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公开(公告)号：CN104045347B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201410078454.0
申请日：2014-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
CPC classification number: F28F3/12 , B23K1/0008 , B23K1/19 , C04B35/5611 , C04B35/5615 , C04B35/565 , C04B35/58092 , C04B35/645 , C04B37/006 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/404 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , F28F21/086 , H01L21/6833 , Y10T428/249969
Abstract: 提供一种复合材料，所述复合材料与氧化铝之间的线性热膨胀系数差很小，并且具有充分高的导热系数、致密性和强度。本发明的致密复合材料包含37‑60质量%的碳化硅颗粒，以及各自含量均低于所述碳化硅颗粒的质量百分比的硅化钛、钛碳化硅和碳化钛，所述致密复合材料具有1%以下的开口孔隙率。该致密复合材料的特性包括，例如40‑570℃的平均线性热膨胀系数为7.2‑8.2ppm/K，导热系数为75W/mK以上，以及四点弯曲强度为200MPa以上。
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公开(公告)号：CN107043269A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710236828.0
申请日：2017-04-12
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B37/00
CPC classification number: C04B37/006 , C04B2237/122 , C04B2237/123 , C04B2237/124 , C04B2237/36
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷低温快速焊接改性的方法，其包括以下步骤：1)在两层陶瓷之间设置五层金属箔，中间层为镍箔，镍箔两面各贴合一层铜箔，铜箔与陶瓷之间设有一层钛箔，金属箔面积与需焊接改性的区域面积大小相同，固定两层陶瓷及金属箔得到试样；2)将步骤1)所得试样置于石墨模具中，试样与模具之间用双层石墨纸隔离，再将装有试样的模具放入PAS炉中进行焊接，焊接完成后对试样进行后处理即可。本发明通过陶瓷部分液相低温快速连接方法将扩散焊与低温PTLP焊两种连接方法的优势结合起来，用于陶瓷材料间连接，保证高熔点母材与中间层元素间充分扩散，从而实现焊件间的有效连接，有利于促进接头成分均匀化和提高连接强度。
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公开(公告)号：CN104201410B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410424063.X
申请日：2009-06-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01M8/2425 , H01M8/2465 , H01M4/86 , H01M8/0217 , H01M8/0236 , C04B35/26 , C04B35/47 , C04B37/00 , C04B38/00
CPC classification number: H01M8/0236 , C04B35/2675 , C04B35/47 , C04B37/006 , C04B38/0003 , C04B2111/00853 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3272 , C04B2237/123 , C04B2237/34 , C04B2237/346 , C04B2237/62 , H01M4/8621 , H01M4/9041 , H01M8/0217 , H01M8/0273 , H01M8/12 , H01M8/24 , H01M8/2425 , H01M8/2465 , H01M8/2483 , H01M2008/1293 , Y02E60/50 , Y02E60/525 , C04B38/068
Abstract: 本发明提供在氧化气氛和还原气氛中均具有化学稳定性、并且电子传导率(电导率)高、离子传导率低、具有不含Cr的组成、能降低烧结温度的互连器用材料。互连器用材料是在固体电解质型燃料电池中配置在多个单元之间并将多个单元彼此在电学上串联连接的互连器的材料，所述多个单元由分别依次层叠的阳极层、固体电解质层和阴极层构成，其特征在于，以由组成式La(Fe1‑xAlx)O3表示的陶瓷组合物为主要成分；式中，x表示摩尔比，满足0＜x＜0.5。
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公开(公告)号：CN105541366A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610097389.5
申请日：2016-02-19
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B37/00
CPC classification number: C04B37/006 , C04B2237/12 , C04B2237/123
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷低温钎焊方法，包括陶瓷母材待焊接面镀活性金属镀层、超声波改性活性金属镀层和超声波辅助钎焊等步骤。本发明首先采用涂覆工艺在陶瓷母材的待焊接面上镀一层活性金属镀层；随后将带有活性金属镀层的陶瓷母材浸入熔Sn中，通过超声波在熔Sn介质中形成的声化学效应来改良活性金属镀层与陶瓷基体之间的结合性能并在活性金属镀层表面附着一层Sn金属；最后采用低熔点钎料并结合超声波辅助钎焊工艺来低温钎焊涂覆有Sn金属表面层和活性金属中间层的陶瓷母材，实现陶瓷材料的低温、高强度连接。
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公开(公告)号：CN102770391B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201080061590.9
申请日：2010-12-24
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B37/006 , C04B2235/3203 , C04B2235/3275 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6581 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2237/124 , C04B2237/34 , C04B2237/40 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01M4/0426 , H01M4/525 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供一种可以稳定地制造高密度烧结体的LiCoO2烧结体的制造方法及溅射靶材。本发明的实施方式涉及的LiCoO2烧结体的制造方法包括在模具中填充LiCoO2粉末的工序。对所述模具内进行减压，并在所述模具内在800℃以上880℃以下的温度下对所述LiCoO2粉末进行加压烧结。根据所述制造方法，可以稳定地制造具有95％以上的相对密度、10μm以上30μm以下的平均粒径的LiCoO2烧结体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104285290B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480001113.1
申请日：2014-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/565
