-
公开(公告)号：CN110690302B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201910857070.1
申请日：2019-09-11
IPC: H01L31/032 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种CsPbBr3薄膜及其制备方法和一种器件，CsPbBr3薄膜的制备方法，包括以下步骤：制备或提供PbBr2薄膜；在所述PbBr2薄膜上涂覆CsBr水溶液；对涂覆有所述CsBr水溶液的所述PbBr2薄膜进行处理以去除水且使得CsBr与PbBr2反应生成CsPbBr3。本发明使用绿色无毒的水取代有机溶剂制备出覆盖完全的高质量的CsPbBr3薄膜。在基于CsPbBr3薄膜的器件如太阳能电池、发光二极管、光电探测器、阻变存储器、随机激光器中具有较好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN106124496B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610463573.7
申请日：2016-06-23
Applicant: 中国空间技术研究院
Inventor： 贾怡
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化石墨烯的监测材料及其制备方法和应用，具体涉及对温度和/或光照敏感的监测材料，属于易变质食品、药物或疫苗的监测技术领域，该材料为用于冷链物流仓储的基于氧化石墨烯的光照和温度监测材料。本发明的监测材料是将氧化石墨烯、光催化材料、还原剂(分散在水中得到混合液，将混合液充分干燥，从而获得上述三类材料的混合物。制备态下该材料呈黄色，在光照或较高温度(>8℃)条件下，材料的颜色逐渐转变为暗黄色以致黑色，颜色变化具有不可逆的特点，从而实现了一种材料同时监测光照和温度的效果，该材料在需要避光、低温的冷链物流、仓储领域具有重要的应用前景。
-
公开(公告)号：CN106124496A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610463573.7
申请日：2016-06-23
Applicant: 中国空间技术研究院
Inventor： 贾怡
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化石墨烯的监测材料及其制备方法和应用，具体涉及对温度和/或光照敏感的监测材料，属于易变质食品、药物或疫苗的监测技术领域，该材料为用于冷链物流仓储的基于氧化石墨烯的光照和温度监测材料。本发明的监测材料是将氧化石墨烯、光催化材料、还原剂(分散在水中得到混合液，将混合液充分干燥，从而获得上述三类材料的混合物。制备态下该材料呈黄色，在光照或较高温度(>8℃)条件下，材料的颜色逐渐转变为暗黄色以致黑色，颜色变化具有不可逆的特点，从而实现了一种材料同时监测光照和温度的效果，该材料在需要避光、低温的冷链物流、仓储领域具有重要的应用前景。
-
公开(公告)号：CN107706260B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710631098.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种二硒化钨薄片/氧化铟纳米线复合结构近红外光电探测器及其制备方法，该近红外光电探测器为低维材料复合结构近红外光电探测器，具体是指利用二硒化钨(WSe2)与氧化铟(In2O3)纳米线之间功函数的差异，在这两种材料界面处形成能带弯曲，近红外光激发WSe2中的载流子积累在界面处，所形成的局域电场对In2O3纳米线沟道电导率进行调控，同时通过外加偏压的施加使得器件工作在暗电流极低的耗尽区，提高近红外探测器的光响应率和探测率。
-
公开(公告)号：CN109922548B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201910173163.2
申请日：2019-03-07
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H05B3/34
Abstract: 本发明涉及一种碳基电热膜及其制备方法，属于碳纳米材料技术领域，涉及一种碳膜的制备及其在电加热领域的应用。本发明的利用三维石墨烯为骨架单元，以聚丙烯腈为填充，经过热压、预氧化、高温碳化，最终获得以石墨化微晶作为交联剂的碳基电热薄膜。不同于传统层层自组装结构带来的各向异性及石墨烯片的堆叠效应，此薄膜的电学、热学性能一定程度上保留了三维石墨烯的各向同性。同时，其工作电压低，升温速率快，是目前报道的电热性能最优的薄膜材料之一。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107706260A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710631098.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/035227 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种二硒化钨薄片/氧化铟纳米线复合结构近红外光电探测器及其制备方法，该近红外光电探测器为低维材料复合结构近红外光电探测器，具体是指利用二硒化钨(WSe2)与氧化铟(In2O3)纳米线之间功函数的差异，在这两种材料界面处形成能带弯曲，近红外光激发WSe2中的载流子积累在界面处，所形成的局域电场对In2O3纳米线沟道电导率进行调控，同时通过外加偏压的施加使得器件工作在暗电流极低的耗尽区，提高近红外探测器的光响应率和探测率。
