公开(公告)号：CN112466736A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202010893601.5

申请日：2020-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川上聪 ,  池田太郎

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和温度控制方法。在一个例示的实施方式中，等离子体处理装置包括多个微波辐射机构、载置台、下部加热源和上部加热源。多个微波辐射机构设置于处理容器的上部。载置台配置于处理容器内。下部加热源设置于载置台内。上部加热源配置于与载置台相对的位置。根据本发明，能够形成品质优良的膜。

公开(公告)号：CN112447481A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010861892.X

申请日：2020-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  佐藤干夫 ,  镰田英纪

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够监视在实施等离子体处理的期间沉积于等离子体生成空间的膜的膜厚的技术。本发明的一方式的等离子体处理装置包括：处理容器；配置于上述处理容器的内部的与高频电源连接的第1电极；与上述第1电极相对地配置在上述处理容器的内部的接地的第2电极；以及与上述第1电极和上述第2电极的至少一个电极连接的膜厚计算部，其计算沉积于上述至少一个电极的膜的膜厚。

公开(公告)号：CN112349575A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010742867.X

申请日：2020-07-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川上聪 ,  久保敦史 ,  池田太郎

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明提供一种喷淋板、下部电介质和等离子体处理装置。在一个例示的实施方式中，喷淋板包括：具有气孔的板状的电介质主体；和电介质主体内所包含的多个密闭区域。各密闭区域具有比电介质主体低的介电常数，电介质主体的中央区域中的密闭区域的体积密度高于电介质主体的周边区域中的密闭区域的体积密度。根据本发明，能够提高等离子体的面内均匀性。

公开(公告)号：CN108766881A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810331134.X

申请日：2018-04-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  长田勇辉

IPC: H01L21/3065 ,  G01R31/26

CPC classification number: H01L22/26 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  G01J3/443 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明的等离子体处理装置和控制方法的目的在于，监视等离子体生成空间中的多个区域各自的等离子体点火的状态。提供一种等离子体处理装置，具有将从微波输出部输出的微波向处理容器的内部辐射的微波辐射机构，其中，所述微波辐射机构具有：天线，其用于辐射微波；电介质构件，其使从所述天线辐射的微波透过，且形成用于通过该微波来生成表面波等离子体的电场；传感器，其设置于所述微波辐射机构或者该微波辐射机构的附近，且监视生成的等离子体的电子温度；以及控制部，其基于由所述传感器监视到的等离子体的电子温度，来判定等离子体点火的状态。

公开(公告)号：CN103227089B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201310039655.5

申请日：2013-01-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  长田勇辉

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32293 ,  H01L21/3065 ,  H05H2001/4615

Abstract: 本发明提供一种即便在微波的投入电力低的情况下、压力高的情况下也能够确保所期望的表面波等离子体的直径的微波放射机构和表面波等离子体处理装置。微波放射机构（43）包括：传送微波的传送路径（44）；将从微波传送路径（44）传送来的微波经由缝隙（81a）放射到腔室（1）内的天线（81）；使从天线（81）放射的微波透过，在其表面形成表面波的电介质部件（110b）；和对由表面波生成表面波等离子体的等离子体生成区域施加正的直流电压的直流电压施加部件（112），直流电压施加部件（112）对上述等离子体生成区域施加正的直流电压，使得表面波等离子体扩散。

公开(公告)号：CN102474974B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201180002577.0

申请日：2011-01-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  长田勇辉 ,  河西繁

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01P5/08

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/32311 ,  H01Q15/0006 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/463

Abstract: 本发明的电磁波供电机构具备：微波电力导入端口(55)，其被设置于同轴构造的波导(44)的侧部，连接有作为供电线的同轴线路(56)；和供电天线(90)，其与同轴线路(56)连接，向波导(44)的内部辐射电磁波电力。供电天线(90)具有：天线本体(91)，该天线本体(91)具有与同轴线路(56)连接的第1极(92)和与波导(44)的内侧导体(53)接触的第2极(93)；和形成为环状的反射部(94)，该反射部(94)从所述天线本体(91)的两侧延伸。

公开(公告)号：CN103188835A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210584999.X

申请日：2012-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  河西繁 ,  山下润 ,  伴昌和

IPC: H05B6/64 ,  H05B6/80 ,  H01L21/67

CPC classification number: H05B6/6402 ,  H05B6/6426 ,  H05B6/70 ,  H05B6/707 ,  H05B6/72 ,  H05B6/806

Abstract: 本发明提供电力的利用效率和加热效率优异、能够对被处理体进行均匀的处理的微波加热处理装置和处理方法。在微波加热处理装置（1）中，在处理容器（2）的顶部（11），四个微波导入口（10）分别配置为以其长边和短边与四个侧壁部（12A、12B、12C、12D）的内壁面平行，且配置于相互变更90°角度的旋转位置。各微波导入口（10）配置为，在沿与各自的长边垂直的方向平行移动的情况下，不与具有平行的长边的其它微波导入口（10）重叠。

公开(公告)号：CN102737944A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210093394.0

申请日：2012-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  小松智仁 ,  河西繁

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3222 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 提供一种能够供给气体和电磁波的等离子体处理装置和等离子体产生用天线。等离子体处理装置(10)包括：进行等离子体处理的处理容器(100)；使所供给的电磁波透过的慢波板(480)；和具有与慢波板(480)邻接地设置的喷头(210)的等离子体产生用天线(200)，喷头(210)由导体形成，设置有多个气孔(215)，在与多个气孔(215)分离的位置具有使电磁波通过的多个切槽(220)。

公开(公告)号：CN101866806B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201010158499.0

申请日：2002-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  饭塚八城 ,  山本薰

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/20

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具有：处理室；设在所述处理室内，载置被处理体的载置台；设在所述处理室中，具有按照向着所述处理室内的中央的空间部喷出处理气体的方式开口的多个气体喷出孔的气体导入部；和设置在所述处理室的外侧、用于在所述处理室内生成等离子体的作为感应线圈的天线部件，该等离子体处理装置的特征为，利用所述天线部件，在所述处理室内激起等离子体，所述多个气体喷出孔向着处理室内的一点开孔。

公开(公告)号：CN101044258B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200580035895.1

申请日：2005-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  铃木健二 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/06 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/2855 ,  C23C14/046 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/3327 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明涉及利用等离子体溅射在半导体晶片(S)的上面和在上面开口的凹部的表面形成金属薄膜的技术。本发明的成膜方法的特征在于：利用放电气体的等离子体在处理容器(14)内溅射金属靶(56)而产生金属离子，同时，对载置台(20)施加偏置电力，其中，该电力的大小使在处理体(S)上面通过金属离子的引入进行的金属膜的沉积和通过放电气体的等离子体进行的溅射蚀刻同时发生。