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公开(公告)号:CN103540899B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201310541663.X
申请日:2013-11-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种脉冲激光沉积制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层的方法,它涉及一种复合结构抗菌涂层的制备方法。本发明是要解决现有制备纳米银/二氧化硅复合结构的方法存在化学原料种类多、反应过程引入杂质的问题。制备方法:一、制备银/二氧化硅复合靶材;二、清洗衬底;三、将靶材和衬底分别固定在可自转靶位和样品托上;四、抽真空后通入氧气;五、采用准分子激光器对靶材进行激光烧蚀在室温下沉积涂层;六、停止沉积。本发明方法制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层,只需使用两种原料,在真空腔中制备避免了杂质引入,室温沉积保证了无机、有机等不同材质衬底的使用,在医疗、电子等领域潜在应用广泛;本发明用于制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层。
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公开(公告)号:CN104593733A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201510079267.9
申请日:2015-02-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 铜掺杂氧化锌纳米棒的脉冲激光沉积制备方法,它涉及一种气敏纳米材料的沉积方法。本发明是要解决现有制备铜掺杂氧化锌纳米棒的方法存在化学原料种类多、反应过程复杂,容易引入杂质的问题。本方法如下:一、制备掺铜氧化锌陶瓷靶材;二、利用脉冲激光对靶材进行烧蚀,获得籽晶层;三、激光烧蚀靶材20-120min,得掺铜氧化锌纳米结构。本发明采用脉冲激光沉积法制备掺铜氧化锌纳米棒,使用原料简单,只需两种原料,并且在真空腔中进行生产,样品结晶质量高,避免引入杂质,且掺杂组分可控性好,本发明属于铜掺杂氧化锌纳米棒的制备领域。
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公开(公告)号:CN102664218B
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201210171108.8
申请日:2012-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法,本发明涉及光探测器的制备方法。本发明是要解决现有的现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题。方法:制备半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓;二、用思高胶带在半导体材料表面粘贴-剥离;三、将二维结构半导体材料转移至基底上;四、将铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上,沉积金层和铬层;再去掉掩膜退火处理;五、利用半导体测试仪,筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对,即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。该光探测器紫外光响应度高达100AW-1以上。可作为微电子器件、光敏器件用于信息传输和储存领域。
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公开(公告)号:CN103540899A
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201310541663.X
申请日:2013-11-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种脉冲激光沉积制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层的方法,它涉及一种复合结构抗菌涂层的制备方法。本发明是要解决现有制备纳米银/二氧化硅复合结构的方法存在化学原料种类多、反应过程引入杂质的问题。制备方法:一、制备银/二氧化硅复合靶材;二、清洗衬底;三、将靶材和衬底分别固定在可自转靶位和样品托上;四、抽真空后通入氧气;五、采用准分子激光器对靶材进行激光烧蚀在室温下沉积涂层;六、停止沉积。本发明方法制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层,只需使用两种原料,在真空腔中制备避免了杂质引入,室温沉积保证了无机、有机等不同材质衬底的使用,在医疗、电子等领域潜在应用广泛;本发明用于制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层。
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公开(公告)号:CN103497473A
公开(公告)日:2014-01-08
申请号:CN201310388753.X
申请日:2013-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 纳米银粒子/二维层状纳米结构复合薄膜的制备方法,它涉及一种复合薄膜的制备方法。本发明是为了解决现有方法只是制备石墨烯/银纳米粒子复合材料体的技术问题,本方法如下:将聚乙烯吡咯烷酮加入到乙醇中,磁力搅拌的同时水浴加热,加入二维层状纳米结构材料水溶液,加入AgNO3,搅拌,得到溶胶,将溶胶在空气中静置老化,采用丝网印刷方式将经过处理的溶胶印制到钠钙玻璃载玻片上,并干燥,即得。本发明制备的纳米银粒子/二维层状纳米结构复合薄膜中粒子分布在一宽的范围(5nm-25nm),银粒子形状为球状。PVP薄膜表面的纳米银粒子紧密吸附在二维层状纳米结构上,有效地阻止了团聚。本发明属于复合薄膜的制备领域。
