公开(公告)号：CN105070353A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510435735.1

申请日：2011-12-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山崎由佳 ,  村冈阳子 ,  待永广宣 ,  梨木智刚 ,  宫崎司

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

CPC classification number: H01B5/14 ,  C23C14/024 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明涉及一种透明导电性薄膜及其制造方法。本发明的透明导电性薄膜一种透明导电性薄膜，其具备：挠性透明基材、和在80℃～180℃的基板温度下通过溅射法形成于挠性透明基材上的由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层，所述挠性透明基材含有包含聚酯系树脂的透明基体薄膜，且所述透明导电层的结晶化温度为160～210℃，所述透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。

公开(公告)号：CN102725141A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201180006881.2

申请日：2011-01-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 春田裕宗 ,  新美健二郎 ,  待永广宣 ,  北村喜弘 ,  葛原郁也

IPC: B32B27/00 ,  B32B27/18 ,  G02B1/10

CPC classification number: G02B1/16 ,  C08G2261/135 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/76 ,  C08G2261/794 ,  C08L25/18 ,  C09D133/06 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/606 ,  C09J2433/006 ,  C09J2465/006 ,  C09J2467/006 ,  G02B1/10 ,  G02B1/14 ,  H01B1/127 ,  Y10T428/265 ,  C08L65/00

Abstract: 本发明提供一种外观品位优异的透明膜和具备该透明膜的粘合膜。透明膜10具有由透明树脂材料构成的基底层12和在其第一面12A上设置的顶涂层14。顶涂层14的平均厚度Dave为2nm～5nm，并且，厚度偏差ΔD为上述平均厚度Dave的40％以下。

公开(公告)号：CN113615329B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202080021394.2

申请日：2020-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中西阳介 ,  待永广宣 ,  芝原奖

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025 ,  H01Q17/00

Abstract: 阻抗匹配膜10包含金属元素和非金属元素。阻抗匹配膜10具有10nm～200nm的厚度。阻抗匹配膜10具有200Ω/□以上的薄层电阻。在阻抗匹配膜10中，氧原子的以原子数为基准的含有率小于50％。

公开(公告)号：CN118891976A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380027903.6

申请日：2023-03-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中宏和 ,  黑濑爱美 ,  中西阳介 ,  待永广宣

IPC: H10N15/20 ,  B32B7/022

Abstract: 带磁性薄膜的基材1a具备基材20和磁性薄膜11。从磁性薄膜11的第二内部应力σx减去磁性薄膜11的第一内部应力σy而得的差为50MPa以上。第一内部应力σy是沿与基片20平行地延伸的磁性薄膜11的面P的第一方向上的磁性薄膜11的内部应力。第二内部应力σx是与面P平行且与第一方向垂直的第二方向上的磁性薄膜11的内部应力。

公开(公告)号：CN118044356A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280065515.2

申请日：2022-09-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 黑濑爱美 ,  中西阳介 ,  田中宏和 ,  待永广宣

IPC: H10N15/20 ,  H02N11/00 ,  H10N50/00 ,  H10N59/00

Abstract: 热电转换元件1a具备磁热电转换体11和布线12。磁热电转换体11以线状延伸。布线12与磁热电转换体11电连接。在热电转换元件1a中，磁热电转换体11的长边方向上的塞贝克系数Sm与布线12的长边方向上的塞贝克系数Sc之差的绝对值|ΔS|为10μV/K以下。

公开(公告)号：CN113573897B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202080021114.8

申请日：2020-03-10

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村大辅 ,  永冈直树 ,  黑濑爱美 ,  石川岳人 ,  待永广宣

IPC: B32B27/06 ,  H10N30/87 ,  H10N30/853 ,  H10N30/073 ,  H10N30/079

Abstract: 维持层叠体的柔韧性的同时，降低功能层的开裂的产生。层叠体具有高分子的基材、以及形成于上述基材的第1面的结晶性的功能层，上述基材的上述第1面的表面粗糙度以算术平均粗糙度(Ra)计为3nm以下。

公开(公告)号：CN111587179B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN201980007970.5

申请日：2019-01-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 陈晓雷 ,  待永广宣 ,  西尾创 ,  渡边太一 ,  中井孝洋

IPC: B32B3/14 ,  B32B15/20 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明的目的在于，提供不仅铬(Cr)或铟(In)、例如铝(Al)等其它金属也以金属层的形式形成于由各种各样的材料制成的连续面的容易制造的电波透过性金属光泽构件、及使用该构件的物品。另外，目的在于，不仅可以将铬或铟、也可以将例如铝等其它金属以金属层的形式容易地形成于由各种各样的材料制成的连续面的、电波透过性金属光泽构件或使用了该电波透过性金属光泽构件的物品的制造方法。该构件具备具有电波透过性的基体、和直接形成于基体的连续面的铝层。铝层具有包含相互不连续的多个分离区段的不连续区域。

公开(公告)号：CN117016059A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280022562.9

申请日：2022-03-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 圆冈岳 ,  中村大辅 ,  石川岳人 ,  待永广宣

IPC: H10N30/853 ,  H10N30/074

Abstract: 本发明涉及的压电体膜具备具有纤维锌矿型的晶体结构的压电材料作为主成分，所述压电体膜具有包含Kr的添加元素，上述压电材料包含选自由Zn、Al、Ga、Cd和Si所组成的组中的一种成分作为阳性元素，上述压电材料中的Kr元素的含量相对于含有元素的含量的比例为0.01atm％～0.05atm％。

公开(公告)号：CN113165336B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201980080119.5

申请日：2019-12-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 待永广宣 ,  拜师基希 ,  中西阳介 ,  武田雄希

IPC: B32B9/00 ,  H01Q17/00 ,  H05K9/00

Abstract: 阻抗匹配膜10包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构。阻抗匹配用阻抗匹配膜10具有5cm2/(V·s)以上的霍尔迁移率。阻抗匹配膜10具有大于等于16nm且小于100nm的厚度。

公开(公告)号：CN112753291B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201980063217.8

申请日：2019-09-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 拝师基希 ,  山形一斗 ,  待永广宣

IPC: H05K9/00 ,  B32B9/00

Abstract: 电波吸收体(1a)具备电阻层(20)、导电体(30)和电介质层(10)。电阻层(20)包含氧化铟锡作为主成分。导电体(30)反射电波。电介质层(10)在电阻层(20)的厚度方向上配置在电阻层(20)与导电体(30)之间。此外，电介质层(10)由高分子形成。电阻层(20)所含的氧化铟锡中的锡氧化物的含量超过0重量％且小于20重量％。电阻层(20)所含的氢原子的数量相对于电阻层(20)所含的铟原子、锡原子、氧原子和氢原子的总数为5％以上。