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公开(公告)号：CN113131876B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202110526514.0
申请日：2021-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明公开了一种CMOS超宽带低噪声放大器，包括输入级互补共源电路、中间级共源负反馈电路和输出级共源buffer电路。本发明创新性地在互补共源级基础上引入电阻反馈，电感峰化技术、源极退化电感技术和伪电阻结构，同时结合共源负反馈电路，共源buffer电路和电流复用技术，使得整体电路具有宽带宽的同时、达到良好的增益、噪声系数和功耗等指标。本发明能够工作在0.15～11GHz频带内，覆盖了5G中低频段范围(450MHz～6GHz)以及IMT业务在6GHz候选频段(5925～7125MHz)范围，同时也兼容UWB标准频段(3.1～10.6GHz)。
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公开(公告)号：CN119231885A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411364835.5
申请日：2024-09-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种使用双模式自校准零电流检测器的BUCK变换器，涉及到集成电路开关电源领域，所述BUCK变换器内部电路包含多个电阻、双模式自校准零电流检测器、逻辑控制模块、模式控制模块、死区控制模块；所述多个电阻、双模式自校准零电流检测器、逻辑控制模块、模式控制模块、死区控制模块之间通过BUCK变换器内部电路连接，所述双模式自校准零电流检测器内部设置有自校准模块、电阻网络，电流偏置输入IBias1和IBias2；本发明合理的设置规划从而能够实现同时兼顾设备进入节能模式时的低功耗和高精度的需求，从而大大的提高了设备的在使用过程中的续航时间。
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公开(公告)号：CN116387777A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310251472.3
申请日：2023-03-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 一种具有缺陷地结构的微带滤波器，属于微波通信技术领域，通过引入缺陷地结构，增强谐振器与输入输出微带之间的藕合，从而提升通带的回波损耗性能。本发明是由介质基板、覆于介质基板下表面的接地层以及覆于介质基板上表面的滤波层组成的三层结构，滤波层由输入结构、四模谐振器、三模谐振器以及输出结构组成。三模谐振器被输入结构和输出结构半包裹，输入结构的输入微带和输出结构的输出微带被四模谐振器半包裹。接地层包括缺陷地结构，是一对“L”型结构的槽线，两槽线呈左右对称，位于输入微带、输出微带与长开路枝节之间的藕合缝隙的正下方。本发明的有益效果是在不增加滤波器尺寸和输入输出馈电复杂度的前提下，提升了通带的回波损耗性能。
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公开(公告)号：CN116247398A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310251501.6
申请日：2023-03-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种双谐振器结构的四通带滤波器，属于微波通信技术领域，为了解决现有滤波器工作通带较少的问题。本发明由介质基板、覆于介质基板下表面的接地层、覆于介质基板上表面的滤波层组成；覆于介质基板上表面的滤波层由输入结构、“出”型谐振器、“门”型谐振器以及输出结构组成，整体呈关于纵向轴左右对称，其特征在于：输入结构由输入端口和输入微带组成；“出”型谐振器由中心开路枝节、纵向连接枝节、一对长开路枝节、一对短开路枝节组成；“门”型谐振器由一对“7”型开路枝节、一对“C”型开路枝节、横向连接枝节组成。本发明的有益效果是具有四个工作通带，同时减小了整体尺寸。
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公开(公告)号：CN106410338B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201611028586.8
申请日：2016-11-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/212
Abstract: 本发明公开一种高温超导滤波器，包括输入微带、输出微带和微带谐振器阵；所述微带谐振器阵包括2个以上相互平行排列的谐振器；每个谐振器均为插指结构和分形结构组合而成的谐振器，其中插指结构形成该谐振器的开口端，分形结构形成该谐振器的闭口端；每2个相邻的谐振器之间留有一定的间隙，且两者的闭口端和开口端的位置相互交错；输入微带与微带谐振器阵中的第一个谐振器发生激励关系，输出微带与微带谐振器阵中的最后一个谐振器发生激励关系。本发明具有具有小型化和更强二次谐波抑制的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111200361A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010138862.6
