公开(公告)号：CN116876074A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310186438.2

申请日：2023-03-01

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 ,  福建福晶科技股份有限公司

Inventor： 黄溢声 ,  林州斌 ,  张作望 ,  陈伟 ,  陈秋华 ,  张星

IPC: C30B15/20 ,  C30B15/22 ,  C30B15/36 ,  C30B29/10 ,  C30B28/02 ,  C30B15/14

Abstract: 本申请公开了一种对称型高温相偏硼酸钡(α‑BBO)晶体的制备方法、对称型高温相偏硼酸钡晶体及应用，所述制备方法包括：将含有碳酸钡、硼酸的原料，采用固相合成法，得到偏硼酸钡化合物多晶粉末；在三方对称型温场中，采用提拉法生长，将含有碳酸钡、硼酸的原料，熔化进行晶体生长，得到所述对称型高温相偏硼酸钡晶体。本申请制备的对称型高温相偏硼酸钡晶体为三方对称型且等径处晶面完整的α‑BBO晶体能够有效的避免晶体开裂，容易量产得到大尺寸高质量不开裂的α‑BBO晶体。

公开(公告)号：CN102465332A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110239820.2

申请日：2011-08-21

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 王昌运 ,  陈伟 ,  吴少凡 ,  郑熠

IPC: C30B15/00 ,  C30B9/12 ,  C30B29/22

Abstract: 一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法。本发明的核心内容是采用磷酸二氢钾、磷酸氢二钾和二氧化钛为原料，利用K6P4O13为助熔剂生长，KTP:K6P4O13＝0.5g/1g，转速15r/min，拉速0.2mm/day～2mm/day，降温速率0.2℃/day～2℃/day。本发明具有简单、有效缩短生长周期、节约成本、高效等特点。