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公开(公告)号：CN113937126A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111203147.7
申请日：2021-10-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Micro‑LED芯片键合技术的车载透明显示器件，其特征在于，包括透明基板，若干列电极，带镂空孔阵列的透明介质层，行电极、Micro‑LED芯片和控制模块；所述列电极平行设置于所述透明基板表面，所述透明介质层设置于所述列电极阵列表面，所示行电极平行设置于所述介质层表面，与所述列电极绝缘且垂直交错；所述镂空阵列设置在行电极与列电极之间；所述镂空孔中还设有金属Pad1和金属Pad2；所述Micro‑LED芯片的阴极键合在暴露镂空处的金属Pad1上，所述Micro‑LED芯片的阳极键合在暴露镂空处的金属Pad2上；所述控制模块与行电级和列电级分别连接。本发明Micro‑LED显示尺寸小，分辨率、对比度和亮度高，应用于车载显示可有效地提高驾驶的安全性和方便程度。
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公开(公告)号：CN112436096B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202011138393.4
申请日：2020-10-22
Abstract: 本发明涉及一种用于光提取的随机纳米图案制备方法。所述随机皱褶图案的制备主要通过软印刷复制方法实现，采用原子层沉积方法生长多晶态氧化物薄膜，并以结晶颗粒为掩膜进行表面刻蚀，形成高低起伏的表面，然后配制软印刷复制材料PDMS对其表面进行压印，形成随机褶皱图案。通过改变生长条件调节结晶颗粒的分布及尺寸，从而调控随机皱褶团案的高低起伏情况，形成不同的微结构并应用于光电器件的光效提升。本发明结构简单、制作方法工艺简单、操作简便、成本低，且能大大提高光电器件的外量子点效率，效果显著。
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公开(公告)号：CN110676250B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910982161.8
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种无电学接触无巨量转移的全彩化μLED显示器件。包括设置于下透明基板表面的下驱动电极，设置于上透明基板上、下表面的光学微结构和上驱动电极，连接所述上、下透明基板的障壁微结构，设置障壁微结构内的μLED晶粒、波长下转换发光层和绝缘层以及控制模块；障壁微结构沿上驱动电极的方向依次构成红光显示的R单元，绿光显示的G单元及蓝光显示的B单元。本发明上、下驱动电极与μLED晶粒没有电学接触，通过控制模块提供交变驱动信号和电学耦合实现对μLED晶粒点亮，激发波长下转换发光层而实现全彩化显示，可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺，及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺，缩短μLED显示制作周期，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN112436096A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011138393.4
申请日：2020-10-22
Abstract: 本发明涉及一种用于光提取的随机纳米图案制备方法。所述随机皱褶图案的制备主要通过软印刷复制方法实现，采用原子层沉积方法生长多晶态氧化物薄膜，并以结晶颗粒为掩膜进行表面刻蚀，形成高低起伏的表面，然后配制软印刷复制材料PDMS对其表面进行压印，形成随机褶皱图案。通过改变生长条件调节结晶颗粒的分布及尺寸，从而调控随机皱褶团案的高低起伏情况，形成不同的微结构并应用于光电器件的光效提升。本发明结构简单、制作方法工艺简单、操作简便、成本低，且能大大提高光电器件的外量子点效率，效果显著。
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公开(公告)号：CN111834390A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535701.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834388A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535463.3
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片，其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构，具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时，其μLED是发光单元；多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元，它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成，从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合，规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度，提高了集成度、良率、可靠性。
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公开(公告)号：CN111146367A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010062209.6
申请日：2020-01-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种微纳复合结构光提取膜的制备方法，包括步骤：步骤S1：采用软印刷方法制备具有有序微米结构的PDMS模板；步骤S2：将有序微米结构的PDMS模板进行拉伸，并进行等离子处理，在微米结构的PDMS模板上获得不同形状和尺寸的纳米图案，形成具有与所需微纳米复合结构相反的PDMS微纳米复合图案；步骤S3：将PDMS微纳米复合图案转移到所需聚合物上，得到光提取膜。本发明制作效率高，成本低，同时制备的光提取膜在有序微米结构图案嵌套无序纳米结构，可以避免器件衬底与空气界面的光损失，在不改变OLED器件的视角特性的同时，具有较强的光提取效果。
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公开(公告)号：CN111146364A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010070974.2
申请日：2020-01-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种提高发光器件出光效率的微纳复合结构的制备方法，首先通过加热具有不同的热膨胀系数的聚合物和衬底，使其产生不同程度的受热膨胀；然后利用原子层沉积方法，在聚合物表面一层的孔洞内部填充无机材料，降温过程中，聚合物收缩导致表面一层凸起，形成微纳米褶皱图案；最后将微纳复合结构用于发光显示器件，改变发光显示器件的光线传播路径，提高器件出光效率。
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公开(公告)号：CN107895543B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201711207548.3
申请日：2017-11-27
Applicant: 福州大学
IPC: G09F9/33 , G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明属于新型半导体显示领域，尤其涉及一种高度集成半导体显示系统，将显示系统分为M×N个显示单元（M、N为自然数），每个显示单元包括显示模块、图像获取与处理模块、传感器模块、光学模块、交互控制模块、监控模块和驱动模块等模块中的一个或多个的集合。结合芯片工艺、MEMS工艺和其他微纳米加工工艺，将Micro‑LED器件与集成电路芯片、光电传感器等器件有机结合在一起，提高器件的集成度和新型化程度。同时，本发明提出将超高密度显示的Micro‑LED器件与高精度三维图像采集技术、触觉感知和输入技术、光学技术、信号集成技术等结合起来，实现一种具有真三维空间显示、增强现实和虚拟现实的高度集成半导体显示系统。
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公开(公告)号：CN109256456A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811093873.6
申请日：2018-09-19
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/48 , H01L33/46 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种实现Micro-LED显示出光效率提升和窜扰降低的微结构及其制造方法，包括衬底、透明基板、LED芯片阵列、微透镜阵列、倒梯形微结构阵列、以及封框体；其中倒梯形微结构与LED芯片一一对准并封装在一起；倒梯形微结构的顶部为分布式布拉格反射层，外周侧为反射层，内部填充有量子点发光层；微透镜与倒梯形微结构一一对应，并与微结构粘在一起成为一个整体。本发明不仅可利用蓝色LED芯片激发红色/绿色量子点层而转换为红光/绿光，实现Micro-LED显示的色彩转换；同时，利用微结构中的分布式布拉格反射层，提高Micro-LED显示的出光效率，还可利用微结构中的反射层和微透镜阵列提高垂直方向的出光效率，防止相邻像素的出光干扰，实现光效提取和窜扰降低的Micro-LED显示。
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