶体元器件，不需要炉外的长时间退火，不但大大降低了晶体的内部应力，减少内部缺陷，同时可以大大提高效率，且装置结构简单，制作成本低，适合批量生产。
-
公开(公告)号：CN101165474A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200610140892.0
申请日：2006-10-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法，涉及一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法。应用高功率连续、准连续固体激光器照射非线性晶体器件，采用He－Ne激光散射法，通过硅光电二极管来接收激光照射非线性晶体器件时，晶体前后表面对He－Ne激光的散射变化，形成脉冲TTL信号，利用继电器来控制设置在光路上的挡板(Shutter)，利用计时器来记录激光照射时间。逐渐加大激光的输出功率，直至硅光电二极管观测到He－Ne激光的散射变化。通过计算这时作用于非线性晶体器件表面的激光功率密度，计算出非线性晶体器件在连续、准连续激光照射下的激光损伤阈值。
-
公开(公告)号：CN1308501C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN02104315.9
申请日：2002-02-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种顶部籽晶法生长晶体时籽晶对中的方法，运用激光方向性好、亮度高等性质，对籽晶方向的偏离进行放大、纠正，将一束激光(4)照射籽晶(1)的头部，然后通过反射镜(3)观察反射光斑在参照墙上(5)的位置，在转动籽晶杆(2)时调整籽晶杆(2)以使反射光斑在参照墙上(5)的位置基本不变，达到籽晶对中的目的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
116
records
(took 0.037 seconds)
