公开(公告)号：CN115525092B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202211304089.1

申请日：2022-10-24

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 段吉海 ,  牛凯琦 ,  李冀 ,  韦保林 ,  徐卫林 ,  韦雪明 ,  岳宏卫

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源，PTAT电流参考电路和CTAT电流参考电路分别产生与温度正相关的参考电流IP和与温度负相关的参考电流IN。温度补偿电路将参考电流IN和IP分别以不同倍数作和，得到温度依赖性低的初始基准电流IREF1。曲率补偿电路将参考电流IN和IP进行不同比例缩放，并根据基尔霍夫电流定律，通过两个相反温度系数电流的比较，得到一个凹型曲线的补偿电流IV。基准电压输出电路将初始基准电流IREF1和补偿电流IV按适当权重相加，得到温度依赖性更小的最终基准电流IREF，最后通过电压产生电路输出低温漂系数的基准电压VREF。本发明输出的基准电压温漂低、电源抑制比高、电压调整率低；并具有功耗和生产成本低的特点。

公开(公告)号：CN115525092A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211304089.1

申请日：2022-10-24

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 段吉海 ,  牛凯琦 ,  李冀 ,  韦保林 ,  徐卫林 ,  韦雪明 ,  岳宏卫

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源，PTAT电流参考电路和CTAT电流参考电路分别产生与温度正相关的参考电流IP和与温度负相关的参考电流IN。温度补偿电路将参考电流IN和IP分别以不同倍数作和，得到温度依赖性低的初始基准电流IREF1。曲率补偿电路将参考电流IN和IP进行不同比例缩放，并根据基尔霍夫电流定律，通过两个相反温度系数电流的比较，得到一个凹型曲线的补偿电流IV。基准电压输出电路将初始基准电流IREF1和补偿电流IV按适当权重相加，得到温度依赖性更小的最终基准电流IREF，最后通过电压产生电路输出低温漂系数的基准电压VREF。本发明输出的基准电压温漂低、电源抑制比高、电压调整率低；并具有功耗和生产成本低的特点。

公开(公告)号：CN218240762U

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202222801043.2

申请日：2022-10-24

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 段吉海 ,  牛凯琦 ,  李冀 ,  韦保林 ,  徐卫林 ,  韦雪明 ,  岳宏卫

IPC: G05F1/567

Abstract: 本实用新型公开一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源，PTAT电流参考电路和CTAT电流参考电路分别产生与温度正相关的参考电流IP和与温度负相关的参考电流IN。温度补偿电路将参考电流IN和IP分别以不同倍数作和，得到温度依赖性低的初始基准电流IREF1。曲率补偿电路将参考电流IN和IP进行不同比例缩放，并根据基尔霍夫电流定律，通过两个相反温度系数电流的比较，得到一个凹型曲线的补偿电流IV。基准电压输出电路将初始基准电流IREF1和补偿电流IV按适当权重相加，得到温度依赖性更小的最终基准电流IREF，最后通过电压产生电路输出低温漂系数的基准电压VREF。本实用新型输出的基准电压温漂低、电源抑制比高、电压调整率低；并具有功耗和生产成本低的特点。