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公开(公告)号：CN110993720A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911026283.6
申请日：2019-10-25
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯/黑磷/二硫化钼/石墨烯异质结的快速光电探测器，包括基底、第一电极、第二电极、第一石墨烯层、黑磷薄膜层、二硫化钼层和第二石墨烯层，第一电极和第二电极间隔设置在基底的一侧表面，第一电极和第二电极之间形成沟道结构，第一石墨烯层、黑磷薄膜层、二硫化钼层和第二石墨烯层依次层叠设置在沟道结构内，第一电极和第二电极分别与第一石墨烯层和第二石墨烯层接触连接。本发明提供的光电探测器中设置有石墨烯/黑磷/二硫化钼/石墨烯异质结，可以实现宽波段响应，并且光电探测器的响应速度得到了显著提高，响应速度可以达到微秒级，有利于光电探测器的广泛应用。
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公开(公告)号：CN119395905A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411481170.6
申请日：2024-10-23
Applicant: 深圳大学 , 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种电光调制器及其制备方法和调制测试系统，该电光调制器包括场效应晶体管和微纳光纤；其中，场效应晶体管包括依次层叠设置的硅衬底、介电层、异质结和电极层；电极层包括分别设置在异质结两端的源电极和漏电极；微纳光纤包括依次连接的输入光纤、第一锥形过渡光纤、中部光纤、第二锥形过渡光纤和输出光纤，中部光纤具有环形结构的光纤微环，光纤微环设于异质结上。该电光调制器是基于全光纤的电光调制器，耦合方式简单，其通过光纤‑光纤光场耦合代替传统的断面耦合或光栅耦合，从而避免模场匹配的问题，甚至可以实现即插即用、近零耦合损耗的光互联与光调制，调制速度快，成本低，且具有高调制带宽。
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公开(公告)号：CN109459137A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811061706.3
申请日：2018-09-12
Applicant: 深圳大学
IPC: G01J4/04 , H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种偏振光的探测方法，包括：提供一种偏振光探测系统，其包括偏振光探测器，偏振光探测器包括基底、依次设置在基底表面上的隔离层和光敏材料层、以及设置在光敏材料层相对的两端且分别与光敏材料层接触的源极和漏极，源极和漏极之间形成的沟道结构暴露出部分光敏材料层，光敏材料层的材料包括β-InSe纳米薄片；将一待测偏振光照射到光敏材料层的表面；光敏材料层吸收待测光并进行光电转换，使偏振光探测器产生相应的电流结果；利用电流结果分析得到待测偏振光的偏振信息。本发明提供的探测方法利用β-InSe纳米薄片具有各向异性的特点，可直接拾取光偏振信息，不需要用到额外的偏振片。本发明还提供了一种偏振光探测器。
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公开(公告)号：CN119247642A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411460515.X
申请日：2024-10-18
Applicant: 深圳大学 , 中国同辐股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电光调制器及其制备方法，属于调制器技术领域，其中电光调制器包括衬底、波导结构、氧化铝保护层、多层电容结构、第一电极和第二电极；波导结构设置在衬底上，多层电容结构由下至上排布于波导结构的上方；每层的电容结构包括两个石墨烯和一个介电层，两个石墨烯分别位于介电层的上表面和下表面，并利用第一电极和第二电极分别连接两个石墨烯，从而实现多层电容结构的并联连接结构，电容结构的层数越大，光调制深度越大，本发明实施例的电光调制器能够显著提高调制深度，更好地实现光调制，更好地兼顾调制深度、高速、宽波段、低功耗等高性能指标，可以应用到光通信、超快激光、光信息处理等领域，适用范围更广。
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公开(公告)号：CN111048619A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911026271.3
申请日：2019-10-25
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于黑磷/石墨烯/二硫化钼异质结的光电探测器，包括基底、第一电极、第二电极、黑磷薄膜层、石墨烯层和二硫化钼层，所述第一电极和所述第二电极间隔设置在所述基底的一侧表面，所述第一电极和所述第二电极之间形成沟道结构，所述黑磷薄膜层、所述石墨烯层和所述二硫化钼层依次层叠设置在所述沟道结构内，所述第一电极和所述第二电极分别与所述黑磷薄膜层和所述二硫化钼层接触连接。本发明提供的光电探测器的暗电流小、响应性好，可以实现高灵敏、宽波段的光电探测，有利于其广泛应用。本发明还提供了一种基于黑磷/石墨烯/二硫化钼异质结的光电探测器的制备方法，方法简单易操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110993702A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911026280.2
