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公开(公告)号：CN117255599A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311087304.1
申请日：2023-08-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超高外量子效率的PIN型红外光电探测器的制备方法，通过调控钙钛矿前驱体溶液中SnI2和PbI2的比例，引入阶梯温度差的方法实现铅锡合金钙钛矿的不同元素比例的铅锡分布，从而控制钙钛矿材料的带隙渐变实现带隙间的多激子效应，最终使得光电探测器获得超高外量子效率；包括以下步骤：S1、对导电基底做紫外臭氧处理，再采用旋涂的方法制备PEDOT空穴传输层，并进行退火处理；S2、将钙钛矿前驱体溶液采用阶梯温度差的方法旋涂于步骤S1所得上，并进行退火处理，制备出钙钛矿层；S3、采用旋涂法在步骤S2所得上制备电子传输层和缓冲层；S4、在缓冲层上利用热蒸镀法制备金属电极，得到所述超高外量子效率的PIN型钙钛矿红外光电探测器。
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公开(公告)号：CN115988885A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211556308.5
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种兼具铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件，包含栅电极、栅绝缘层、铁电极化层、电荷捕获层、有机半导体层、源电极、漏电极，所述栅绝缘层位于栅极的正上方，所述铁电极化层位于栅绝缘层的正上方，所述电荷捕获层位于铁电极化层的正上方，所述有机半导体层位于电荷捕获层的正上方，所述源电极、漏电极位于有机半导体层的正上方。本发明的神经形态器件通过添加铁电极化层和电荷捕获层，使得器件同时具备铁电极化效应及电荷捕获效应，且电学性能稳定，制备成本低，因此，这种同时具有铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件有望在集成多功能器件方面得到推广应用。
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公开(公告)号：CN115768135A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211506888.7
申请日：2022-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于电荷捕获材料的电解质栅控神经形态器件及其制备方法，所述神经形态器件包括底栅、栅绝缘层、电解质层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅、源漏电极。本发明通过电学性质测试，可判定器件存在电荷捕获效应和电双层效应两种电荷机理。而且，器件采用水平栅+底栅的双栅极结构，可以通过改变连接栅极，来调控两种电荷机理的主导作用。
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公开(公告)号：CN115623798A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211298999.3
申请日：2022-10-24
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H10K30/50 , H10K30/81 , H10K71/12 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0687 , H01L31/0725
Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种绒面平滑处理的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制备方法。该叠层太阳电池自下至上分别为具有平滑绒面结构的硅底电池、载流子复合层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、透明导电层、金属电极层、减反射膜。本发明的绒面平滑处理可使金字塔的顶部和底部变得圆滑，同时降低金字塔绒面的表面粗糙度，从而有利于均匀连续、保形的钙钛矿薄膜沉积，降低了高质量钙钛矿层的制备难度。该平滑处理的方法与异质结(HJT)电池产线兼容，便于钙钛矿/硅叠层太阳电池的制备与推广。
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公开(公告)号：CN113155344B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110098482.9
申请日：2021-01-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有触觉信息感知功能的柔性电子皮肤器件，包括设置有多个平面电极的第一基板；设置有多个平面电极的第二基板，且第一基板上平面电极的数量与第二基板上平面电极的数量比为1：3；置于第一基板和第二基板之间的介电层，介电层为一种柔弹性介电物质；温敏薄膜电阻，具有弹性，覆盖于第一基板上方，作为柔性电子皮肤器件与环境互动时的接触层，第二基板上的任一平面电极在与第一基板上与之相对的三个平面电极部分重叠，将形成一个单元组，且单元组包含三个呈“品”字形分布的电容，柔性电子皮肤器件能够检测接触面受力大小及方向，受力位置，感知接触物体或环境的温度，判断表面接触物体是否发生滑移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113031690B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110269161.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路，包括一阶MOS带隙基准电路、高温区域补偿电路、低温区域补偿电路以及启动电路。本发明采用工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压产生负温度系数的电压VCTAT，两个工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压之差产生正温度系数的电压VPTAT，而后加权获得一阶带隙基准电压，将高温区域温度曲率补偿电压VNL1、VNL2以及低温区域温度分段补偿电压VNL3、VNL4引入到一阶MOS带隙基准电路，获得低温度系数的带隙基准电压，从而获得了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN111146515B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201911338629.6
申请日：2019-12-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M10/42
Abstract: 本发明公开了一种基于二极管实现的芯片级联电路，设置在锂电池保护芯片内，包括电压控制电路、模拟器件模块与反相器模块，电压控制电路连接模拟器件模块，模拟器件模块连接反相器模块，所述电压控制电路和模拟器件模块上皆形成有锂电池保护芯片的外部端口，所述反相器模块上形成有锂电池保护芯片的内部端口；锂电池保护芯片的设计之初，加入级联功能模块（芯片级联电路），可以在提高锂电池保护芯片利用率的同时，增强锂电池保护芯片的可用性。
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公开(公告)号：CN109273599B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810952144.5
申请日：2018-08-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造柔性光电探测器的方法，其将柔性光电探测器和和蓝光LED阵列集成，获得基于三基团Cs5FA79MA16PbI2.5Br0.5钙钛矿材料的柔性光电探测器，其响应速度和探测率及稳定性都实现提高，并且可以实现对NO2气体含量的微弱、一般、严重超标三个档的定量监测。本发明实施例的制造方法简单操作，成本较低，可重复性好，适合大规模生产化的需要。
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公开(公告)号：CN109273599A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810952144.5
申请日：2018-08-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造柔性光电探测器的方法，其将柔性光电探测器和和蓝光LED阵列集成，获得基于三基团Cs5FA79MA16PbI2.5Br0.5钙钛矿材料的柔性光电探测器，其响应速度和探测率及稳定性都实现提高，并且可以实现对NO2气体含量的微弱、一般、严重超标三个档的定量监测。本发明实施例的制造方法简单操作，成本较低，可重复性好，适合大规模生产化的需要。
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公开(公告)号：CN105098080A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510503651.7
申请日：2015-08-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , H01L21/324
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01L21/324 , H01L51/44
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造有机无机钙钛矿晶体薄膜的方法，包括：清洗柔性衬底；在柔性衬底上形成有机无机钙钛矿薄膜；在N,N-二甲基甲酰胺或者二甲基亚砜蒸汽气氛下对该有机无机钙钛矿薄膜进行退火处理。本发明的这些实施例中，在DMF或DMSO蒸汽气氛下进行退火处理，在这种溶剂热退火过程中，可以使小晶粒不断萎缩，而相对较大的晶粒不断长大，使得有机无机钙钛矿晶体薄膜的晶粒平均尺寸不断增加，并且可以得到更多[220]晶向的晶粒，因此可以延长其载流子寿命，促进晶粒的生长，使晶粒尺寸更大，减少晶界复合，从而提高有机无机钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。
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