一种负压断路关断型CMOS射频整流器

    公开(公告)号:CN108964486B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN201811097892.6

    申请日:2018-09-20

    Abstract: 本发明公开一种负压断路关断型CMOS射频整流器,包括负压产生单元、电平移位单元和可断路关断射频整流单元;负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+;负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入负端接负射频信号RF‑;电平移位单元的的电源极接电源VDD,电平移位单元的控制端接控制信号VCTR;负压产生单元的输出连接电平移位单元的输入端;电平移位单元的输出接可断路关断射频整流单元的输入端;可断路关断射频整流单元的输出端作为整个整流器的输出端。本发明在使能状态时具有较高的PCE,在关断状态时具有较低的POFF,电路结构简单,设计容易,版图面积小,降低生产成本。

    一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器

    公开(公告)号:CN108649822B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN201810750358.4

    申请日:2018-07-10

    Abstract: 本发明公开一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器,包括1个基本差分整流单元、n‑1个使能差分整流单元和n个控制单元。本发明通过地端控制的接入,降低整流器的关断功耗,主要解决现有技术关断功耗较大的问题,并且可对本结构进行扩展级联得到的阶数可控n阶整流器,可以实现工作阶数可控功能,实现最大功率工作。本发明能够显著降低整流器的关断功耗,为多阶整流器低功耗待机提供一种参考方案。

    一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路

    公开(公告)号:CN109842284A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201910168006.2

    申请日:2019-03-06

    Abstract: 本发明公开一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路,包括2个多能量升压单元;每个多能量升压单元各由1个高电压钳位电路、1个低电压钳位支路和1个输出电路构成。2个高电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个低电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个输出电路各包括1个PMOS管和1个NMOS管。本发明通过对两种形式的能量进行整合,解决现有技术对单一能量要求严苛问题,降低最低启动电压。本发明使用范围广,可广泛应用在能量收集系统中,降低自启动所需求的电压值。

    一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路

    公开(公告)号:CN109842284B

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN201910168006.2

    申请日:2019-03-06

    Abstract: 本发明公开一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路,包括2个多能量升压单元;每个多能量升压单元各由1个高电压钳位电路、1个低电压钳位支路和1个输出电路构成。2个高电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个低电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个输出电路各包括1个PMOS管和1个NMOS管。本发明通过对两种形式的能量进行整合,解决现有技术对单一能量要求严苛问题,降低最低启动电压。本发明使用范围广,可广泛应用在能量收集系统中,降低自启动所需求的电压值。

    一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器

    公开(公告)号:CN108649822A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810750358.4

    申请日:2018-07-10

    Abstract: 本发明公开一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器,包括1个基本差分整流单元、n-1个使能差分整流单元和n个控制单元。本发明通过地端控制的接入,降低整流器的关断功耗,主要解决现有技术关断功耗较大的问题,并且可对本结构进行扩展级联得到的阶数可控n阶整流器,可以实现工作阶数可控功能,实现最大功率工作。本发明能够显著降低整流器的关断功耗,为多阶整流器低功耗待机提供一种参考方案。

    一种负压断路关断型CMOS射频整流器

    公开(公告)号:CN108964486A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201811097892.6

    申请日:2018-09-20

    CPC classification number: H02M7/217 H02M1/088 H02M7/219 H02M2001/0054

    Abstract: 本发明公开一种负压断路关断型CMOS射频整流器,包括负压产生单元、电平移位单元和可断路关断射频整流单元;负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+;负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入负端接负射频信号RF‑;电平移位单元的的电源极接电源VDD,电平移位单元的控制端接控制信号VCTR;负压产生单元的输出连接电平移位单元的输入端;电平移位单元的输出接可断路关断射频整流单元的输入端;可断路关断射频整流单元的输出端作为整个整流器的输出端。本发明在使能状态时具有较高的PCE,在关断状态时具有较低的POFF,电路结构简单,设计容易,版图面积小,降低生产成本。

    一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器

    公开(公告)号:CN208433920U

    公开(公告)日:2019-01-25

    申请号:CN201821086949.8

    申请日:2018-07-10

    Abstract: 本实用新型公开一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器,包括1个基本差分整流单元、n-1个使能差分整流单元和n个控制单元。本实用新型通过地端控制的接入,降低整流器的关断功耗,主要解决现有技术关断功耗较大的问题,并且可对本结构进行扩展级联得到的阶数可控n阶整流器,可以实现工作阶数可控功能,实现最大功率工作。本实用新型能够显著降低整流器的关断功耗,为多阶整流器低功耗待机提供一种参考方案。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路

    公开(公告)号:CN210297544U

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201920282203.2

    申请日:2019-03-06

    Abstract: 本实用新型公开一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路,包括2个多能量升压单元;每个多能量升压单元各由1个高电压钳位电路、1个低电压钳位支路和1个输出电路构成。2个高电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个低电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个输出电路各包括1个PMOS管和1个NMOS管。本实用新型通过对两种形式的能量进行整合,解决现有技术对单一能量要求严苛问题,降低最低启动电压。本实用新型使用范围广,可广泛应用在能量收集系统中,降低自启动所需求的电压值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种负压断路关断型CMOS射频整流器

    公开(公告)号:CN208754200U

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201821544135.4

    申请日:2018-09-20

    Abstract: 本实用新型公开一种负压断路关断型CMOS射频整流器,包括负压产生单元、电平移位单元和可断路关断射频整流单元;负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+;负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入负端接负射频信号RF-;电平移位单元的的电源极接电源VDD,电平移位单元的控制端接控制信号VCTR;负压产生单元的输出连接电平移位单元的输入端;电平移位单元的输出接可断路关断射频整流单元的输入端;可断路关断射频整流单元的输出端作为整个整流器的输出端。本实用新型在使能状态时具有较高的PCE,在关断状态时具有较低的POFF,电路结构简单,设计容易,版图面积小,降低生产成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

Patent Agency Ranking