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公开(公告)号：CN103500688B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310449443.4
申请日：2013-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01H50/16
CPC classification number: H01H50/36 , H01F1/057 , H01F1/10 , H01F7/081 , H01F7/1615 , H01F2007/083 , H01H50/16 , H01H50/18 , H01H50/42 , H01H51/2209
Abstract: 本发明公开一种含永磁电磁结构，包括：外轭铁，为空心圆筒形；第一永磁体组，包括排列成圆形的多个永磁体，所述多个永磁体与所述外轭铁相连接，且每个永磁体的充磁方向为沿轴向方向充磁；内轭铁，包括内轭铁上底，内轭铁侧壁和内轭铁下底，所述内轭铁上底和所述内轭铁下底分别从所述内轭铁侧壁的上端和下端向外水平延伸形成圆环；衔铁，包括衔铁上底、衔铁下底和衔铁筒身；所述衔铁筒身从所述内轭铁侧壁中穿过，所述衔铁筒身的高度大于所述内轭铁的高度；所述衔铁上底和所述衔铁下底均为直径大于内轭铁侧壁内径的圆形；第二永磁体组，包括排列成圆形的多个永磁体，所述多个永磁体与所述外轭铁和所述内轭铁相连接，且每个永磁体的充磁方向为沿轴向方向充磁。
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公开(公告)号：CN103295844B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310194815.3
申请日：2013-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种平衡力式永磁继电器，包括：衔铁，由第一平面部分、第二平面部分及位于第一平面部分和第二平面部分之间的中间凹陷部分组成，所述中间凹陷部分沿所述衔铁的中线位置向下凹陷形成一支撑带，供所述衔铁以所述支撑带为轴进行转动；第一轭铁，位于所述衔铁的第一平面部分上方；中间轭铁，位于所述衔铁的中间凹陷部分上方且始终与所述中间凹陷部分接触；第二轭铁，位于所述衔铁的第二平面部分上方；永磁体，与所述第一轭铁和中间轭铁连接；铁芯，连接在所述中间轭铁和所述第二轭铁之间；线圈，缠绕在所述铁芯上；支撑簧片，位于所述衔铁下方，用以支撑所述衔铁；动簧片，位于所述衔铁和所述支撑簧片之间，与所述衔铁的动作保持一致；以及底座和引出杆。
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公开(公告)号：CN103311051A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310263219.6
申请日：2013-06-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种直动式上置永磁T型衔铁结构，包括外壳、上轭铁、永磁体、线圈骨架、线圈、下轭铁、衔铁、连杆以及弹簧，其中所述外壳、所述上轭铁、所述下轭铁和所述衔铁均为导磁材料。所述上轭铁为圆环形，设置所述外壳的上端开口处；所述永磁体与所述上轭铁的内圆周紧密连接；所述线圈骨架为圆环型，与所述外壳底面固定连接；所述线圈缠绕在所述线圈骨架上；所述下轭铁为圆环型，位于所述上轭铁以下、所述线圈骨架以上的位置处；所述衔铁包括固定连接的衔铁上底和衔铁柱体，用以在所述上轭铁和所述下轭铁之间垂直上下移动。本发明采用对称结构，安装简单，能够有效提高产品的装配效率，降低废品率。
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公开(公告)号：CN103310944A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310194813.4
申请日：2013-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种含永磁双E型轭铁结构，包括：外轭铁，为上端开口的空心圆柱体结构；永磁体，与所述外轭铁侧壁固定连接；内轭铁，位于所述外轭铁内部，与所述永磁体固定连接；所述内轭铁为空心的环形圆柱体结构，包括内轭铁上底、内轭铁中隔、内轭铁下底和内轭铁侧壁；衔铁，位于所述外轭铁内部，从所述内轭铁的内环处贯穿，包括衔铁上底、衔铁下底和衔铁侧壁；所述衔铁上底和衔铁下底的直径大于所述内轭铁的内环直径；所述衔铁上底位于所述内轭铁中隔与内轭铁上底之间，所述衔铁下底位于所述外轭铁下底与所述内轭铁下底之间；以及线圈骨架、线圈、连杆和弹簧，其中所述外轭铁、内轭铁和衔铁均为导磁材料。
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公开(公告)号：CN101815428B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010145561.2
申请日：2010-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种励磁系统霍尔传感器的电磁干扰源及其安装面的确定方法，包括以下步骤：在励磁系统正常工作即干扰源存在的情况下，连接霍尔传感器信号线，但不固定到安装位置上，将霍尔传感器以多种放置位置接近干扰母线排，分别在上述不同位置情况下进行试验测试，并记录霍尔传感器检测到的干扰电流数值；比较对应上述放置位置情况的干扰电流数值，找到最大的干扰电流数值，则在该最大的干扰电流数值所对应的放置位置下，靠近干扰母线排的一侧即为霍尔传感器受干扰敏感部位，该部位应该远离干扰源；调整线路，重新安装霍尔传感器至合理安装位置，使霍尔传感器受干扰敏感部位远离干扰源。该方法能够快速有效地查找干扰源，提高屏蔽设计效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116502391B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202211599308.3