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公开(公告)号:CN103265945A
公开(公告)日:2013-08-28
申请号:CN201310194839.9
申请日:2013-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 有机白光材料邻吡啶对苯双亚胺镉/汞配合物及其制备方法,它涉及有机发光材料及其制备方法。本发明要解决现有有机白色发光材料的合成工艺复杂、收率低和荧光寿命短的问题。有机白光材料为邻吡啶对苯双亚胺镉配合物[N,N′-二(2-乙酰基吡啶亚甲基)苯-1,4-二胺]CdCl2和邻吡啶对苯双亚胺汞配合物[N,N′-二(2-乙酰基吡啶亚甲基)苯-1,4-二胺]HgCl2。制备:一、将N,N′-二(2-乙酰基吡啶亚甲基)苯-1,4-二胺与CdCl2或HgCl2溶解于甲醇,加热回流;二、过滤浑浊反应液,收集固体粉末;三、使用甲醇洗涤得到有机白光材料。本发明合成工艺简单,收率可在60%以上,荧光寿命较长。
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公开(公告)号:CN103214504A
公开(公告)日:2013-07-24
申请号:CN201310133722.X
申请日:2013-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 发绿光的邻吡啶单亚胺配体汞配合物及其制备方法,它涉及一种发光材料及其制备方法。本发明解决了现有有机绿色发光材料的合成工艺复杂的技术问题。发绿光的邻吡啶单亚胺配体汞配合物为C18H22Cl2N2Hg和C13H12Cl2N2Hg,制备方法如下:一、在氮气保护下,将(2,6-二异丙基苯基)-吡啶-2-亚甲基胺或(2-甲基苯基)-吡啶-2-亚甲基胺和HgCl2溶解于混合有机溶剂中,加热回流,搅拌,将步骤一产物趁热过滤,然后室温挥发,即得。本发明方法简单易操作且产率高,达到50%以上。本发明属于发绿光材料的制备领域。
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公开(公告)号:CN103050640A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201310033723.7
申请日:2013-01-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备方法,它涉及一种氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备方法。本发明是要解决现有ZnO/SiO2纳米颗粒复合结构极易流失和团聚,无法有效固定于基片表面,不利于器件加工以及现有ZnO/SiO2核壳结构纳米棒中ZnO纳米棒直径降低存在下限,制约进一步优化其发光效率和其它特性的问题,方法为:一、制备ZnO陶瓷靶材;二、清洗衬底;三、制备ZnO籽晶层;四、制备超细ZnO纳米棒阵列;五、制备氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒。本发明应用于研制和开发发光、光探测、生物分子探测、气体传感、超疏水疏油、光催化等器件应用领域。
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公开(公告)号:CN101838534A
公开(公告)日:2010-09-22
申请号:CN201010207225.6
申请日:2010-06-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/78
Abstract: 单绿色上转换荧光标记材料的制备方法,它涉及一种荧光标记材料的制备方法。本发明解决了现有荧光标记材料制备工艺繁杂,化学稳定性差,易产生光损伤,有毒,探测灵敏度低,单色性不好的问题。本方法如下:将Y2O3、Yb2O3、Ho2O3和Eu2O3溶于浓硝酸后加入去离子水,再加入LiNO3溶液,加入络合剂柠檬酸,再加入氨水调节pH值,然后烘干,得干凝胶,将干凝胶煅烧,再自然冷却到室温,即得单绿色上转换荧光标记材料。本发明方法制备工艺简单,反应温度低,在制备过程中晶格不被破坏,本发明制备的单绿色上转换荧光标记材料纯度高,均匀性好,颗粒为20~50nm,不仅发光强,而且单色性很好。
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公开(公告)号:CN119285350A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411400985.7
申请日:2024-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/475 , H10N30/853 , H10N30/097 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 一种兼具高机械品质因数和高振速稳定性的无铅压电陶瓷及其制备方法,本发明属于功能陶瓷材料领域,具体涉及一种兼具高机械品质因数和高振速稳定性的无铅压电陶瓷及其制备方法。本发明要解决现有BNT基陶瓷机械品质因数低、高振速稳定性差的问题。利用两步预烧工艺,将A2CO3和B2O3同时引入钛酸铋钠陶瓷,通过化合价设计构建赝钙钛矿压电陶瓷,式中x表示摩尔分数,0.01≤x≤0.08;A元素选自离子价态为二价的Ca、Sr和Ba中的一种,B元素选自离子价态为三价的Co、Sc、Ga、In、Cr、Mn和Fe中的一种。本发明制备的无铅陶瓷的高振速稳定性优于铅基陶瓷,因此在功率型压电应用领域具有巨大潜力。
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