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公开(公告)号：CN101853779B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010142298.1
申请日：2010-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和排气方法，该排气方法能够防止由于从处理室容器(腔室)排出的排出气体中所含的带电的颗粒向排气流路的内壁面附着而造成的排气流路的堵塞。该排气方法是将基板处理装置的腔室(50)的容器内气体排出的排气方法，其中，该基板处理装置包括：收容处理对象的晶片(W)的腔室(50)；将腔室(50)的容器内气体排出的排气流路(51)；和沿着气体流通方向依次设置在排气流路(51)中的干式泵(52)以及收集排出气体中的有害成分的除害装置(53)，从与干式泵(52)的上游侧的排气流路(51)连接的离子化气体供给管(55)向在排气流路(51)中流动的排出气体中供给离子化气体，对排出气体中所含的带电的颗粒进行除电，与排出气体一起向系统外排出。
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公开(公告)号：CN101320677B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200810128050.2
申请日：2004-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置。为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散，清洁部件，采用将电压加在部件上，利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法；使微颗粒带电，利用库仑力飞散的方法，将气体导入减压处理室中，使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件，使微颗粒飞散的方法；使部件温度上升，利用热应力和热泳动力，使微颗粒飞散的方法；或将机械振动给与部件，使微颗粒飞散的方法。另外，使飞散的微颗粒在较高压的气氛下被气体流夹带除去。
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公开(公告)号：CN101546700B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910129460.3
申请日：2009-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H05H1/24
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32541
Abstract: 本发明提供能在处理空间与基板的周缘部的相对部分使电子密度上升的电极构造和基板处理装置。配置在对晶片(W)实施RIE处理的基板处理装置(10)所具备的处理室(11)内且在该处理室(11)内与载置在基座(12)上的晶片(W)相对的上部电极(31)包括：与载置在基座(12)上的晶片(W)的中心部相对的内侧电极(34)和与该晶片(W)周缘部相对的外侧电极(35)，内侧电极(34)连接第一直流电源(37)，外侧电极连接第二直流电源(38)，外侧电极具有与载置在基座(12)上的晶片(W)平行的第1二次电子发射面(35a)和相对该第1二次电子发射面(35a)向着晶片(W)倾斜的第2二次电子发射面(35b)。
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公开(公告)号：CN101515545B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910009325.5
申请日：2009-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/00 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和方法，其等离子体处理的均匀性控制范围广且不易产生沉积引起的CD不均匀等副作用。等离子体处理装置具有相对配置在腔室内、由外侧电极和内侧电极构成的上部电极以及晶片支撑用的下部电极，下部电极与施加40MHz的第一高频电力的第一高频电源以及施加3.2MHz的第二高频电力的第二高频电源连接，外侧电极和内侧电极分别与施加直流电压的第一直流电压施加电路和第二直流电压施加电路连接，从等离子体生成空间一侧观察上部电极时的外侧电极的频率-阻抗特性为，随着施加给外侧电极的直流电压增加，在40MHz中阻抗减少，在3.2MHz中阻抗增加。
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公开(公告)号：CN100584714C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510069374.X
申请日：2005-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能将附着在基板上的颗粒剥离及除去的基板输送机构、具有该基板输送机构的基板输送装置、基板输送机构的颗粒除去方法、基板输送装置的颗粒除去方法、实施该方法用的程序、和存储介质。作为基板输送机构的输送臂(12)具有：配置在腔室(11)的底面上，绕相对于该底面垂直的轴旋转自如的旋转台(21)；连接在该旋转台(21)上的棒状的第一腕部件(22)；连接在该第一腕部件(22)上的棒状的第二腕部件(23)；和连接在该第二腕部件(23)的另一端上的载置基板(W)的拾取器(24)；和控制拾取器(24)的温度用的温度控制装置(28)，温度控制装置(28)在拾取器(24)上形成规定的温度梯度。
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公开(公告)号：CN101582378A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910145487.1
申请日：2005-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , G05B19/04
Abstract: 本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前，向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述真空准备室的内部压力变成与大气压相同时，停止导入所述惰性气体，开始所述真空准备室的腐蚀性气体的排气，然后，通过使所述真空准备室与大气连通来向大气开放；在所述向大气开放工序后打开所述闸阀。
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公开(公告)号：CN100555550C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN03823245.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/3255
Abstract: 本发明提供一种用于等离子加工系统的改进的上电极，其中，与上组件耦合的电极板的设计和制造可以在基本上对电极板造成最小腐蚀的条件下便利地提供加工气体的气体注入。
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公开(公告)号：CN101546685A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910127092.9
申请日：2009-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32091
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，使得能够容易且自由地控制被处理基板上的电子密度或者工艺特性的分布特性。该电容耦合型等离子体处理装置在径方向上将上部电极分割成内侧上部电极(60)和外侧上部电极(62)这两个，从2个可变直流电源(80、82)将独立的第一和第二直流电压(VC、VE)同时施加在两个上部电极(60、62)上。通过适当选择这两个直流电压(VC、VE)的组合，能够在各种应用中提高等离子体工艺、蚀刻特性的均匀性。
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公开(公告)号：CN101515545A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910009325.5
申请日：2009-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/00 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和方法，其等离子体处理的均匀性控制范围广且不易产生沉积引起的CD不均匀等副作用。等离子体处理装置具有相对配置在腔室内、由外侧电极和内侧电极构成的上部电极以及晶片支撑用的下部电极，下部电极与施加40MHz的第一高频电力的第一高频电源以及施加3.2MHz的第二高频电力的第二高频电源连接，外侧电极和内侧电极分别与施加直流电压的第一直流电压施加电路和第二直流电压施加电路连接，从等离子体生成空间一侧观察上部电极时的外侧电极的频率－阻抗特性为，随着施加给外侧电极的直流电压增加，在40MHz中阻抗减少，在3.2MHz中阻抗增加。
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公开(公告)号：CN100524609C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510118834.3
申请日：2005-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , G05B19/04 , C23C14/22 , C23C16/44 , C23F4/00 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前，向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述真空准备室的内部压力变成与大气压相同时，停止导入所述惰性气体，开始所述真空准备室的腐蚀性气体的排气，然后，通过使所述真空准备室与大气连通来向大气开放；在所述向大气开放工序后打开所述闸阀。
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