公开(公告)号：CN1423112A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN02141614.1

申请日：2002-09-02

Applicant: 富士全录株式会社

Inventor： 八木茂

IPC: G01J3/28 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L31/09 ,  G01J1/429 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种紫外线感光器件,以在不使用带通滤波器或导波通路的情形下,得到具可检测出所期望波长范围的紫外线、入射角度相关性小、光感应度高、结构简单、小型、低成本、稳定且高精确度的紫外线检测感应器。另外,紫外线感光器件至少包括第一电极层及感应层,第一电极层由含有选自于铝、镓、铟等元素中至少一种以上的元素、氮或氧等的半导体所构成；感应层由含有选自于铝、镓、铟等元素中至少一种以上的元素、氮等的半导体所构成,且第一电极层的长波长吸收端比感应层的长波长吸收端还靠近短波长侧。

公开(公告)号：CN1004732B

公开(公告)日：1989-07-05

申请号：CN87104843

申请日：1987-07-11

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 云内高明 ,  野中育光 ,  井上荣典

IPC: H01J29/45 ,  H01J31/26 ,  H01L31/08

CPC classification number: H01J29/456 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/02725 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明公开一种摄象管靶，它包括一层在透明基片上形成的N型导电薄膜、一层与该N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜和一个电子束射击层；所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层，其中第一层中砷的平均浓度低于8％(按重量计)，第二层和第三层的砷的浓度在8％至20％的范围内(按重量计)，并且第三层的厚度在所述P型光电导薄膜的总厚度的5％至50％的范围内。

公开(公告)号：CN109052306A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810765874.4

申请日：2018-07-12

Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司

Inventor： 皮特·科普尼奇 ,  伊凯·安德·奥贾克 ,  保罗·西蒙·庞廷

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L35/32

CPC classification number: H01L27/14669 ,  B81C1/00 ,  G01J5/0225 ,  G01J5/024 ,  G01J5/046 ,  G01J5/048 ,  G01J5/0853 ,  G01J5/12 ,  G01J5/16 ,  G01J2005/123 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14649 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/09 ,  B81B7/02 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0009 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00222 ,  H01L35/325

Abstract: 本发明披露了一设备和形成该设备的方法，即可扩展的热电式红外探测器。该方法包括提供制备有晶体管和传感器区域的衬底。通过以下方法处理衬底：在衬底中形成下传感器腔，用牺牲材料填充下传感器腔，在传感器区域中形成介电膜，在晶体管区域中形成晶体管以及形成微电机械系统(MEMS)组件在传感器区域中的介电膜上。该方法通过形成具有多个层间介电(ILD)层的后段线(BEOL)电介质而继续，该ILD层具有设置在衬底上用于互连设备部件的金属层和通孔层。金属层中的金属线被配置成在下传感器腔上方限定上传感器腔，并且BEOL电介质的第一金属层的金属线被配置为限定MEMS组件的几何形状。

公开(公告)号：CN108767028A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810535388.3

申请日：2018-05-30

Applicant: 陈谦

Inventor： 陈谦

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L31/09 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化镓异质结结构的柔性日盲紫外探测器及其制备方法，包括玻璃纤维布衬底，设置于玻璃纤维布衬底上方的α‑Ga2O3薄膜，设置于α‑Ga2O3薄膜上方的α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米柱阵列，设置于α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米柱阵列间隙的α‑Ga2O3薄膜上方的β‑Ga2O3薄膜，以及Ti/Au薄膜电极；所述α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米柱阵列包括分布于α‑Ga2O3薄膜上方的α‑Ga2O3纳米柱阵列，包覆于α‑Ga2O3纳米柱外围的β‑Ga2O3外壳，α‑Ga2O3薄膜与β‑Ga2O3薄膜之间构成α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结薄膜层；Ti/Au薄膜电极为两个，一个设置于α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米柱阵列上方，另一个设置于α‑Ga2O3薄膜上方。本发明的探测器反应灵敏，暗电流小，具有很好的紫外光电响应，在可穿戴设备、紫外线检测和智能纺织品等领域具有很大的应用前景。

公开(公告)号：CN108288625A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201711443369.X

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  李殷奎 ,  赵常玹 ,  许镇盛

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/156 ,  H01L27/307 ,  H01L29/122 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0579 ,  Y02E10/547 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14665

Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。

公开(公告)号：CN105190260B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201480013024.9

申请日：2014-03-07

Applicant: ams有限公司

Inventor： 尤金·G·迪施克 ,  托德·毕晓普 ,  马里奥·曼宁格

IPC: G01J1/42

CPC classification number: G01J1/429 ,  G01J1/0437 ,  G01J1/4228 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/09 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13024