申请日：2019-10-25
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯/二硫化钼/石墨烯异质结的快速光电探测器，包括基底、第一电极、第二电极、第一石墨烯层、二硫化钼层和第二石墨烯层，所述第一电极和所述第二电极间隔设置在所述基底的一侧表面，所述第一电极和所述第二电极之间形成沟道结构，所述第一石墨烯层、所述二硫化钼层和所述第二石墨烯层依次层叠设置在所述沟道结构内，所述第一电极和所述第二电极分别与所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层接触连接。本发明提供的光电探测器中设置有石墨烯/二硫化钼/石墨烯异质结，使光电探测器的响应速度得到了显著提高，响应速度可以达到毫秒级，有利于光电探测器的广泛应用。
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公开(公告)号：CN109765235A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910177288.2
申请日：2019-03-08
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本发明提供一种二维纳米材料各向异性的快速检测方法，其包括如下步骤：制备二维纳米材料样本；将制备好的所述二维纳米材料样本固定到光学显微镜的载物台上；对所述二维纳米材料样品表面进行加湿；利用光学显微镜对所述二维纳米材料样品表面进行图像采集，获取液滴在所述二维纳米材料样品表面的分布情况；根据液滴在所述二维纳米材料样品表面的分布情况，确定所述二维纳米材料样品的各向异性。本发明所需实验设备简单、且操作方便、快速，只需短短几十秒即可检测出二维纳米片的之字形方向和扶手椅方向，另外，该检测方法准确率高，且对二维纳米片样品无任何损坏，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107863402A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711070851.3
申请日：2017-11-03
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L31/032 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/1896
Abstract: 本发明提供了一种近红外光电探测器，包括：基底、依次设置在基底表面上的隔离层和光吸收层、以及设置在光吸收层相对的两端且分别与光吸收层接触的源极和漏极，源极和漏极之间形成的沟道结构暴露出部分光吸收层，光吸收层的材料包括β-InSe纳米薄片。所述光电探测器具有很高的近红外光响应度和环境稳定性。本发明还提供了一种近红外光电探测器的制备方法，包括：提供β-InSe单晶块，将β-InSe单晶块粘到胶带上，反复撕胶带10-20次，得到β-InSe纳米薄片，将β-InSe纳米薄片转移到隔离层上，形成光吸收层；在β-InSe纳米薄片上方以及未被β-InSe纳米薄片覆盖的隔离层上方旋涂光刻胶，经曝光和显影后，形成电极图案；沉积电极材料，随后采用有机溶剂剥离光刻胶，形成源极和漏极。
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公开(公告)号：CN111987177A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010905366.9
申请日：2020-09-01
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于二维P/G/N异质结的光电探测器，包括衬底以及设置在衬底上的源电极、漏电极、二维P型半导体薄片、二维N型半导体薄片和石墨烯薄片；所述二维P型半导体薄片与所述二维N型半导体薄片之间设置有石墨烯薄片，所述二维P型半导体薄片与所述二维N型半导体薄片之间通过所述石墨烯薄片电连接；所述二维P型半导体薄片远离所述石墨烯薄片的一端与所述源电极电连接，所述二维N型半导体薄片远离所述石墨烯薄片的一端与所述漏电极电连接。本发明基于二维P/G/N异质结的光电探测器有效地提高了宽波段光吸收效率。本发明还提供了基于二维P/G/N异质结的光电探测器的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN207611774U
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201721459164.6
申请日：2017-11-03
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本实用新型提供了一种光电探测器，包括：基底、依次设置在基底表面上的隔离层和光吸收层、以及设置在光吸收层相对的两端且分别与光吸收层接触的源极和漏极，源极和漏极之间形成的沟道结构暴露出部分光吸收层，光吸收层为β-InSe纳米薄片。所述光电探测器具有很高的近红外光响应度和环境稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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