-
公开(公告)号：CN113437038A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010209711.5
申请日：2020-03-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及一种针脚、功率器件、功率器件的制造方法和封装模具。其中，针脚包括顺序排列的第一节、第二节和第三节，其中第二节由旋转体构成，旋转体的旋转曲面上的点到旋转体的旋转轴的距离在轴向方向上递增或递减，第一节由第一柱状体构成，第一柱状体的底面与第二节的面积小的底面相连，且第一柱状体的横截面积小于或等于旋转体的面积小的底面的面积。针脚在处于中间部位的第二节构造成旋转体，使得针脚可以通过该旋转体与封装模具的避让孔的内表面进行密封接触，在这种情况下即使已有的圆形避让孔的实际尺寸大于设计尺寸，该针脚也可以防止塑封材料在功率器件的封装过程中通过避让孔从封装模具中溢出。
-
公开(公告)号：CN113224136A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010064134.5
申请日：2020-01-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L21/331 , G03F1/00
Abstract: 本发明涉及一种IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版。IGBT芯片包括元胞，元胞包括集电区、漂移区、阱基区、发射区、集电极结构和发射极结构。阱基区和发射区二者的组合呈现为正六棱柱形，发射区包括三个皆为正三角形的子发射区，三个子发射区在阱基区的中心线上相交并在阱基区内以该中心线为中心排列成等距圆形阵列，每个子发射区自阱基区的上表面朝向其下表面延伸。该IGBT芯片可以在保持其六边形元胞的电流密度相对较大、导通压降相对较小的情况下，提高其元胞的抗闩锁能力和抗短路能力。
-
公开(公告)号：CN113140612A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010055038.4
申请日：2020-01-17
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法，该终端结构包括：N型碳化硅衬底；形成于N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区以及第二JTE区，第一JTE区与第二JTE区不同层设置；形成于N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，第一JTE区或者第二JTE区与介质钝化层接触。上述终端结构中第一JTE区与第二JTE区位于不同层，第一JTE区与第二JTE区中的一个与介质钝化层接触，减小了JTE区与介质钝化层之间的接触面积，可降低介质钝化层界面电荷对JTE终端耐压的影响。
-
公开(公告)号：CN112768516A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911002053.6
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的终端结构及其制造方法，一种半导体器件的终端结构，包括：半导体衬底层、沟槽和离子掺杂层；多个沟槽沿预设方向开设在所述半导体衬底层上表面，多个所述沟槽的尺寸沿所述预设方向逐渐增大；离子掺杂层通过离子注入在所述半导体衬底层形成，所述离子掺杂层包围所述沟槽。本发明在沟槽刻蚀阶段对沟槽结构进行改进，通过沟槽刻蚀尺寸来影响刻蚀深度情况，实现终端结构的变掺杂，无需对终端离子注入工艺进行调整，避免了离子断开，不能实现渐变，引起器件漏电的问题。
-
公开(公告)号：CN112768504A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911069443.5
申请日：2019-11-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/331
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件，其中，功率半导体器件的终端结构包括：衬底和位于衬底上的外延层；位于外延层内的耐压环、位于外延层内且位于耐压环外围的截止环、依次设置于耐压环和截止环上的介质层、金属层和钝化层，耐压环、截止环、介质层、金属层和钝化层形成耐压终端结构；其中，截止环的外侧设有划片槽，截止环与划片槽之间的部位设有凹陷，钝化层伸入凹陷内以包覆截止环和金属层。本申请公开的功率半导体结构的终端结构，保证了器件的可靠性，能够进一步降低器件的漏电水平，有效降低器件损耗。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112768446A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910998781.0
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/8258
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种集成芯片及其制备方法，该集成芯片，包括：晶圆层，晶圆层包括第一单晶硅层、第二单晶硅层以及中间的二氧化硅介质层，第一单晶硅层形成有第一芯片；还包括依次形成于第一单晶硅层上的第一介质层、第一金属部，第一金属部与对应的第一芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；还包括依次形成于第二单晶硅层上的第二芯片器件层、第二介质层、第二金属部，第二芯片器件层形成第二芯片，第二金属部与对应的第二芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；第二金属部通过过孔与对应的第一金属部电性连接。该集成芯片将相同或不同的多个芯片集成于晶圆的两侧，简化了芯片之间的连接且体积小。
-
公开(公告)号：CN112713186A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911019123.9
申请日：2019-10-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种半导体终端结构及其制备方法，所述制备方法包括：在衬底层上生长出外延层；在外延层上生长出具有预设厚度的第一氧化层；刻蚀第一氧化层，以形成沿预设方向呈台阶状分布的多个结终端注入口；通过各结终端注入口注入离子，以在外延层形成多个沿预设方向间隔分布且浓度递减的结终端拓展结构。通过刻蚀第一氧化层，能够形成沿预设方向呈台阶状分布的多个结终端注入口，由于各结终端注入口呈高度依次增大的台阶状分布，使得各结终端注入口在第一氧化层上的深度不同，注入的离子从不同深度的结终端注入口扩散到外延层的深度依次减小，因此形成不同的浓度梯度递进变化的结终端拓展结构，浓度梯度的渐变效果好。
-
公开(公告)号：CN112701158A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201911006756.6
申请日：2019-10-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及电子领域，公开一种功率器件及电子设备，包括：衬底；形成于衬底的器件层，器件层包括开通二极管、关断二极管以及多晶电阻，开通二极管和关断二极管均包括阴极、阳极和N阱，多晶电阻包括开通电阻和关断电阻；形成于器件层背离衬底一侧的金属层，金属层包括第一金属引出部、第一连接区、第二连接区、第二金属引出部；第一金属引出部与开通二极管的阴极以及关断二极管的阳极电连接；第一连接区用于连接开通二极管的阳极和开通电阻；第二连接区用于连接关断二极管的阴极和关断电阻；第二金属引出部用于连接开通电阻和关断电阻，通过简单的电路，整合栅极开通电阻和关断电阻回路到IGBT的器件芯片中，简化了系统级电路的设计。
-
公开(公告)号：CN111504477B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010374872.X
申请日：2020-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: G01J5/12
Abstract: 本发明公开了一种红外温度传感器及其制造方法、温度检测设备，红外温度传感器包括：衬底、位于所述衬底一侧上的红外温度传感单元，其用于采集被测对象的温度信号；位于所述衬底的背离所述红外温度传感单元的另一侧上的信号处理单元，其与所述红外温度传感单元信号连接，用于对所述温度信号进行处理，以得到所述被测对象的温度信息。本发明实现了自身采集温度信号，并对温度信号进行计算、校正和转换等处理后得到温度信息，避免了后期应用时需适配专用的外部信号处理器，提高了红外温度传感器的实用性，同时减小了后期应用红外温度传感器多的温度检测设备的体积。
-
公开(公告)号：CN112530888A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910877701.6
申请日：2019-09-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L21/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制造方法，涉及电子设备领域。包括：封装外壳、功率电子器件以及软质导热部，功率电子器件设置于封装外壳内部，封装外壳具有安装面，安装面设有镂空区，镂空区连通至功率电子器件，软质导热部，设置于镂空区内且与功率电子器件接触。本发明提供的功率模块，在功率模块在于散热器安装时，功率电子器件通过软质导热部与散热器接触。由于软质导热部具有软质和导热的功能，在与散热器接触时，即便散热器的表面存在凸起或异物，也可通过其自身的形变，使凸起或异物嵌进软质导热部，而不会发生碎裂的情况，更不会对功率电子器件造成影响。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
197
records
(took 0.056 seconds)
