公开(公告)号：CN102564658B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201110274113.7

申请日：2011-09-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤公敏

IPC: G01L1/22 ,  G01L9/04

CPC classification number: G01L9/0054

Abstract: 本发明的目的在于提供能抑制半导体压力传感器的小型化所伴随的性能偏差的技术。一种半导体压力传感器的制造方法，在牺牲层(16)上形成层叠构造，所述层叠构造包含：多晶硅隔膜(6)，形成于应成为其下方的真空室的空间(13)侧的多晶硅应变计电阻(4b)，内包它们并具有与牺牲层(16)相接的蚀刻液导入孔(15)的绝缘膜群(3、5、7)。而且，使蚀刻液通过所述蚀刻液导入孔(15)并蚀刻牺牲层(16)，从而将层叠构造形成为在真空室上起作用的隔膜体(11)，并且通过蚀刻硅基板(1)中的第1绝缘膜(2)的第1开口(2a)下的表面，形成应成为真空室的空间(13)以及配置于该空间(13)中并向隔膜体(11)的中央附近突出的隔膜制动器(12)。

公开(公告)号：CN101819077B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200910222215.7

申请日：2009-11-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤公敏

IPC: G01L1/22

CPC classification number: G01L9/0055 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/065

Abstract: 半导体压力传感器(100)包括：硅衬底(1)；具有形成于硅衬底(1)上的第一隔膜(25)及第一应变计电阻(7)的有源应变计电阻形成部(101)；以及具有形成于衬底(1)上的第二隔膜(26)及第二应变计电阻(7)的用于温度补偿的伪应变计电阻形成部(102)。有源应变计电阻形成部(101)的第一隔膜(25)及用于温度补偿的伪应变计电阻形成部(102)的第二隔膜(26)用共同的多晶硅膜(5)形成。为了与衬底(1)连接，多晶硅膜(5)具有向衬底(1)侧延伸的桩部(21)。第一及第二隔膜(25、26)具有互相相同或对称的结构，且第一及第二应变计电阻(7)具有互相相同或对称的结构。从而能够得到可高精度地进行温度补偿的半导体压力传感器(100)及其制造方法。

公开(公告)号：CN102121856A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201010589550.3

申请日：2010-12-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤公敏

IPC: G01L1/22 ,  G01L9/06 ,  G01L9/04

CPC classification number: G01L9/0042

Abstract: 本发明涉及半导体压力传感器及其制造方法。硅衬底(10)具有贯通孔(12)。在硅衬底(10)上形成有多晶硅膜(20)。多晶硅膜(20)在贯通孔(12)的上方具有膜片(24)。在多晶硅膜(20)上形成有绝缘膜(22)。具有压电电阻效应的多晶硅应变计电阻(R1、R2、R3、R4)形成在绝缘膜(22)上。多晶硅布线(W1、W2、W3、W4)将多晶硅应变计电阻(R1、R2、R3、R4)连接成电桥状。多晶硅应变计电阻(R1、R2)配置在膜片(24)的中央部，并分别具有并联连接的多个电阻，并且结构以及朝向相同。

公开(公告)号：CN101539586A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200810166473.3

申请日：2008-10-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥村美香 ,  堀川牧夫 ,  佐藤公敏 ,  山口靖雄

IPC: G01P15/00 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00182 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及元件晶片和元件晶片的制造方法。本发明的目的在于提供一种元件晶片的制造方法，该方法能够抑制裂隙对在半导体晶片上层叠的膜的用于形成元件的部位的损伤。在半导体晶片(21)上的第一绝缘膜(22)和第二绝缘膜(27)上设置凹部(10)。第一绝缘膜(22)和第二绝缘膜(27)被加工，在半导体晶片(21)上的用于形成加速度传感器(20)的主要区域(6)上设置布线(26)。进一步在布线(26)上层叠牺牲膜(24)和导电性膜(25)，这些膜被加工，在主要区域(6)设置多个薄膜结构体(28)。凹部(10)包围主要区域(6)。

公开(公告)号：CN113899488A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202110747897.4

申请日：2021-07-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤公敏

IPC: G01L9/04 ,  G01L9/00

Abstract: 本发明的目的在于提供能够高精度地对微小的压力进行检测的半导体压力传感器及其制造方法。本发明涉及的半导体压力传感器具有：第1硅基板(1)；第1氧化硅膜(2)，其设置于第1硅基板(1)之上，与第1硅基板(1)一起构成密闭空间(3)；第2硅基板(4)，其设置于第1氧化硅膜(2)之上；应变电阻(11)，其设置于第2硅基板(4)的与设置有第1氧化硅膜(2)的面相对的面的表层，且位于俯视观察时与密闭空间(3)重叠的位置；第1电极(7)，其与应变电阻(11)的一端电连接；以及第2电极(7)，其与应变电阻的另一端电连接。

