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公开(公告)号：CN110174175B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201910250570.9
申请日：2017-09-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器，包括双层非制冷红外探测器，双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体，探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构，所述超材料结构采用NiCr或/和Al，其厚度在12～30nm之间；制备工艺简单，能与CMOS工艺兼容，且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。
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公开(公告)号：CN110534446A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910849806.0
申请日：2019-09-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆级封装测试的方法，会先在窗口晶圆朝向芯片一侧表面设置划片道，并在将窗口晶圆与芯片晶圆键合之前，会在窗口晶圆划片道的底面设置第一保护层。在划片时，会从窗口晶圆背向芯片晶圆一侧表面沿划片道进行划片，以至暴露第一保护层，此时在划片时，由于第一保护层的存在，可以防止划片时产生的废渣飞溅至芯片晶圆对芯片晶圆表面结构造成破坏；之后再去除保护层，即可暴露性能测试区，并通过该性能测试区对芯片晶圆中的芯片进行测试。
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公开(公告)号：CN110186574A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910251900.6
申请日：2017-09-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器，包括双层非制冷红外探测器，双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体，探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构，所述超材料结构采用NiCr或/和Al，其厚度在12～30nm之间，制备工艺简单，能与CMOS工艺兼容，且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。
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公开(公告)号：CN110092344A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910405920.4
申请日：2019-05-16
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS释放架，包括释放托盘及释放盖板；所述释放托盘包括安置区域，所述安置区域用于放置待释放MEMS组件；所述释放盖板的表面均匀分布有多个通孔；所述释放盖板通过支撑件设置在所述释放托盘上方，与所述释放托盘形成腔体，且所述腔体具有等离子体扩散通道。本申请在现有技术中的释放托盘上增设带孔的释放盖板，避免了等离子体直接冲击所述待释放MEMS组件，保护了晶圆的完整性；同时，所述释放盖板上均匀分布通孔，使所述等离子体尽可能均匀地与所述待释放MEMS组件接触，最终提高了成品的良率，此外，本申请改动小，成本低，易于大规模使用。本申请还提供了一种具有上述有益效果的释放机台及MEMS组件释放的方法。
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公开(公告)号：CN109824008A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910126342.0
申请日：2019-02-20
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非制冷红外焦平面探测器，包括基底层；位于所述基底层上表面的支撑层；位于所述支撑层背离所述基底层的表面的功能层，且所述功能层中的图形化热敏层的侧壁与所述功能层中的图形化电极层不接触；位于所述功能层背离所述支撑层的表面的钝化层。本申请中非制冷红外焦平面探测器，包括依次叠加的基底层、支撑层、功能层和钝化层，功能层中图形化热敏层的侧壁与功能层中的图形化电极层之间不产生接触，从而避免图形化热敏层两端接触孔直接相连造成图形化热敏层短路，提高非制冷红外焦平面探测器的良率和性能。此外，本申请还提供一种具有上述优点的非制冷红外焦平面探测器制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068780B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710253069.9
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01J5/10
Abstract: 本发明涉及一种氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器，其支撑层的中部设有氧化钛薄膜，氧化钛薄膜为半导体，其连接金属及支撑层的两侧设有与氧化钛薄膜处于同一层的钛薄膜，所述钛薄膜上设有第一保护层，氧化钛薄膜和第一保护层上设有第二保护层，还涉及上述探测器的制备方法，包括在支撑层上依次沉积钛薄膜和第一保护层的步骤，去除中部上的第一保护层薄膜，对中部上露出的钛薄膜进行氧化，形成氧化钛薄膜，作为热敏层薄膜的步骤，在支撑层上直接沉积钛薄膜，并对中部区域的钛薄膜进行氧化处理，使之转变为氧化钛薄膜，作为热敏层薄膜，不需要单独沉积金属电极层的工艺，能大幅简化工艺步骤，提高产能。
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公开(公告)号：CN107063473B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710253080.5
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种离子注入制备电极的曲面焦平面探测器，所述探测器为曲面，其曲率半径不小于3mm，其厚度不超过50μm，且其电极层和热敏层均为氧化钛薄膜，平坦度较高，且能够适用大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像；还涉及上述探测器的制备方法，在支撑层上制备氧化钛薄膜，用光阻覆盖桥面区域的氧化钛薄膜，对桥腿处的氧化钛薄膜进行离子注入，桥面区域的氧化钛薄膜为半导体氧化钛薄膜，相当于热敏层；桥腿区域的氧化钛薄膜为导体氧化钛薄膜；还包括对探测器减薄至50μm以内，并对其进行弯曲定型的步骤；可以始终保持光线焦点在焦平面探测器上，从而保证最大程度的成像效果，适合应用于大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像。
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公开(公告)号：CN107253696B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710434582.8
申请日：2017-06-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微测辐射热计的像元结构及其制备方法，所述参考像元的尺寸是所述有效像元尺寸的1.5～3倍，所述参考像元与所述有效像元的高度一致；在进行牺牲层的结构释放时，直接将像元结构放到去胶机中，由于参考像元的尺寸大，当有效像元的牺牲层释放完全时，参考像元的牺牲层还有部分未释放，不需要对参考像元与有效像元隔离开，能够简化工艺；另外，牺牲层采用非晶碳，能够保证参考像元与制作有效像元的工艺兼容，且能够增加参考像元结构的热导。
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公开(公告)号：CN109081301A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810902312.X
申请日：2018-08-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆切割方法，包括对晶圆进行晶圆级结构释放；在晶圆正面的边缘部键合挡板；其中，晶圆正面的中心部与挡板相分离；在挡板背向晶圆一侧表面贴附第一薄膜，并将晶圆固定于切割框架；利用激光从晶圆背面对晶圆进行隐形激光切割；在切割晶圆完成之后，对晶圆进行解键合，以分离晶圆与挡板。通过先对晶圆进行晶圆级结构释放可以有效增加结构释放的效率；在晶圆的正面键合挡板可以通过挡板有效的保护晶圆正面的MEMS结构；通过激光从晶圆的背面进行隐形激光切割可以有效减少在切割过程中硅渣的产生，同时避免从晶圆正面进行切割，从而可以有效避免在晶圆正面设置复杂的切割道等结构，减少晶圆正面MEMS结构设计的困难。
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公开(公告)号：CN106298827B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610866664.5
申请日：2016-09-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法,属于非制冷红外焦平面探测器领域技术领域。其自半导体衬底往上,依次包括三层结构,第层的桥腿结构包括金属反射层、绝缘介质层、第支撑层、第支撑层保护层、第金属电极层和第氮化硅介质层;第二层的热转换结构包括第二支撑层、第二支撑层保护层、热敏层、热敏层保护层、第二金属电极层、第二氮化硅介质层;第三层的吸收层结构包括第三支撑层、吸收层和吸收层保护层。本发明还公开了上述新型非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法。本发明的非制冷红外焦平面探测器像元,能显著提高红外辐射的吸收率,提升探测器的响应率,为制造更大阵列和更小像元的探测器打下基础。
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