公开(公告)号：CN106061889A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580010228.1

申请日：2015-02-11

Applicant: 诺思罗普·格鲁曼·利特夫有限责任公司

Inventor： 冈特·斯帕林格

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0045 ,  B81B3/0086 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/04 ,  G01C19/5719 ,  B81B7/02 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0035

Abstract: 本发明涉及一种微机械的组件，该组件包括基板和活动结构，该活动结构能够相对于基板而言至少以一个方向偏移并且具有至少一个第一区域和第二区域，其中所述第一区域和所述第二区域能够导电并且沿着第一轴物理刚性地彼此连接并且通过绝缘区域相互电绝缘。根据一种用于运作该组件的方法在第一区域和第二区域上施加不同的电势，其中能够探测通过活动结构的移动而产生的电荷或电容变化。

公开(公告)号：CN105987783A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610162031.6

申请日：2016-03-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤公敏

IPC: G01L9/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/015 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  G01L9/0041 ,  G01L9/0042 ,  H01L29/84

Abstract: 关于半导体压力传感器(10)，固定电极(23b)是作为与第1电极(23a)相同的层而形成的。空隙(51)是通过去除由与第2电极(30c)相同的膜构成的部分、即牺牲膜(30d)而形成的。可动电极(39)包含对牺牲膜(30d)至少局部地开设了开口的锚固部分，该锚固部分将可动电极(39)隔着空隙(51)相对于固定电极(23b)进行支撑。锚固部分中的第1锚固部(101)配置为，通过将可动电极(39)在俯视观察时划分为多个可动电极单体(102)，由此，划分出的多个可动电极单体(102)中的彼此相邻的1对可动电极单体(102)共用同一第1锚固部。

公开(公告)号：CN105916801A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480058712.7

申请日：2014-08-26

Applicant: 西雷克斯微系统股份有限公司

Inventor： E·凯尔维斯滕 ,  T·埃贝福斯 ,  N·斯维丁

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/50 ,  H01L23/48

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0153 ,  B81C2201/036 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  H01L21/50 ,  H01L23/08 ,  H01L24/94 ,  H01L2924/16235

Abstract: 本发明涉及一种器件，所述器件包括：基体基板(700)，所述基体基板具有安装于所述基体基板的微型的部件(702)。合适地所述器件设置有引线元件(704)，其用于向所述部件(702)传导信号和从所述部件(702)传导信号。所述器件还包括间隔构件(706)，其也能够用作用于上下传导信号的传导结构。还有玻璃材料的盖结构(708)，其设置在所述基体基板(700)的上方并优选地通过共晶接合经由所述间隔构件(706)与所述基体基板(700)接合，其中所述盖结构(708)包括通孔(710)，所述通孔(710)包括用于提供贯穿所述盖结构的电连接的金属。可以在将玻璃加热至软化且施加压力下，通过涉及将针压至玻璃中的预定深度的冲/压方法来制备通孔。然而，例如钻孔、蚀刻、喷丸的其它方法也是可行的。

公开(公告)号：CN105721997A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510164691.3

申请日：2015-04-08

Applicant: 上海微联传感科技有限公司

Inventor： 缪建民

IPC: H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/038 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明涉及硅麦克风技术领域，尤其涉及一种MEMS硅麦克风及其制备方法，通过在多孔背极板硅基上方设有单晶硅振膜，并由二氧化硅层分离，其通过硅硅键合法与多孔背极板硅基键合，两者形成麦克风的电容结构；另外单晶硅振膜具有残余应力小且一致性好的特点，从而可提高MEMS硅麦克风的灵敏度和良率；振膜上设有弹簧支撑、凸柱、微孔等其它结构，可快速释放振膜的残余应力，同时避免振膜和多孔背极板硅基间吸和可能性，进一步提高麦克风的良率和可靠性，因此，本发明技术方案生产的MEMS硅麦克风结构具有生产工艺简单、灵敏度高、成本低、一致性好、可靠性强等特点。

公开(公告)号：CN103681233B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201210325243.3

申请日：2012-09-05

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 张新伟 ,  代丹 ,  周国平 ,  夏长奉

IPC: H01L21/02

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00531

Abstract: 本发明公开了一种多沟槽结构的制作方法，包括步骤：在半导体衬底上各向异性刻蚀以形成纵向沟槽；在形成所述纵向沟槽的半导体衬底上生长第一外延层，使所述第一外延层覆盖所述纵向沟槽顶部，形成封闭结构；在所述封闭结构上进行各向异性和各向同性刻蚀，以形成沟槽阵列，并使所述沟槽阵列与所述纵向沟槽连通；所述沟槽阵列包括多个沟槽或通孔，所述多个沟槽或通孔的上部各自分离，下部相互连通形成腔体；生长第二外延层覆盖所述沟槽阵列，以形成封闭的多沟槽结构。该方法通过两次生长外延层，使多沟槽结构在制作过程中保持稳定坚固，避免了制作过程中出现膜层断裂或脱落的现象。