公开(公告)号：CN107449538B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201710403836.X

申请日：2017-06-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤公敏

IPC: G01L9/00

Abstract: 提供无需用于应力控制的热处理、且可靠性高的半导体压力传感器。半导体压力传感器(100A)具有：固定电极(18)，其位于半导体基板(11)的主面；以及隔膜(61)，其在半导体基板(11)的厚度方向上经由空隙(51)而至少在与固定电极(18)相对的位置处在厚度方向上是可动的。隔膜(61)具有：可动电极(39)；第1绝缘膜(39d)，其位于可动电极(39)的空隙(51)侧；第2绝缘膜(58)，其位于可动电极(39)的与空隙(51)相反侧，膜种类与第1绝缘膜(39d)相同；以及屏蔽膜(59)，其与可动电极(39)一起夹着第2绝缘膜(58)。

公开(公告)号：CN104766824B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201510009432.3

申请日：2015-01-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤公敏

IPC: H01L21/8238 ,  G01L1/14

CPC classification number: B81C1/00166 ,  B81C1/00182

Abstract: 本发明得到一种能够容易地制造的半导体装置的制造方法。在半导体衬底(11)上同时形成第1阱区域(14)和作为固定电极的第2阱区域(12)。在第1以及第2阱区域上同时分别形成第1栅极绝缘膜(22a)和固定电极保护膜(22b)。在第1栅极绝缘膜(22a)和固定电极保护膜(22b)上同时分别形成浮动栅极电极(23)和牺牲膜(23b)。在浮动栅极电极(23)和牺牲膜(23b)上同时分别形成第2栅极绝缘膜(25a、27a)和可动电极保护膜(25b、27b)。在第2栅极绝缘膜(25a、27a)和可动电极保护膜(25b、27b)上同时分别形成栅极电极(30c)和可动电极(30d)。将牺牲膜(23b)去除而形成空隙(50)，并将空隙(50)真空封装而形成真空室(51)。

公开(公告)号：CN101846563B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910221046.5

申请日：2009-11-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤公敏

IPC: G01L1/22 ,  G01L9/04

CPC classification number: G01L9/0055 ,  G01L9/0042

Abstract: 本发明涉及半导体压力传感器及其制造方法。在硅基板(1)的第一主表面上形成由多晶硅膜(55)构成的膜片(5)，在该膜片(5)的上表面形成有4个应变计电阻(7)。在硅基板(1)形成有使膜片(5)的背面露出的贯通孔(30)。在膜片(5)和硅基板(1)之间，用于将膜片(5)安设到硅基板(1)的锚定部(20)，以从周向包围贯通孔(30)的第一主表面侧的开口端的方式形成。由此，能够得到具备厚度薄、且其厚度的不均少的膜片的半导体压力传感器。

公开(公告)号：CN113899488B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202110747897.4

申请日：2021-07-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤公敏

IPC: G01L9/04 ,  G01L9/00

Abstract: 本发明的目的在于提供能够高精度地对微小的压力进行检测的半导体压力传感器及其制造方法。本发明涉及的半导体压力传感器具有：第1硅基板(1)；第1氧化硅膜(2)，其设置于第1硅基板(1)之上，与第1硅基板(1)一起构成密闭空间(3)；第2硅基板(4)，其设置于第1氧化硅膜(2)之上；应变电阻(11)，其设置于第2硅基板(4)的与设置有第1氧化硅膜(2)的面相对的面的表层，且位于俯视观察时与密闭空间(3)重叠的位置；第1电极(7)，其与应变电阻(11)的一端电连接；以及第2电极(7)，其与应变电阻的另一端电连接。

公开(公告)号：CN113465809A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110320505.6

申请日：2021-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤公敏

IPC: G01L9/00 ,  G01L9/06

Abstract: 得到一种能够降低制造成本的半导体压力传感器及其制造方法。绝缘膜(2)设置于第1半导体基板(1)之上，该绝缘膜(2)具有主开口(3)、导入开口(4)及将主开口(3)与导入开口(4)连接的传递开口(5)。第2半导体基板(6)经由绝缘膜(2)与第1半导体基板(1)接合，该第2半导体基板(6)具有在主开口(3)上方设置的隔膜(7)和与导入开口(4)连结的受压用压力导入口(8)。在隔膜(7)设置有将隔膜(7)的变形量转换为电气特性的变化的计量电阻(9)。