公开(公告)号：CN1722382A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510083364.1

申请日：2005-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  朴玩濬 ,  亚历山大·A·萨拉宁 ,  安德雷·V·佐托夫

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: B82Y20/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/777

Abstract: 提供了形成在氧化硅上的纳米点及其制造方法。所述纳米点包括：硅衬底；形成在所述硅衬底上的氧化硅层；以及均匀排列在所述氧化硅层上的多个纳米点。包括所述纳米点的光学器件或半导体器件的阈值电流减小并且保持特性得到改善。

公开(公告)号：CN1527115A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200310124902.8

申请日：2003-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金道映 ,  朴玩濬 ,  朴永洙 ,  李俊冀 ,  闵约赛 ,  权章渊 ,  徐顺爱 ,  崔荣敏 ,  蔡洙杜

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/50 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、以及一密封该半导体芯片的保护盖层。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。

公开(公告)号：CN1417849A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN02130549.8

申请日：2002-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊冀 ,  朴永洙

IPC: H01L21/70

Abstract: 铁电电容器的制造方法。该方法包括：在具有晶体管和位线的衬底上形成层间绝缘层，从而晶体管和位线由层间绝缘层覆盖；在层间绝缘层上形成接触孔，以部分地露出衬底；在层间绝缘层上形成具有预定厚度的导电层，导电层填充接触孔；在导电层上形成防氧化层；顺序地在防氧化层上形成下部电极、铁电层、上部电极。因而，彼此面对的用作存储节点的导电层与下部电极的界面的抗氧化性增加，因此形成铁电薄膜的温度也有所增加。因而，可以得到具有优良特性的铁电薄层。

公开(公告)号：CN107452763B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201710223454.9

申请日：2017-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车南煹 ,  金容一 ,  朴永洙

IPC: H01L27/15 ,  H01L21/82

Abstract: 本公开提供半导体器件。根据某些实施方式的半导体器件可以形成为单个半导体芯片，该单个半导体芯片包括：多个发光二极管，每个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及设置在两者之间的有源层，该多个发光二极管包括第一组发光二极管和第二组发光二极管；第一布线，作为第一电节点的部分；第二布线，作为第二电节点的部分；第三布线，作为第三电节点的部分；第四布线，作为第四电节点的部分；以及第一、第二、第三和第四芯片垫，分别电连接到第一、第二、第三和第四电节点，并且第一、第二、第三和第四电节点可以彼此不同。

公开(公告)号：CN106816505B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201611090753.1

申请日：2016-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车南救 ,  朴永洙 ,  曹东铉

IPC: H01L33/20 ,  G09F9/33

Abstract: 本发明提供了一种发光装置，包括：衬底，其包括顶表面和第一侧表面，其中，顶表面的面积大于第一侧表面的面积；以及衬底的第一侧表面上的发光结构，该发光结构具有第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层，其中，发光结构发射具有第一峰值波长的第一光，并且其中，发射通过衬底的顶表面的第一光的发射面积大于发射通过衬底的第一侧表面的第一光的发射面积。

公开(公告)号：CN104576861B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201410562329.7

申请日：2014-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金峻渊 ,  卓泳助 ,  金在均 ,  金柱成 ,  朴永洙 ,  蔡秀熙

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体缓冲结构包括硅衬底、形成在硅衬底上的成核层以及形成在成核层上的缓冲层。缓冲层包括由具有均匀的组分比的氮化物半导体材料形成的第一层、在第一层上的由与成核层相同的材料形成的第二层以及在第二层上的由与第一层相同的材料以相同的组分比形成的第三层。

公开(公告)号：CN107342352A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710217743.8

申请日：2017-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车南煹 ,  金容一 ,  朴永洙 ,  沈成铉 ,  H.柳

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/08 ,  H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L33/08 ,  G09G3/2003 ,  G09G3/32 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/382 ,  H01L33/46 ,  H01L33/504 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16145 ,  G09F9/33 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/38

Abstract: 一种LED光源模块包括发光堆叠体，以及穿过发光堆叠体的一部分的第一穿通电极结构和第二穿通电极结构。发光堆叠体包括：基础绝缘层；顺序堆叠在基础绝缘层上的发光层，发光层的每个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和设置在第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；以及设置在发光层之间的层间绝缘层。第一穿通电极结构连接到发光层的每个的第一导电类型半导体层，第二穿通电极结构连接到发光层的每个的第二导电类型半导体层中的任一个或任何组合。

公开(公告)号：CN102130177B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201010569845.4

申请日：2010-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  朴宰彻 ,  金尚昱 ,  朴永洙 ,  金昌桢

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了一种晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置。所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层和第二钝化层，顺序地设置在栅极绝缘层上。第一钝化层覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层。第二钝化层包含氟(F)。

公开(公告)号：CN102420278B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110295166.7

申请日：2011-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓泳助 ,  李在垣 ,  朴永洙 ,  金峻渊

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括基底、位于所述基底上的缓冲层和位于所述缓冲层上的多个氮化物半导体层。所述半导体器件还包括位于所述多个氮化物半导体层之间的至少一个掩蔽层和至少一个夹层。所述至少一个夹层位于所述至少一个掩蔽层上。

公开(公告)号：CN101246909B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN200810074302.8

申请日：2008-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰澈 ,  朴永洙 ,  金善日

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管(TFT)可以包括沟道层、源电极、漏电极、保护层、栅电极、和/或栅极绝缘层。沟道层可以包括氧化物半导体材料。源电极和漏电极可以在沟道层上方相互面对。保护层可以在源电极和漏电极下面和/或可以覆盖沟道层。栅电极可以配置为向沟道层施加电场。栅极绝缘层可以夹置在栅电极和沟道层之间。