一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源

    公开(公告)号:CN115525092B

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202211304089.1

    申请日:2022-10-24

    Abstract: 本发明公开一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源,PTAT电流参考电路和CTAT电流参考电路分别产生与温度正相关的参考电流IP和与温度负相关的参考电流IN。温度补偿电路将参考电流IN和IP分别以不同倍数作和,得到温度依赖性低的初始基准电流IREF1。曲率补偿电路将参考电流IN和IP进行不同比例缩放,并根据基尔霍夫电流定律,通过两个相反温度系数电流的比较,得到一个凹型曲线的补偿电流IV。基准电压输出电路将初始基准电流IREF1和补偿电流IV按适当权重相加,得到温度依赖性更小的最终基准电流IREF,最后通过电压产生电路输出低温漂系数的基准电压VREF。本发明输出的基准电压温漂低、电源抑制比高、电压调整率低;并具有功耗和生产成本低的特点。

    一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源

    公开(公告)号:CN115525092A

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202211304089.1

    申请日:2022-10-24

    Abstract: 本发明公开一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源,PTAT电流参考电路和CTAT电流参考电路分别产生与温度正相关的参考电流IP和与温度负相关的参考电流IN。温度补偿电路将参考电流IN和IP分别以不同倍数作和,得到温度依赖性低的初始基准电流IREF1。曲率补偿电路将参考电流IN和IP进行不同比例缩放,并根据基尔霍夫电流定律,通过两个相反温度系数电流的比较,得到一个凹型曲线的补偿电流IV。基准电压输出电路将初始基准电流IREF1和补偿电流IV按适当权重相加,得到温度依赖性更小的最终基准电流IREF,最后通过电压产生电路输出低温漂系数的基准电压VREF。本发明输出的基准电压温漂低、电源抑制比高、电压调整率低;并具有功耗和生产成本低的特点。

    一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源

    公开(公告)号:CN218240762U

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN202222801043.2

    申请日:2022-10-24

    Abstract: 本实用新型公开一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源,PTAT电流参考电路和CTAT电流参考电路分别产生与温度正相关的参考电流IP和与温度负相关的参考电流IN。温度补偿电路将参考电流IN和IP分别以不同倍数作和,得到温度依赖性低的初始基准电流IREF1。曲率补偿电路将参考电流IN和IP进行不同比例缩放,并根据基尔霍夫电流定律,通过两个相反温度系数电流的比较,得到一个凹型曲线的补偿电流IV。基准电压输出电路将初始基准电流IREF1和补偿电流IV按适当权重相加,得到温度依赖性更小的最终基准电流IREF,最后通过电压产生电路输出低温漂系数的基准电压VREF。本实用新型输出的基准电压温漂低、电源抑制比高、电压调整率低;并具有功耗和生产成本低的特点。

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