CPC classification number: F28F3/12 , B23K1/0008 , B23K1/19 , C04B35/5611 , C04B35/5615 , C04B35/565 , C04B35/58092 , C04B35/645 , C04B37/006 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/404 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , F28F21/086 , H01L21/6833 , Y10T428/249969
Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有氧化铝制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料中碳化硅的含量最多，并且含有硅化钛、钛碳化硅以及碳化钛。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间，以及在第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系或Al-Mg系的金属接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。
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公开(公告)号：CN105264351A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480022887.2
申请日：2014-04-22
Applicant: 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司
Inventor： 尼尔斯·波纳特 , 安德烈亚斯·罗斯贝格
IPC: G01L9/00
CPC classification number: G01L9/0075 , B23K35/0238 , B23K35/3606 , C04B37/006 , C04B2237/122 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/592 , C04B2237/62
Abstract: 本发明涉及一种压力测量单元(1)，包括：陶瓷测量膜片(2)和陶瓷对应物(4)，其中测量膜片以气密的方式接合到对应物，借助活性铜焊料(6)形成在测量膜片和对应物之间的压力腔，其中压力测量单元(1)还具有焊接停止层，该焊接停止层在测量膜片(2)和/或对应物(4)的表面上，其中焊接停止层具有金属氧化物或者金属氧化物的还原形式，其中金属氧化物具有至少一个氧化阶段，假定8·104/K的逆温下Rakt＝1的活度系数，其具有不小于1-23MPa(10-23·bar)并且不大于1-12MPa(10-12·bar)的氧气共存分解压力，并且假定9·10-4/K的逆温下Rakt＝1的活度系数，其具有不少于1-27MPa(10-27bar)并且不大于1-15MPa(10-15bar)的氧气共存分解压力，适合的金属氧化物例如为铬氧化物，钨氧化物或钛氧化物。
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公开(公告)号：CN102574073B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201080037735.1
申请日：2010-10-14
Applicant: 弗朗霍夫应用科学研究促进协会
CPC classification number: C04B37/006 , B01D53/228 , B01D65/003 , B01D67/0041 , B01D69/04 , B01D69/08 , B01D71/024 , B01D2325/22 , C04B35/01 , C04B35/62231 , C04B37/005 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3244 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/522 , C04B2237/06 , C04B2237/124 , C04B2237/34 , C04B2237/76
Abstract: 本发明涉及用于耐高温结合或接合由混合导电氧化物陶瓷制得的氧化物陶瓷结构组件的方法。本发明的目的是提供一种可以实现耐高温结合由混合导电取代型碱土金属钴酸盐制得的陶瓷结构组件的可能性，其中在使用致密膜组件的情况下，所述结合应当是气密性的。该目的通过用于耐高温结合基于取代型碱土金属钴酸盐的透氧性氧化物陶瓷的方法实现，所述方法通过掺杂辅助的扩散反应烧结完成，其中至少一个接合表面被提供以含Cu添加剂，并且然后在重力或其它力的负荷下将其加热至低于所述陶瓷组件的通常烧结温度最高达250K的温度，并在该温度下保持0.5小时至10小时。
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公开(公告)号：CN104934173A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510121872.8
申请日：2015-03-19
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01C7/112 , C04B35/453 , C04B35/62695 , C04B37/003 , C04B37/005 , C04B37/006 , C04B2235/3217 , C04B2235/322 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/443 , C04B2235/5436 , C04B2235/5454 , C04B2235/658 , C04B2235/96 , C04B2237/06 , C04B2237/066 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/34 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , H01C7/10 , H01C7/1006 , H01C7/102 , H01C7/12 , H01C7/18 , H01C17/00 , Y10T29/49082
Abstract: 本发明涉及电压非线性电阻元件及其制法，在氧化锌系电压非线性电阻元件中，将高电流区域中的钳位电压抑制得低。电压非线性电阻元件(10)具备：电阻体(14)，具有一个将以氧化锌为主成分且体积电阻率小于1.0×10-2Ωcm的氧化锌陶瓷层(12a)和以稀土金属氧化物为主成分的稀土金属氧化物层(12b)接合而成的接合体(12)；和，一对电极(16)、(18)，以导电路径横穿氧化锌陶瓷层(12a)与稀土金属氧化物层(12b)的接合面的方式形成于电阻体(14)。该元件(10)中，作为接合体(12)的氧化锌陶瓷层(12a)使用体积电阻率比以往低的氧化锌陶瓷层。因此能够将高电流区域的钳位电压抑制得比以往低。
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公开(公告)号：CN104253055A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410260650.X
申请日：2014-06-12
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 矶亚纪良
CPC classification number: B23K35/383 , C04B37/006 , C04B37/026 , C04B2235/652 , C04B2237/12 , C04B2237/121 , C04B2237/123 , C04B2237/124 , C04B2237/36 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/55 , C04B2237/72 , H01L21/4882 , H01L23/057 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及焊接方法及半导体装置的制造方法。提供能降低空隙产生率的经由镍镀层的焊接方法及利用该焊接方法的半导体装置的制造方法。在惰性气体气氛中、在300℃～400℃的温度范围内预先对具有镍镀层(2)的铜底板(1)进行加热，从而能在将铜底板和绝缘电路基板(8)进行焊接时降低空隙产生率。
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