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公开(公告)号：CN105826410B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610307092.7
申请日：2016-05-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , C30B33/10
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种消除金刚线切割痕迹的多晶硅制绒方法及其应用。本发明的制备方法包括以下步骤：(1)将具有金刚线切割痕迹的多晶硅片置于黑硅处理溶液中进行黑硅处理，在硅片表面形成多孔硅结构；(2)将该多晶硅片置于氢氟酸、硝酸的混合酸溶液中进行表面酸制绒，在表面形成微米尺度的孔状结构；(3)将该多晶硅片再次置于黑硅处理溶液中，在微米孔的内部形成多孔硅结构；(4)将该多晶硅片置于氢氧化钠溶液中进行碱制绒处理，在多晶硅片表面形成纳米倒金字塔嵌于微米孔内的微纳复合结构。本发明的制绒方法消除了金刚线切割多晶硅片的表面的划痕，有效降低了制绒后硅片的反射率，大幅度提升了金刚线切割多晶硅太阳电池的光电性能。
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公开(公告)号：CN106280680A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610647306.5
申请日：2016-08-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种水溶性含磷油墨及其制备方法，用于太阳电池中形成N型掺杂层，特别是可简单方便地形成选择性发射层。含磷油墨按重量百分比的占比为：磷源5％～30％；有机溶剂40％～80％；填料0.5％～20％；助剂0.5％～50％。具体制备过程是先调制好磷源，然后将一定量的有机溶剂加入洁净石英或四氟容器，在室温下低速搅拌，再将配制好的磷源缓慢加入该容器中，保持低速搅拌，依次将助剂和填料缓慢加入该容器，保持温度在80～120℃，搅拌2小时以上，最后静置数小时，即可获得所需的含磷油墨。所制备的磷墨无毒环保，具有良好地保形性，可通过丝网印刷、喷墨打印等方式制作精细的磷墨图案，特别适用于选择性发射极太阳电池。
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公开(公告)号：CN103346214B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310278007.5
申请日：2013-07-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/078 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法。本发明提供的硅基径向同质异质结太阳电池，包括：硅衬底和所述硅衬底上的硅线阵列；所述硅线阵列中的各个硅线皆包括内层、中间层和外壳层，在各个所述硅线的所述内层和所述中间层之间形成径向PN结，在各个所述硅线的所述中间层和所述外壳层之间形成径向异质结；所述PN结为同质结，所述同质结为晶体硅PN结、PP+或NN+浓度结，所述异质结为晶体硅/非晶硅PP+、P+P++、N+N++、NN+浓度结或NI、PI结。这种电池充分结合了径向PN结电池和同质异质结电池的优势，因此可在低质量硅材料上实现较高的光电转换效率，同时能提高电池性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN102110740B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010553994.1
申请日：2010-11-23
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种太阳电池技术领域的定向凝固多晶硅太阳电池的两次热处理方法，通过对硅片先进行预处理后依次进行预热处理和第二道次热处理，并经酸洗后用于太阳电池制作。本发明借助红外光谱技术，利用氧在热处理过程中形成的适量沉淀能够吸除金属杂质的特点，有针对性地选择定向凝固多晶硅锭底部材料，以达到提高多晶硅太阳电池效率的目的。
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公开(公告)号：CN102646748A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210119068.2
申请日：2012-04-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/173 , G01N21/35
Abstract: 本发明提供一种红外激光器-红外探测器集成器件，以半导体材料为衬底，利用半导体外延生长技术在衬底上生长多层的半导体结构，形成红外探测和红外激光器两个功能区，其中一部分在电流的驱动之下可以产生红外激光，另一部分可以探测红外光。该集成器件可以用于红外气体传感，红外差频信号探测等，能够提高传感和探测效率，兼具结构简单，体积紧凑等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101984145A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010562010.6
