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公开(公告)号：CN111262629A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010204083.1
申请日：2020-03-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/50 , H04B10/54 , H04B10/556
Abstract: 本发明属于通信技术领域，具体为基于sCAP调制的micro-LED可见光通信系统。本发明系统依次包括：数模转换单元，信号混合单元，micro-LED光源，多个透镜，光电探测器，模数转换单元，信号处理单元；本发明将micro-LED作为发射光源，其调制带宽可达230 MHz，并且micro-LED的工作电流密度极大、平均亮度很高，达到数Gbps的通信速率，符合下一代高速通信的发展要求；另外通过sCAP的调制方式，简化系统和提高频谱利用率的效果，能够100%地利用频谱，将频谱利用率增加到高达9.12 bit/s/Hz。本发明将两者结合，可以充分发挥高带宽和高频谱效率的优势，以获得超高速的通信速率。在一定的频谱资源下，本发明具有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN105447231A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510775618.X
申请日：2015-11-15
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种无源漏三栅结构场效应管阈值电压的快速提取方法。本发明通过求解直角坐标系下的三维泊松方程获得这种结构场效应管亚阈值区的沟道电势分布，然后根据本发明阈值电压的定义，沟道内平均电势等于准费米势减去2倍热电势时，所加栅压为阈值电压。据此可以得到阈值电压解析模型。该阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在获取新型无源漏三栅场效应器件阈值电压时，提供了一种快速精确的提取工具。
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公开(公告)号：CN102891077B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210365230.9
申请日：2012-09-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , C23C16/40
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种采用正丙醇改善的水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法。本发明方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上有未经功能化处理石墨烯层；利用在反应温度条件下在所述石墨烯层表面物理吸附的水/正丙醇混合溶液作为氧化剂而与金属源反应生成高k栅介质薄膜；所述高k栅介质薄膜为ⅢA族金属氧化物ⅢB族稀土氧化物、ⅣB族过渡金属氧化物中的其中一种以及它们的二元及二元以上的氧化物中的任一种。相较于现有技术，本发明可以显著改善沉积在石墨烯表面的高k栅介质薄膜的均匀性和覆盖率，且在薄膜沉积工艺中不会破坏石墨烯晶体结构，有助于制备高性能的石墨烯器件。
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公开(公告)号：CN102891077A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210365230.9
申请日：2012-09-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , C23C16/40
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种采用正丙醇改善的水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法。本发明方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上有未经功能化处理石墨烯层；利用在反应温度条件下在所述石墨烯层表面物理吸附的水/正丙醇混合溶液作为氧化剂而与金属源反应生成高k栅介质薄膜；所述高k栅介质薄膜为ⅢA族金属氧化物ⅢB族稀土氧化物、ⅣB族过渡金属氧化物中的其中一种以及它们的二元及二元以上的氧化物中的任一种。相较于现有技术，本发明可以显著改善沉积在石墨烯表面的高k栅介质薄膜的均匀性和覆盖率，且在薄膜沉积工艺中不会破坏石墨烯晶体结构，有助于制备高性能的石墨烯器件。
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公开(公告)号：CN101907573B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010255433.3
申请日：2010-08-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于生物医学检测技术领域，具体为一种高灵敏度集成CMOS光学生物芯片。该芯片含有基于CMOS工艺的光电探测器,光电探测器包括光电转换电路、光电流读出电路和模数转换电路；目标分子固定于光电探测器表面，分子探针结合到目标分子上；所述分子探针链接有一段引物链，经过滚环扩增后分子探针上连接有由数百个相同重复结构单位组成的超长链，每一个重复结构单位通过核苷酸互补配对作用，再连接上具有过氧化物酶催化化学发光功能的DNAzyme结构，加入底物后发生化学发光，光信号由光电探测器转换为电信号。整个芯片系统基于CMOS工艺，没有光学元件，背景噪声低，系统结构简单，成本降低；采用滚环扩增技术和特定DNAzyme结构，极大提高了检测灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101975794B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010276530.0
申请日：2010-09-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种适用于金属性薄膜材料的3omega热导测量方法。该方法基于改进的解析模型，利用3omega测试结构与频率相关的热学响应特性，通过实验拟合手段得到与一组频率相关的热流比值。从该值推导出实验材料的热阻，并最终得到被测样品的热导值。利用本发明的热导测量方法，可以提供快速准确的金属薄膜热导信息，大大扩展了3omega电学测量技术的适用范围。本发明适用于纳米量级薄膜的测量，样品结构简单，避免原有电学测试方法中的复杂工艺结构，因此可作为金属薄膜材料热学参量的快速表征手段，在微电子工业领域中有其应用前景。
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公开(公告)号：CN102431966A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110443627.0
申请日：2011-12-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微纳器件技术领域，具体为一种管状多孔微米马达及其制备方法和应用。本发明多孔微米马达的制备步骤为：阳极氧化制备表面具有纳米孔阵列的氧化铝膜；在阳极氧化铝膜上沉积具有预应力梯度多层薄膜；对多层薄膜进行图形化处理；选择性地腐蚀多层薄膜下的多孔阳极氧化铝，多层薄膜自卷曲成为管壁具有纳米孔洞的微米管；将多孔微米管转移到溶液中，成为微米马达；这种特殊结构的多孔微米马达具有大的表面积、更高的催化效率以及更快的运动速度；利用磁场可以对微米马达的运动方向进行控制以用于微纳级别物体的输运。这种高速运动微米马达在药物输运、生物探测和分离、单细胞分析等方面具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101937871A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010253667.4
申请日：2010-08-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种构造低介电常数介质材料表面形貌图的方法。本发明利用纳米压印技术直接压印加工低介电常数介质材料，实现该介质材料的表面图形化，以便在集成电路互连制造工艺中应用。相比于传统光刻、刻蚀技术实现介质材料图形化的方法而言，采用本发明的图形化技术，简化了互连制造工艺步骤，大大地降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN101893596A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010228471.X
申请日：2010-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414 , H01L29/772
CPC classification number: G01N27/4145
Abstract: 本发明属于分析检测技术领域，具体涉及一种用于农药残留量检测的硅纳米线生物传感器。该传感器以硅纳米线为沟道的具有背栅结构的场效应管FET为转换器，以乙酰胆碱酯酶（或者丁酰胆碱酯酶）为生物敏感元件，实现对农药的高灵敏检测；这里的农药是指有机磷农药和氨基甲酸酯类农药。由于硅纳米线具有比较大的比表面积，对沟道表面电荷的变化响应非常灵敏，因此这种传感器可以对有机磷农药和氨基甲酸酯类农药实行高灵敏检测。另外这种硅纳米线场效应管制备是采用大规模集成电路工艺的，可以大规模批量生产，降低单个传感器的成本。
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公开(公告)号：CN101196757A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710171822.6
申请日：2007-12-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明属于基准源模拟集成电路技术领域，具体为一种适用于Sub1V的电流模式的基准电压源量产的启动电路。该电路由3个PMOS管、2个NMOS管和一个电阻经电路连接构成，基准电压部分由3个PMOS管、一个运放、三个三极管及一些电阻经电路连接构成。本发明的启动电路，能避免运放失调电压Vos给芯片带来的无法正常工作的后果，解除零状态。这种启动电路结构简单，容易实现，且能应用到传统的基准电压源。
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