申请日：2020-03-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种自供电具有最大功率追踪双输入双输出能量收集电路，包括DC-DC升压电路、AC-DC整流倍压电路、双输出自供电电路、以及开关控制模块。对于设计的双源输入电路，对直流源电路能够实时追踪其功率输出的最大功率点，极大地提高了能量的提取效率。在交流能量源输入的回路中，采用倍压整流结构，电路无需电源进行供电。整个整流升压转换电路可以看作是两个整流转换电路的并联，一个是高效的有源变换器和一个低效率的无源变换器，后者只是在启动时工作。采用倍压结构不仅有效的提高了整流电路的效率，并且可以使得整体电路能够在更低的输入电压下启动。双源输入输出自供电有效的提高了电路的适用性。
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公开(公告)号：CN108964486A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201811097892.6
申请日：2018-09-20
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H02M7/217 , H02M1/088 , H02M7/219 , H02M2001/0054
Abstract: 本发明公开一种负压断路关断型CMOS射频整流器，包括负压产生单元、电平移位单元和可断路关断射频整流单元；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入负端接负射频信号RF‑；电平移位单元的的电源极接电源VDD，电平移位单元的控制端接控制信号VCTR；负压产生单元的输出连接电平移位单元的输入端；电平移位单元的输出接可断路关断射频整流单元的输入端；可断路关断射频整流单元的输出端作为整个整流器的输出端。本发明在使能状态时具有较高的PCE，在关断状态时具有较低的POFF，电路结构简单，设计容易，版图面积小，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN107066015B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710257347.8
申请日：2017-04-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种全共栅共源基准电压源，包括并接于电源VDD与地之间的启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路依次连接；启动电路输出端与基准电流源电路连接，用于电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点；基准电流源电路的输出端与温度补偿电路连接，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，用于产生基准电流；温度补偿电路，用于产生低温漂的基准电压，采用共源共栅电流镜，从基准电流源电路中复制电流，温度补偿电路输出电压即为该基准电压源输出电压Vref。本发明为超低功耗全cascode基准电压源，更好的抑制电源噪声。
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公开(公告)号：CN107066015A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710257347.8
申请日：2017-04-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种全共栅共源基准电压源，包括并接于电源VDD与地之间的启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路依次连接；启动电路输出端与基准电流源电路连接，用于电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点；基准电流源电路的输出端与温度补偿电路连接，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，用于产生基准电流；温度补偿电路，用于产生低温漂的基准电压，采用共源共栅电流镜，从基准电流源电路中复制电流，温度补偿电路输出电压即为该基准电压源输出电压Vref。本发明为超低功耗全cascode基准电压源，更好的抑制电源噪声。
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公开(公告)号：CN105738990A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610281035.6
申请日：2016-04-29
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: G02B5/008 , G02B6/02052 , G02B6/262
Abstract: 本发明提供一种强透射特性的等离激元波导滤波器，属于微纳光电子领域，包括光纤衬底、金属膜和电介质层，光纤衬底设置在金属膜的正下方，电介质层铺设在金属膜的上表面，金属膜上均匀排列设置有N个单位孔阵列结构，其中，每个单位孔阵列结构的中心设置有一个纳米狭缝；纳米狭缝包括一个方形孔和四个圆形孔；方形孔和四个圆形孔形成花朵形；其中两个圆形孔与方形孔两边相连接，水平设置，两个圆形孔圆心与方形孔中心在一条直线上，关于方形孔对称；另外两个圆形孔与方形孔另外两边相连接，竖直设置，两个圆形孔圆心与方形孔中心在一条直线上；每个圆形孔均与其中两个圆形孔两两相连接；纳米狭缝贯通于金属膜和电介质层的上下表面。
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