Abstract: 光电二极管(2)和另一光电二极管(3)被布置在衬底(1)中在主表面(10)处或主表面(10)附近。以这样的方式来形成和布置光电二极管：使得在入射紫外辐射(26)的情况下，来自光电二极管(2)的电信号大于来自另一光电二极管(3)的另一电信号。特别地，第一光电二极管可以比另一光电二极管对紫外辐射更敏感。通过另一电信号来衰减来自该光电二极管的电信号，从而产生主要测量入射紫外辐射的电信号。可以通过内部地使用集成电路(25)或外部地使用单独装置来实现来自第一光电二极管的电信号的衰减。

公开(公告)号：CN107863402A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711070851.3

申请日：2017-11-03

Applicant: 深圳大学

Inventor： 张晗 ,  王慧德 ,  郭志男

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L31/032 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1896

Abstract: 本发明提供了一种近红外光电探测器，包括：基底、依次设置在基底表面上的隔离层和光吸收层、以及设置在光吸收层相对的两端且分别与光吸收层接触的源极和漏极，源极和漏极之间形成的沟道结构暴露出部分光吸收层，光吸收层的材料包括β-InSe纳米薄片。所述光电探测器具有很高的近红外光响应度和环境稳定性。本发明还提供了一种近红外光电探测器的制备方法，包括：提供β-InSe单晶块，将β-InSe单晶块粘到胶带上，反复撕胶带10-20次，得到β-InSe纳米薄片，将β-InSe纳米薄片转移到隔离层上，形成光吸收层；在β-InSe纳米薄片上方以及未被β-InSe纳米薄片覆盖的隔离层上方旋涂光刻胶，经曝光和显影后，形成电极图案；沉积电极材料，随后采用有机溶剂剥离光刻胶，形成源极和漏极。

公开(公告)号：CN107731953A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201711000102.3

申请日：2017-10-24

Applicant: 江门市奥伦德光电有限公司 ,  五邑大学

Inventor： 杨为家 ,  吴质朴 ,  何畏 ,  陈强

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，采用液相法生长的高质量单晶衬底为基础，制作的光电探测器结构简单，无需进行复杂的气相外延即可实现光电探测器的制备，工艺简单，有利于大幅度降低生产成本；设置于衬底层与Al金属反射层之间的Ag或者Pt纳米粒子层，对光具有很高的反射率，能够改变光的传播路径，大幅度提高探测器对光的二次吸收；设置于电极与衬底层之间的Pt纳米粒子层能够改善探测器与电极的接触特性，提高探测器响应灵敏度等电学特性。

公开(公告)号：CN107706260A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710631098.4

申请日：2017-07-28

Applicant: 中国空间技术研究院

Inventor： 郭楠 ,  刘军库 ,  贾怡 ,  肖林

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/09 ,  H01L31/032 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种二硒化钨薄片/氧化铟纳米线复合结构近红外光电探测器及其制备方法，该近红外光电探测器为低维材料复合结构近红外光电探测器，具体是指利用二硒化钨(WSe2)与氧化铟(In2O3)纳米线之间功函数的差异，在这两种材料界面处形成能带弯曲，近红外光激发WSe2中的载流子积累在界面处，所形成的局域电场对In2O3纳米线沟道电导率进行调控，同时通过外加偏压的施加使得器件工作在暗电流极低的耗尽区，提高近红外探测器的光响应率和探测率。

公开(公告)号：CN107425089A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710567675.8

申请日：2017-07-12

Applicant: 成都市亿泰科技有限公司

Inventor： 袁飞 ,  周虎川 ,  杨帆 ,  高豪

IPC: H01L31/09 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L31/09 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化钛纳米薄膜的三层结构的自选频红外吸收器，属于红外探测领域。本发明包括氮化钛纳米薄膜、介电层和金属反射层。介电层在金属反射层上，氮化钛纳米薄膜在介电层上。为了实现高性能自选频的红外吸收，氮化钛纳米薄膜厚度为1nm，介电层厚度对应的光程为所吸收红外光波长的1/4。入射红外光被氮化钛纳米薄膜吸收50%的能量后透射入介电层，在介电层中被吸收波长的红外光干涉增强，经过多次全反射后氮化钛纳米薄膜吸收剩余的能量。本发明结构简单，制作成本低，无需额外的滤光器；兼容CMOS工艺，可直接制作到基于CMOS的红外传感器上；对特定波长的红外光实现几乎100%的高效吸收。