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公开(公告)号：CN108975263A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810796468.4
申请日：2018-07-19
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
CPC classification number: G01J5/024 , B81B7/0006 , B81C1/00246 , G01J5/0225 , G01J5/046 , G01J5/048 , G01J5/12 , G01J2005/123 , H01L27/146
Abstract: 公开了一器件和形成该器件的方法。该器件包括衬底，该衬底具有设置在晶体管区域中的晶体管组件和设置在混合区域中下传感器腔膜上的微电子机械系统(MEMS)组件。MEMS组件用作热电式红外传感器，热电堆线结构，该热电堆线结构包括设置在反向掺杂的第一和第二线段的一部分上的吸收层。后段线(BEOL)电介质设置在具有多个层间介电(ILD)层的衬底上。该ILD层具有金属层和通孔层。ILD层包括金属线和用于互连器件组件的通孔触点。金属层中的金属线被配置成在下传感器腔上方限定BEOL或上传感器腔，BEOL电介质的第一金属层的金属线被配置为限定MEMS组件的几何形状。
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公开(公告)号：CN113767063A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202080027511.6
申请日：2020-04-01
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 公开了与MEMS区微机电系统(MEMS)组件集成的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。所述MEMS组件例如是红外(IR)热传感器。所述MEMS传感器异质集成在CMOS器件上。例如，将具有CMOS器件和互连件以及经过部分处理的MEMS组件的CMOS晶片与具有MEMS结构的MEMS晶片键合，缓解后CMOS兼容性问题。用于完成所述器件的后集成工艺包括形成用于将传感器互连到CMOS组件的接触件，以及采用晶圆级真空封装用盖晶片封装所述器件。
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公开(公告)号：CN114072646B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202080040460.0
申请日：2020-05-28
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
IPC: G01J5/0806 , B81C1/00 , G02B3/00
Abstract: 在MEMS区嵌入微机电系统(MEMS)组件的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。例如，MEMS组件是红外(IR)热传感器。该器件采用CMOS兼容的IR透明封盖封装，以使用晶圆级真空封装技术气密密封所述器件。封盖包括一个集成的对焦系统，带有一个用于将红外辐射对焦到传感器上的元透镜模块。
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公开(公告)号：CN113086938A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110236891.0
申请日：2021-03-03
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
Abstract: 在MEMS区中嵌入了微机电系统(MEMS)组件的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。MEMS组件，例如是红外(IR)热传感器。所述器件封装有CMOS兼容IR透明封盖，以将MEMS传感器气密密封在MEMS区中。CMOS封盖包括带释放开口的底盖和密封释放开口的密封盖。
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公开(公告)号：CN109052306B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201810765874.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
Abstract: 本发明披露了一设备和形成该设备的方法，即可扩展的热电式红外探测器。该方法包括提供制备有晶体管和传感器区域的衬底。通过以下方法处理衬底：在衬底中形成下传感器腔，用牺牲材料填充下传感器腔，在传感器区域中形成介电膜，在晶体管区域中形成晶体管以及形成微电机械系统（MEMS）组件在传感器区域中的介电膜上。该方法通过形成具有多个层间介电（ILD）层的后段线（BEOL）电介质而继续，该ILD层具有设置在衬底上用于互连设备部件的金属层和通孔层。金属层中的金属线被配置成在下传感器腔上方限定上传感器腔，并且BEOL电介质的第一金属层的金属线被配置为限定MEMS组件的几何形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114072646A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202080040460.0
申请日：2020-05-28
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
IPC: G01J5/0806 , B81C1/00 , G02B3/00
Abstract: 在MEMS区嵌入微机电系统(MEMS)组件的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。例如，MEMS组件是红外(IR)热传感器。该器件采用CMOS兼容的IR透明封盖封装，以使用晶圆级真空封装技术气密密封所述器件。封盖包括一个集成的对焦系统，带有一个用于将红外辐射对焦到传感器上的元透镜模块。
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公开(公告)号：CN109052306A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810765874.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
CPC classification number: H01L27/14669 , B81C1/00 , G01J5/0225 , G01J5/024 , G01J5/046 , G01J5/048 , G01J5/0853 , G01J5/12 , G01J5/16 , G01J2005/123 , H01L27/146 , H01L27/14612 , H01L27/14629 , H01L27/14643 , H01L27/14649 , H01L31/0224 , H01L31/09 , B81B7/02 , B81B7/0006 , B81B7/0009 , B81B2201/0292 , B81C1/00222 , H01L35/325
Abstract: 本发明披露了一设备和形成该设备的方法，即可扩展的热电式红外探测器。该方法包括提供制备有晶体管和传感器区域的衬底。通过以下方法处理衬底：在衬底中形成下传感器腔，用牺牲材料填充下传感器腔，在传感器区域中形成介电膜，在晶体管区域中形成晶体管以及形成微电机械系统(MEMS)组件在传感器区域中的介电膜上。该方法通过形成具有多个层间介电(ILD)层的后段线(BEOL)电介质而继续，该ILD层具有设置在衬底上用于互连设备部件的金属层和通孔层。金属层中的金属线被配置成在下传感器腔上方限定上传感器腔，并且BEOL电介质的第一金属层的金属线被配置为限定MEMS组件的几何形状。
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公开(公告)号：CN113767063B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202080027511.6
申请日：2020-04-01
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 公开了与MEMS区微机电系统(MEMS)组件集成的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。所述MEMS组件例如是红外(IR)热传感器。所述MEMS传感器异质集成在CMOS器件上。例如，将具有CMOS器件和互连件以及经过部分处理的MEMS组件的CMOS晶片与具有MEMS结构的MEMS晶片键合，缓解后CMOS兼容性问题。用于完成所述器件的后集成工艺包括形成用于将传感器互连到CMOS组件的接触件，以及采用晶圆级真空封装用盖晶片封装所述器件。
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公开(公告)号：CN113677964B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202080027516.9
申请日：2020-04-01
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
IPC: G01J5/12 , G01J5/04 , H01L31/0203 , B81C1/00
Abstract: 在MEMS区嵌入微机电系统(MEMS)组件的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。所述MEMS组件例如是红外(IR)热传感器。所述器件封装有CMOS兼容的IR透明封盖，以使用晶圆级真空封装技术将所述器件气密密封。
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公开(公告)号：CN108975263B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201810796468.4
申请日：2018-07-19
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
Abstract: 公开了一器件和形成该器件的方法。该器件包括衬底，该衬底具有设置在晶体管区域中的晶体管组件和设置在混合区域中下传感器腔膜上的微电子机械系统(MEMS)组件。MEMS组件用作热电式红外传感器，热电堆线结构，该热电堆线结构包括设置在反向掺杂的第一和第二线段的一部分上的吸收层。后段线(BEOL)电介质设置在具有多个层间介电(ILD)层的衬底上。该ILD层具有金属层和通孔层。ILD层包括金属线和用于互连器件组件的通孔触点。金属层中的金属线被配置成在下传感器腔上方限定BEOL或上传感器腔，BEOL电介质的第一金属层的金属线被配置为限定MEMS组件的几何形状。
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