公开(公告)号：CN113098467A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110225825.3

申请日：2021-03-01

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李世彬 ,  黄志茗 ,  蒲熙 ,  庞统猛

IPC: H03K17/30

Abstract: 本发明公开了一种降低泄漏功率的多阈值CMOS电路，包括逻辑电路、NMOS/PMOS管并联电路，所述逻辑电路接入NMOS/PMOS管并联电路，在NMOS/PMOS管并联电路上形成Sleep端口及Bias端口，其不需要任何复杂的控制电路，设计和实现简单，使漏电功率和与数字功率门控电路相关的噪声最小化。

公开(公告)号：CN113098467B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202110225825.3

申请日：2021-03-01

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李世彬 ,  黄志茗 ,  蒲熙 ,  庞统猛

IPC: H03K17/30

Abstract: 本发明公开了一种降低泄漏功率的多阈值CMOS电路，包括逻辑电路、NMOS/PMOS管并联电路，所述逻辑电路接入NMOS/PMOS管并联电路，在NMOS/PMOS管并联电路上形成Sleep端口及Bias端口，其不需要任何复杂的控制电路，设计和实现简单，使漏电功率和与数字功率门控电路相关的噪声最小化。

公开(公告)号：CN113031690B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110269161.0

申请日：2021-03-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李世彬 ,  庞统猛 ,  蒲煕 ,  黄志茗

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路，包括一阶MOS带隙基准电路、高温区域补偿电路、低温区域补偿电路以及启动电路。本发明采用工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压产生负温度系数的电压VCTAT，两个工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压之差产生正温度系数的电压VPTAT，而后加权获得一阶带隙基准电压，将高温区域温度曲率补偿电压VNL1、VNL2以及低温区域温度分段补偿电压VNL3、VNL4引入到一阶MOS带隙基准电路，获得低温度系数的带隙基准电压，从而获得了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路。

公开(公告)号：CN113031690A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110269161.0

申请日：2021-03-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李世彬 ,  庞统猛 ,  蒲煕 ,  黄志茗

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路，包括一阶MOS带隙基准电路、高温区域补偿电路、低温区域补偿电路以及启动电路。本发明采用工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压产生负温度系数的电压VCTAT，两个工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压之差产生正温度系数的电压VPTAT，而后加权获得一阶带隙基准电压，将高温区域温度曲率补偿电压VNL1、VNL2以及低温区域温度分段补偿电压VNL3、VNL4引入到一阶MOS带隙基准电路，获得低温度系数的带隙基准电压，从而获得了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路。

公开(公告)号：CN112909119A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110103334.1

申请日：2021-01-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李世彬 ,  黄志茗 ,  张婷 ,  郝运晗

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0264 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种室温下长波柔性红外探测器及其制备方法，基于Ti2O3材料的室温下长波柔性红外探测器响应度和响应速度均得以提高，并实现了室温下对长波红外波段光的探测。包括：室温下长波柔性红外探测器制备：获取柔性基底材料(PET、PEN)；在柔性基底材料上热蒸发制备叉指Au电极层；在叉指Au电极层上用微机械剥离法制备石墨烯半导体层(单层石墨烯层)；在单层石墨烯层上旋涂Ti2O3光敏层。该室温下长波柔性红外探测器实现了对4.5‑10μm长波红外光的探测，其中，Ti2O3与石墨烯形成半导体异质结，实现长波红外探测器的室温工作机制，提高了响应度和响应速度等指标。