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公开(公告)号：CN108964486B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201811097892.6
申请日：2018-09-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种负压断路关断型CMOS射频整流器，包括负压产生单元、电平移位单元和可断路关断射频整流单元；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入负端接负射频信号RF‑；电平移位单元的的电源极接电源VDD，电平移位单元的控制端接控制信号VCTR；负压产生单元的输出连接电平移位单元的输入端；电平移位单元的输出接可断路关断射频整流单元的输入端；可断路关断射频整流单元的输出端作为整个整流器的输出端。本发明在使能状态时具有较高的PCE，在关断状态时具有较低的POFF，电路结构简单，设计容易，版图面积小，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN108649822B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201810750358.4
申请日：2018-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器，包括1个基本差分整流单元、n‑1个使能差分整流单元和n个控制单元。本发明通过地端控制的接入，降低整流器的关断功耗，主要解决现有技术关断功耗较大的问题，并且可对本结构进行扩展级联得到的阶数可控n阶整流器，可以实现工作阶数可控功能，实现最大功率工作。本发明能够显著降低整流器的关断功耗，为多阶整流器低功耗待机提供一种参考方案。
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公开(公告)号：CN110224593B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201910542822.5
申请日：2019-06-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H02M3/156 , H03K17/284
Abstract: 本发明公开具有内阻自适应的最大功率追踪电路及DC‑DC升压电路，最大功率追踪电路采用开关延时生成电路与开关延时综合电路相结合的电路结构，开关延时生成电路将输入电容上的电压与最大功率点电压进行比较，开关延时综合电路实时根据环境能量源的内阻大小自适应生成不同长短的延时时间，以此生成携带了输入内阻大小信息的开关信号；DC‑DC升压电路利用最大功率追踪电路所生成的携带了输入内阻大小信息的开关信号S0，不仅能够保证其在输入电压的变化范围较宽时系统仍具有较高的追踪效率，追踪效率最高可达99.64％；而且能够保证其在环境能量源的内阻较大的范围内仍具备较高的能量转换效率，能量转换效率最高可达96.25％。
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公开(公告)号：CN109525239B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201910067022.2
申请日：2019-01-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明公开一种数字输出两级双精度生物医学电容传感器接口电路，由电容时间转换电路和时间数字转换电路组成。采用两级双精度振荡器产生低精度、高精度两路参考信号，对被测电容进行双精度测量，在提高电容测量精度的同时，减少测量时间；同时，可根据被测电容的大小，对外接的参考电容的电容值和外部控制的可编程分频器的分频倍数进行调整，实现非固定、宽范围、高精度的电容检测；逻辑控制单元结构，使双精度参考信号可在分频后的被测信号的一个周期内完成测量，减少测量时间；电容的变化直接转换为数字编码输出，可减少模数转换单元，方便与后续芯片级联，降低电容测量误差。
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公开(公告)号：CN106374929B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201611096658.2
申请日：2016-12-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明公开一种快速响应动态锁存比较器，包括尾开关单元、预放大输入单元、预放大复位单元、锁存输入单元、交叉耦合锁存结构单元、隔离开关单元、锁存复位单元和正反馈单元。隔离开关单元在复位阶段截止，并在锁存输入NMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的PMOS管栅电位为地GND，在锁存复位PMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的NMOS管栅电位为VDD，使得交叉耦合锁存结构在进入比较阶段时迅速建立正反馈，进而提高比较器速度。本发明能够在不增加功耗的前提下，改善了传统双尾动态锁存比较器随差分输入电压减小延时急剧增加的不足，降低了比较器延时对差分输入电压的灵敏度，提高了比较器性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106788402B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201710110278.8
申请日：2017-02-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03L7/02 , H03K17/687 , H03H11/04
Abstract: 本发明公开一种频带间隔均匀的宽带压控振荡器，由电感电容谐振电路和开关电容阵列电路组成。开关电容阵列电路包括两段线性逼近开关电容阵列和数字逻辑控制电路。采用两段线性逼近电容阵列替代传统的二进制权重电容阵列，根据控制码的变化利用数字逻辑控制电路调整两段线性逼近开关电容阵列接入谐振回路的开关电容的大小，使得各相邻频带的调谐曲线间隔趋于均匀，即可以减小各个频带调谐曲线间隔的差异性，提高均匀性，通过降低频带间隔值即降低调谐增益以实现改善频率合成器相位噪声的目的。
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公开(公告)号：CN115525092A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211304089.1
申请日：2022-10-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源，PTAT电流参考电路和CTAT电流参考电路分别产生与温度正相关的参考电流IP和与温度负相关的参考电流IN。温度补偿电路将参考电流IN和IP分别以不同倍数作和，得到温度依赖性低的初始基准电流IREF1。曲率补偿电路将参考电流IN和IP进行不同比例缩放，并根据基尔霍夫电流定律，通过两个相反温度系数电流的比较，得到一个凹型曲线的补偿电流IV。基准电压输出电路将初始基准电流IREF1和补偿电流IV按适当权重相加，得到温度依赖性更小的最终基准电流IREF，最后通过电压产生电路输出低温漂系数的基准电压VREF。本发明输出的基准电压温漂低、电源抑制比高、电压调整率低；并具有功耗和生产成本低的特点。
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公开(公告)号：CN114038492A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111332475.7
申请日：2021-11-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G11C11/41 , G11C11/413 , G11C11/416
Abstract: 本发明公开一种多相采样存内计算电路，包括时序控制模块，符号判决模块和m+1个神经元单元；每个神经元单元均由位线预充电模块、权重输入模块、存内计算模块、点乘累加转换模块和钟控灵敏放大器。通过时序控制模块控制该存内计算电路实现点乘累加运算，利用多相时钟控制钟控灵敏放大器判决位线放电状态的变化，实现在特定时钟速率下对点乘累加转换模块输出的精确判决，最终利用m+1相时钟实现在1个周期内输出m+1位宽的点乘累加运算结果。本发明通过多相采样提高点乘累加运算模数转换速度，进一步提升了计算速度。
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公开(公告)号：CN112671407A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011495280.X
申请日：2020-12-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M1/12 , H03M1/06 , H03M1/10 , H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开一种应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，采用单相时钟SP，在采样时通过第一级自举电路和辅助级自举电路将采样MOS管MS的栅极电压置为Vin+2VDD，从而使得采样MOS管MS的栅极‑源极电压差在采样阶段恒定为2VDD，采样管的导通电阻进一步变小，使线性度提高，采样开关电路的精度也有所提高；基于提出的两级自举电路，采用第六NMOS管M6和第七NMOS管M7串联作为采样MOS管MS的衬底开关，当处于采样模式时，采样MOS管MS的栅极电位与衬底电位保持一致，减小采样MOS管MS的衬偏效应，降低谐波失真。
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公开(公告)号：CN111756333A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010744303.X
申请日：2020-07-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种高低频增益可调的模拟均衡器，由2个有源负载网络、3个均衡电路和1个有源反馈电路组成；2个有源负载网络包括第一有源负载网络和第二有源负载网络；3个均衡电路包括第一低频细调均衡电路、第二低频细调均衡电路和低频粗调均衡电路。第一低频细调均衡电路和第二低频细调均衡电路的输入端形成本模拟均衡器的输入端。第一有源负载网络、第一低频细调均衡电路、第二低频细调均衡电路和有源反馈电路的输出端与低频粗调均衡电路的输入端连接；第二有源负载网络的输出端、低频粗调均衡电路的输出端和有源反馈电路的输入端形成本模拟均衡器的输出端。本发明能够提升整体均衡能力，增加了低频细调的可调范围，降低版图面积。
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