申请日：2022-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 基于误差函数模型的寿命预测方法，涉及可靠性试验技术领域，本发明的目的是为了解决现有预测产品寿命的方式存在预测准确性差的问题。基于统计力学建立误差函数模型，获得产品的四个历史温度和四个历史温度对应的四个历史寿命，将每个历史温度和对应的历史寿命带入一个误差函数模型中，得到由带入后的4个误差函数模型组成的模型组，解析模型组，获得#imgabs0#b四个参数值；将#imgabs1#b四个参数值带入一个误差函数模型中，得到待输出的误差函数模型，向待输出的误差函数模型中输入产品的当前的温度，预测出当前温度下产品的寿命。它用于预测产品寿命。
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公开(公告)号：CN118690542B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410716461.2
申请日：2024-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了一种密封电磁继电器内部气氛对触点接触电阻影响的仿真预测方法，所述方法通过对以往密封电磁继电器的重要数据记录分析其内部气氛种类和含量变化，推测出寿命试验过程中可能发生的化学反应，采用COMSOL Multiphysics仿真软件进行密封电磁继电器触点表面有机膜、碳沉积的生成量仿真，记录仿真结果中的密封电磁继电器内部气氛成分及含量，并观察触点表面是否生成相应的金属氧化物，将记录的密封电磁继电器触点表面有机膜、碳沉积的生成量量化为密封电磁继电器接触电阻的一部分，根据失效后的接触电阻推算密封电磁继电器的失效阈值。本发明的预测仿真方法能够解决密封电磁继电器触点接触电阻积碳量化和失效阈值计算的问题。
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公开(公告)号：CN118690542A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410716461.2
申请日：2024-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了一种密封电磁继电器内部气氛对触点接触电阻影响的仿真预测方法，所述方法通过对以往密封电磁继电器的重要数据记录分析其内部气氛种类和含量变化，推测出寿命试验过程中可能发生的化学反应，采用COMSOL Multiphysics仿真软件进行密封电磁继电器触点表面有机膜、碳沉积的生成量仿真，记录仿真结果中的密封电磁继电器内部气氛成分及含量，并观察触点表面是否生成相应的金属氧化物，将记录的密封电磁继电器触点表面有机膜、碳沉积的生成量量化为密封电磁继电器接触电阻的一部分，根据失效后的接触电阻推算密封电磁继电器的失效阈值。本发明的预测仿真方法能够解决密封电磁继电器触点接触电阻积碳量化和失效阈值计算的问题。
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公开(公告)号：CN118378522A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410486296.6
申请日：2024-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种平衡力式密封电磁继电器接触压力免调率提升的设计方法，所述方法如下步：一、采集平衡力式密封电磁继电器历史批次数据；二、建立平衡力式密封电磁继电器数字样机模型；三、仿真求得触点压力，改变输入变量，仿真得到神经网络数据集；四、利用训练集对神经网络进行训练，并通过验证集验证神经网络的预测精度；五、实时监测每一只电磁系统组件的关键工艺参数；六、利用神经网络对与之组装的接触系统组件的静触点高度调整量进行预测；七、在总装前利用整形设备对每一只接触系统组件进行静触点高度预调，以在总装后得到理想的触点压力值，提高产品免调率。该方法解决了现有技术难以实现触点压力免调且造成生产成本大幅上升的问题。
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公开(公告)号：CN117798663B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410234901.0
申请日：2024-03-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种电磁继电器中纳米晶带材块体铁心的铆装方法，所述铆装方法如下：步骤1：将纳米晶带材块体铁心两端的方型凸台与内轭铁、长轭铁的方孔凹槽做成间隙配合；步骤2：将纳米晶带材块体铁心置于铆装夹具中，通过锥型铆头均匀压铆长轭铁方孔凹槽的边缘处，完成导磁体的铆接；步骤3：在确保导磁体结构牢固且纳米晶带材块体铁心与长轭铁紧密接触且二者间无明显气隙后，将已绕制完成的线圈套入铁心；步骤4：采用与步骤2相同的铆装方法完成纳米晶带材块体铁心的另一端方型凸台与内轭铁的铆接，测量铆接后的电磁组件的总高以保证其在既定公差范围内。本发明克服了纳米晶带材块体铁心因延展性不足而导致其与轭铁无法完成铆接的困难。
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