公开(公告)号：CN102782324B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201080051330.3

申请日：2010-11-12

Applicant: 法国原子能与替代能委员会

Inventor： 伊夫·法布里斯 ,  弗朗索瓦·贝厄罗斯 ,  马丁·切特 ,  桑德琳·毛贝特

IPC: F04B43/04 ,  B81B1/00

CPC classification number: F04B43/046 ,  A61M5/14586 ,  B81B2201/036 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/019 ,  F04B43/02 ,  F04B43/043 ,  F05C2203/02 ,  F05C2203/06 ,  Y10T29/494

Abstract: 本发明涉及一种制造至少一变形膜微泵的方法，所述变形膜微泵包含一第一衬底（10）及一与所述第一衬底（10）相互组装在一起的第二衬底（20），所述第一衬底（10）包含至少一孔穴（12-2）及所述第二衬底（20）包含面对所述孔穴（12-2）设置的至少一变形膜（22-2）。所述方法包含下列步骤：在所述第一衬底（10）内制造所述孔穴（12-2）；然后组装所述第一衬底（10）以及所述第二衬底（10）；然后在所述第二衬底内（20）制造所述变形膜（22-2）。

公开(公告)号：CN102730633B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201210101394.0

申请日：2012-03-31

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 格雷戈里·德布拉班德尔 ,  马克·内波穆尼西

IPC: B81C3/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/053 ,  B81C2201/0195 ,  B81C2203/036

Abstract: 本发明公开了一种用于制造具有弯曲特征的薄膜的方法。通过将薄膜真空接合至衬底的顶表面来创建具有弯曲特征的轮廓传递衬底表面，其中所述顶表面中形成有空穴。将薄膜的表面暴露至流体压力，以使得薄膜变形并且薄膜的下表面与空穴的底部接触。可以通过对薄膜与衬底之间的接合区域进行退火处理来使变形薄膜中形成的弯曲特征变得永久。薄膜的暴露表面上沉积的均匀材料层将在薄膜弯曲进空穴的位置处包括弯曲特征。在薄膜上已经均匀沉积了至少一层材料之后，从底部蚀刻开空穴，以从下方移除薄膜。

公开(公告)号：CN105263851A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480030777.0

申请日：2014-06-02

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·W·津恩

IPC: B81B3/00 ,  H04R19/00 ,  H04R19/01

CPC classification number: B81B3/0051 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  H04R7/26 ,  H04R19/016 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明提供了一种MEMS的被限位的膜。所述MEMS的被限位的膜包括第一层和第二结构。所述第一层具有外部段和内膜。所述外部段和内膜通过间隙彼此分开并具有内膜突起和外部段突起，内膜突起和外部段突起通过所述间隙形成的。第二结构耦接至所述外部段并具有叠置在对应的内膜突起上方的第二突起。

公开(公告)号：CN103096235B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310020998.7

申请日：2007-03-20

Applicant: 思睿逻辑国际半导体有限公司

Inventor： R·I·拉明 ,  M·贝格比 ,  A·特雷纳

IPC: H04R31/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C99/004 ,  B81C2201/0109 ,  H04R7/10 ,  H04R7/18 ,  H04R19/005 ,  H04R2307/207 ,  Y10S977/733

Abstract: 一种制备微机电系统麦克风的方法，该方法包括下列步骤：沉积第一和第二电极；沉积膜，该膜机械耦合到所述第一电极；以及沉积背板，所述背板机械耦合到所述第二电极；其中所述沉积第二电极的步骤包括在所述第二电极中形成预定图案的步骤，并且其中所述预定图案包括一个或多个开口，所述开口对应于在所述背板中形成的一个或多个开口，并且在所述第二电极中的至少一个所述开口大于所述背板中的对应开口。

公开(公告)号：CN103011054B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201210344319.7

申请日：2012-09-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 加藤绫子 ,  虎岛和敏

IPC: B81C1/00 ,  B06B1/02

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81B3/0075 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0392 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明涉及一种机电换能器的制造方法。提供一种由绝缘层的平坦性的变化导致的击穿强度的变化更小的机电换能器的制造方法。在机电换能器的制造方法中，在第一基板上形成第一绝缘层，并且，通过去除第一绝缘层的一部分来形成隔离壁，并且，在去除了第一绝缘层的一部分之后的第一基板的区域上形成第二绝缘层。然后，通过在隔离壁上接合第二基板来形成间隙，并且，由第二基板形成隔着间隙与第二绝缘层相对的振动膜。在形成隔离壁时，沿与第一基板垂直的方向的间隙侧的高度变得比中心部分的高度低。