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公开(公告)号:CN113031690A
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN202110269161.0
申请日:2021-03-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路,包括一阶MOS带隙基准电路、高温区域补偿电路、低温区域补偿电路以及启动电路。本发明采用工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压产生负温度系数的电压VCTAT,两个工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压之差产生正温度系数的电压VPTAT,而后加权获得一阶带隙基准电压,将高温区域温度曲率补偿电压VNL1、VNL2以及低温区域温度分段补偿电压VNL3、VNL4引入到一阶MOS带隙基准电路,获得低温度系数的带隙基准电压,从而获得了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路。
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公开(公告)号:CN113031690B
公开(公告)日:2022-01-18
申请号:CN202110269161.0
申请日:2021-03-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路,包括一阶MOS带隙基准电路、高温区域补偿电路、低温区域补偿电路以及启动电路。本发明采用工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压产生负温度系数的电压VCTAT,两个工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压之差产生正温度系数的电压VPTAT,而后加权获得一阶带隙基准电压,将高温区域温度曲率补偿电压VNL1、VNL2以及低温区域温度分段补偿电压VNL3、VNL4引入到一阶MOS带隙基准电路,获得低温度系数的带隙基准电压,从而获得了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路。
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公开(公告)号:CN112953220A
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN202110146563.1
申请日:2021-02-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明公开了带有电流检测和控制的DC‑DC转换器,包括驱动控制和PWM发生模块、DC‑DC基础电路,还设置有电流比较反馈模块及电压比较反馈模块,所述电压比较反馈模块分别连接驱动控制和PWM发生模块、DC‑DC基础电路,用于调节稳定电压输出大小;所述电流比较反馈模块分别连接驱动控制和PWM发生模块、DC‑DC基础电路,用于检测电容纹波,稳定纹波输出,通过将DC‑DC转换器输出电容两端的电压纹波转换为电流,再对电流进行比较,将得到的输出信号传入驱动控制模块,控制输出PWM信号的占空比,进而达到稳定输出的目的。
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公开(公告)号:CN112953220B
公开(公告)日:2022-12-30
申请号:CN202110146563.1
申请日:2021-02-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明公开了带有电流检测和控制的DC‑DC转换器,包括驱动控制和PWM发生模块、DC‑DC基础电路,还设置有电流比较反馈模块及电压比较反馈模块,所述电压比较反馈模块分别连接驱动控制和PWM发生模块、DC‑DC基础电路,用于调节稳定电压输出大小;所述电流比较反馈模块分别连接驱动控制和PWM发生模块、DC‑DC基础电路,用于检测电容纹波,稳定纹波输出,通过将DC‑DC转换器输出电容两端的电压纹波转换为电流,再对电流进行比较,将得到的输出信号传入驱动控制模块,控制输出PWM信号的占空比,进而达到稳定输出的目的。
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