-
公开(公告)号：CN111106244B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201911073995.3
申请日：2019-11-06
Abstract: 本发明公开了一种CsPbBr3薄膜及其制备方法和器件，该制备方法包括以下步骤：取PbBr2溶解于混合溶剂中形成PbBr2溶液，混合溶剂为聚乙二醇和γ‑丁内酯，涂覆PbBr2溶液进行成膜；在PbBr2溶液进行成膜的过程中加入挥发性反溶剂，形成PbBr2·PEG薄膜后进行第一退火处理，挥发性反溶剂与聚乙二醇互溶；在PbBr2·PEG薄膜上涂覆CsBr溶液，进行处理以使得CsBr与PbBr2反应生成CsPbBr3。采用无毒的PEG和GBL作为混合溶剂溶解PbBr2，克服了现有技术依赖有毒溶剂溶解PbBr2的缺点，利用本发明的方法能够制备出高质量的CsPbBr3薄膜，在基于CsPbBr3薄膜的器件中具有较好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109103271B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201810779753.5
申请日：2018-07-16
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/118 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明的纳米碳材料/硅异质结X射线探测器，使用纳米碳材料与硅构成异质结，同时纳米碳材料作为X射线的透明窗口层和器件的上电极。其中，纳米碳材料为原子序数为6的碳元素构成。在同等厚度下，该材料对X射线的透过率相对于传统的金材料(原子序数79)大幅提高。以针对1keV光子能量的X射线为例，250nm的纳米碳材料的射线透过率达95％，而250nm的金材料的射线透过率小于5％。即在同样的辐照条件下，本发明所述探测器可用于使硅中电子空穴电离、并产生电信号的有效X射线光子数目将远大于传统的金硅面垒探测器，从而可以大幅提高探测器的响应率。
-
公开(公告)号：CN111106244A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911073995.3
申请日：2019-11-06
Abstract: 本发明公开了一种CsPbBr3薄膜及其制备方法和器件，该制备方法包括以下步骤：取PbBr2溶解于混合溶剂中形成PbBr2溶液，混合溶剂为聚乙二醇和γ-丁内酯，涂覆PbBr2溶液进行成膜；在PbBr2溶液进行成膜的过程中加入挥发性反溶剂，形成PbBr2·PEG薄膜后进行第一退火处理，挥发性反溶剂与聚乙二醇互溶；在PbBr2·PEG薄膜上涂覆CsBr溶液，进行处理以使得CsBr与PbBr2反应生成CsPbBr3。采用无毒的PEG和GBL作为混合溶剂溶解PbBr2，克服了现有技术依赖有毒溶剂溶解PbBr2的缺点，利用本发明的方法能够制备出高质量的CsPbBr3薄膜，在基于CsPbBr3薄膜的器件中具有较好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109817757A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910049102.5
申请日：2019-01-18
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H01L31/112 , H01L31/0392 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种二硒化钨薄片/氧化锌纳米带结型场效应晶体管光电探测器及其制备方法，该光电探测器为纳米材料结型场效应晶体管光电探测器，具体是指将p型的二硒化钨(WSe2)薄片和n型的氧化锌(ZnO)纳米带接触形成p-n结，同时WSe2薄片作为感光材料连接在顶栅电极与ZnO纳米带导电沟道之间。WSe2薄片受光激发产生光生载流子形成导电通道，顶栅电压通过该导电通道施加到p-n结处，调节ZnO纳米带中耗尽区的宽度来实现沟道电导的调节，提高器件的光增益和响应速度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.023 seconds)
