公开(公告)号：CN1308500C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN02104314.0

申请日：2002-02-25

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴少凡 ,  吴喜泉 ,  谢剑凌 ,  李敢生

IPC: C30B15/10

Abstract: 一种晶体生长的坩埚安置法，涉及晶体生长中一种坩埚对中、面平、不易下陷的快速安置方法，涉及热电偶的固定。采用倒扣的装锅方法，包括：模板制作，倒扣坩埚，放置热电偶，填充保温材料氧化锆粉末，翻转模极，清洁处理等步骤。此法是晶体生长的坩埚一种对中、面平、不易下陷的快速安置法，并可保持热电偶的固定。

公开(公告)号：CN1441090A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN02104314.0

申请日：2002-02-25

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴少凡 ,  吴喜泉 ,  谢剑凌 ,  李敢生

IPC: C30B15/10

Abstract: 一种晶体生长的坩埚安置法，涉及晶体生长中一种坩埚对中、面平、不易下陷的快速安置方法，涉及热电偶的固定。采用倒扣的装锅方法，包括：模板制作，倒扣坩埚，放置热电偶，填充保温材料氧化锆粉末，翻转模板，清洁处理等步骤。此法是晶体生长的坩埚一种对中、面平、不易下陷的快速安置法，并可保持热电偶的固定。

公开(公告)号：CN1279305A

公开(公告)日：2001-01-10

申请号：CN99108146.3

申请日：1999-06-29

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴喜泉 ,  李敢生

IPC: C30B29/12

Abstract: 本发明涉及一种合成氟化铝锶锂(LiSAF)原料的简易方法。将LiF,SrF2,AlF33.5H2O作为初始原料与NH4F或NH4HF2混合后烧结。NH4F或NH4HF2经加热分解产生HF气体与OH离子发生反应,达到驱除OH离子杂质的目的。反应产生的尾气由周围的生石灰吸收。该方法成本低,设备和操作简单,比较安全,尤其适合大批量生产。

公开(公告)号：CN1279578C

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN02104316.7

申请日：2002-02-25

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴喜泉 ,  吴少凡 ,  李敢生

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66

Abstract: 一种晶体的激光定向方法，是利用晶体的恒角度原理，运用激光照射晶体自然晶面或其解理面，观察反射光斑的位置，参照基准方块反射光斑的位置，然后判定晶体轴向的准确方向。该定向方法具有省时、节约晶体材料、安全、高效、上机切割之前还可检验是否有偏离所要求的方向等优点。

公开(公告)号：CN1119439C

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN99108146.3

申请日：1999-06-29

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴喜泉 ,  李敢生

IPC: C30B29/12

Abstract: 本发明涉及一种合成氟化铝锶锂(LiSAF)原料的简易方法。将LiF，SrF2，AlF33.5H2O作为初始原料与NH4F或NH4HF2混合后烧结。NH4F或NH4HF2经加热分解产生HF气体与OH离子发生反应，达到驱除OH离子杂质的目的。反应产生的尾气由周围的生石灰吸收。该方法成本低，设备和操作简单，比较安全，尤其适合大批量生产。

公开(公告)号：CN1308501C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN02104315.9

申请日：2002-02-25

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴喜泉 ,  吴少凡 ,  李敢生

IPC: C30B15/36 ,  C30B11/14

Abstract: 本发明涉及一种顶部籽晶法生长晶体时籽晶对中的方法，运用激光方向性好、亮度高等性质，对籽晶方向的偏离进行放大、纠正，将一束激光(4)照射籽晶(1)的头部，然后通过反射镜(3)观察反射光斑在参照墙上(5)的位置，在转动籽晶杆(2)时调整籽晶杆(2)以使反射光斑在参照墙上(5)的位置基本不变，达到籽晶对中的目的。

公开(公告)号：CN1441459A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN02104316.7

申请日：2002-02-25

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴喜泉 ,  吴少凡 ,  李敢生

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66

Abstract: 一种晶体的激光定向方法，是利用晶体的恒角度原理，运用激光照射晶体自然晶面或其解理面，观察反射光斑的位置，参照基准方块反射光斑的位置，然后判定晶体轴向的准确方向。该定向方法具有省时、节约晶体材料、安全、高效、上机切割之前还可检验是否有偏离所要求的方向等优点。

公开(公告)号：CN1441091A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN02104315.9

申请日：2002-02-25

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴喜泉 ,  吴少凡 ,  李敢生

IPC: C30B15/20 ,  C30B15/34 ,  C30B35/00

Abstract: 本发明涉及一种顶部籽晶法生长晶体时籽晶对中的方法，运用激光方向性好、亮度高等性质，对籽晶方向的偏离进行放大、纠正，将一束激光(4)照射籽晶(1)的头部，然后通过反射镜(3)观察反射光斑在参照墙上(5)的位置，在转动籽晶杆(2)时调整籽晶杆(2)以使反射光斑在参照墙上(5)的位置基本不变，达到籽晶对中的目的。