公开(公告)号：CN103346214B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310278007.5

申请日：2013-07-03

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  钟思华 ,  韩旭根

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/078 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法。本发明提供的硅基径向同质异质结太阳电池，包括：硅衬底和所述硅衬底上的硅线阵列；所述硅线阵列中的各个硅线皆包括内层、中间层和外壳层，在各个所述硅线的所述内层和所述中间层之间形成径向PN结，在各个所述硅线的所述中间层和所述外壳层之间形成径向异质结；所述PN结为同质结，所述同质结为晶体硅PN结、PP+或NN+浓度结，所述异质结为晶体硅/非晶硅PP+、P+P++、N+N++、NN+浓度结或NI、PI结。这种电池充分结合了径向PN结电池和同质异质结电池的优势，因此可在低质量硅材料上实现较高的光电转换效率，同时能提高电池性能的稳定性。

公开(公告)号：CN103346214A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310278007.5

申请日：2013-07-03

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  钟思华 ,  韩旭根

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/078 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法。本发明提供的硅基径向同质异质结太阳电池，包括：硅衬底和所述硅衬底上的硅线阵列；所述硅线阵列中的各个硅线皆包括内层、中间层和外壳层，在各个所述硅线的所述内层和所述中间层之间形成径向PN结，在各个所述硅线的所述中间层和所述外壳层之间形成径向异质结；所述PN结为同质结，所述同质结为晶体硅PN结、PP+或NN+浓度结，所述异质结为晶体硅/非晶硅PP+、P+P++、N+N++、NN+浓度结或NI、PI结。这种电池充分结合了径向PN结电池和同质异质结电池的优势，因此可在低质量硅材料上实现较高的光电转换效率，同时能提高电池性能的稳定性。