公开(公告)号：CN109650888A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811619612.3

申请日：2018-12-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 常云飞 ,  杨彬 ,  吴丰民 ,  吴杰 ,  曹文武

IPC: C04B35/499 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01L41/187

Abstract: 一种低温织构高电学性能三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷及其制备方法和应用，涉及一种三元系钛酸铅基弛豫铁电织构材料及其制备方法和应用。解决三元系钛酸铅基弛豫铁电普通陶瓷电学性能低，而高质量铅基织构陶瓷难以制备且烧结温度高的问题。三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷的化学通式为xPb(A,Nb)O3-(1-x-y-z)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-yPbZrO3-zPbTiO3-avol.％MTiO3。方法：制备细晶基体粉体；制备同时含生长助剂和沿[001]c定向的MTiO3片状微晶的膜片；制备陶瓷素坯；制备三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷。应用：用于制备大功率、宽温区和高电场区的多层压电器件。

公开(公告)号：CN109650888B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201811619612.3

申请日：2018-12-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 常云飞 ,  杨彬 ,  吴丰民 ,  吴杰 ,  曹文武

IPC: C04B35/499 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01L41/187

Abstract: 一种低温织构高电学性能三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷，涉及一种三元系钛酸铅基弛豫铁电织构材料及其制备方法和应用。解决三元系钛酸铅基弛豫铁电普通陶瓷电学性能低，而高质量铅基织构陶瓷难以制备且烧结温度高的问题。三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷的化学通式为xPb(A,Nb)O3‑(1‑x‑y‑z)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbZrO3‑zPbTiO3‑avol.％MTiO3。方法：制备细晶基体粉体；制备同时含生长助剂和沿[001]c定向的MTiO3片状微晶的膜片；制备陶瓷素坯；制备三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷。应用：用于制备大功率、宽温区和高电场区的多层压电器件。

公开(公告)号：CN103497473A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310388753.X

申请日：2013-08-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨彬 ,  阿巴斯·巴巴普尔 ,  吴丰民 ,  吴杰 ,  曹文武

IPC: C08L39/06 ,  C08J5/18 ,  C08K3/04 ,  C08K3/30 ,  C08K3/08

Abstract: 纳米银粒子/二维层状纳米结构复合薄膜的制备方法，它涉及一种复合薄膜的制备方法。本发明是为了解决现有方法只是制备石墨烯/银纳米粒子复合材料体的技术问题，本方法如下：将聚乙烯吡咯烷酮加入到乙醇中，磁力搅拌的同时水浴加热，加入二维层状纳米结构材料水溶液，加入AgNO3，搅拌，得到溶胶，将溶胶在空气中静置老化，采用丝网印刷方式将经过处理的溶胶印制到钠钙玻璃载玻片上，并干燥，即得。本发明制备的纳米银粒子/二维层状纳米结构复合薄膜中粒子分布在一宽的范围（5nm-25nm），银粒子形状为球状。PVP薄膜表面的纳米银粒子紧密吸附在二维层状纳米结构上，有效地阻止了团聚。本发明属于复合薄膜的制备领域。