申请日：2010-11-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微孔材料技术领域的具有可调孔径的双通多孔氧化铝模板的制备方法，利用电化学方法对铝片进行第一次电解，通过阳极氧化形成多孔氧化铝层；采用酸液浸泡去除多孔氧化铝层，得到带有凹坑的铝片；利用电化学方法对铝片进行第二次电解，得到微孔模板；在微孔模板的表面涂以保护层后浸泡于腐蚀液中去除未被氧化的铝，然后浸泡于磷酸溶液中以去除位于微孔模板底部的阻碍层；去除微孔模板上的保护层，得到双通的孔径可调的氧化铝模板。本发明通过精确控制阳极氧化的电压，在氧化铝的生长过程中直接控制模板孔径的大小。再结合保护涂层确保去除阻碍层的腐蚀过程不影响孔径的大小，得到双通的模板。
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公开(公告)号：CN101079455A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710041124.4
申请日：2007-05-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种带反射镜的无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定探测器类型为砷化镓同质结远红外探测器，发光二极管的顶部和底部DBR反射镜为砷化镓层和铝镓砷层的周期性结构；(2)利用电磁波矢量分解的方法并考虑驻波效应优化了顶部和底部DBR反射镜的参数以及发光二极管的参数；(3)用分子束外延装置先生长出砷化镓同质结远红外探测器，在此基础上依次生长：顶部DBR反射镜、砷化镓和铝镓砷发光二极管、以及底部DBR反射镜，就得到了带反射镜的无像元远红外上转换成像装置。本发明提高了远红外上转换成像的效率，为成熟半导体远红外成像的普遍应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN100347536C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN02145108.7
申请日：2002-11-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 半导体薄膜等离子体滤波器的检测方法属于热光伏技术领域。检测方法具体为：(1)测量滤波器材料的带隙以下的红外反射光谱；(2)用理论反射率公式拟合实验结果，得到滤波器的实际参数；(3)通过这些参数和理论公式计算其透射率以及吸收率，以全面地检验滤波器的性能；(4)对滤波器材料的生长参数进行筛选优化。本发明具有实质性特点和显著进步，由于薄膜材料是生长在衬底上或者是集成在热光伏器件中，薄膜层的反射率可以直接测量，而其透射率是不能直接测量的，因此本发明解决的主要问题是，既可以得到可靠的薄膜参数，又可以得到不能直接测量的滤波器性质。通过对滤波器性能的全面检测，可以对滤波器材料的生长参数进行筛选优化。
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公开(公告)号：CN1945859A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610117889.7
申请日：2006-11-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种半导体光电探测技术领域的半导体无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定探测器类型为探测中心波长在60微米的同质结内光发射远红外探测器，发光二极管类型为发射光波长在硅电荷耦合器件响应波长范围内的近红外发光二极管；(2)利用频谱分析方法分别对探测器及发光二极管列出连续性方程，通过求解连续性方程得到上转换成像效率及调制传递函数，通过考察上转换成像效率及成像性能，得到优化的器件结构；(3)用分子束外延装置先生长远红外探测器结构，接着在探测器上生长近红外发光二极管结构，得到半导体远红外无像元上转换成像装置。本发明大大降低了探测成像的成本，可实现更长波长光的上转换成像。
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公开(公告)号：CN1299327C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200410067329.6
申请日：2004-10-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 一种制备纳米硅量子点阵列的方法，用于半导体材料制备领域。首先利用电化学方法制备氧化铝模板，然后将这种具有高度有序孔洞结构的模板移植到半导体基片上，利用PECVD将钠米硅自然量子点通过模板的孔道生长在半导体基片上，最后利用湿化学方法将氧化铝模板去除，从而得到大面积、高度有序的钠米硅量子点阵列。本发明获得的人工量子点的平均直径大小为30纳米到50纳米，高度为20纳米到100纳米，间距为100纳米，面密度超过每平方厘米1×1010，每个人工量子点中嵌镶着很多直径为3纳米到6纳米的硅自然量子点。由于具有很好的量子限域效应并且高度有序，这种纳米硅量子点阵列有望在多元量子器件中得到广泛应用。
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