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公开(公告)号：CN103236469A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310139850.5
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 碲化镓二维材料的制备方法及二维结构碲化镓柔性透明光探测器的制备方法，它涉及一种材料的制备方法及采用此材料制备光探测器的制备方法。本发明为了解决现有硅基底无法满足便携、耐磨损、可伸缩以及较高的透明度的技术问题。材料的制备：将镓与碲混合、保温，却至室温，即得。光探测器的制备：制备二维结构的碲化镓半导体，以铜制掩膜为模板利用真空镀膜机在二维结构的碲化镓半导体的表面沉积电极，得到器件，将器件退火处理即得光探测器。本发明因为采用柔性、透明的聚对苯二甲酸乙二酯为基底，所以制备的可以任意的弯曲、且透光性好，单个器件大小在几百个微米左右。本发明属于光探测器材料及制备领域。
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公开(公告)号：CN103091318A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310049642.6
申请日：2013-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/78
Abstract: 石墨烯/聚二丁炔复合薄膜的制备方法及应用复合薄膜定量检测气体有机物的方法，它涉及一种复合薄膜的制备方法及检测气体有机物的方法。石墨烯/聚二丁炔复合薄膜的制备方法：一、制备石墨烯薄膜；二、10，12-二十五二炔酸的氯仿溶液；三、将石墨烯薄膜浸泡在10，12-二十五二炔酸的氯仿溶液中，然后在避光的条件下反应，再用紫外灯照射，即得。本发明制备的石墨烯层数为2～5层，且透过率在蓝光区达到82％，在红光区达到76.9％。如此高的透过率，使传感器与有毒挥发性气体反应后，有利于传感器呈现颜色信号，且通过这种方法制备的石墨烯分散性很好，并且灵敏度高，为制备石墨烯/PDA薄膜传感器提供高质量的基底材料。
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公开(公告)号：CN102324279A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110205508.1
申请日：2011-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于纳米软印刷技术制备石墨烯导电薄膜的方法，它涉及石墨烯导电薄膜的制备领域。本发明要解决现有制备石墨烯导电薄膜技术存在成本高，且制备的石墨烯导电薄膜厚度不能达到纳米级、形状和尺寸难以控制和不利于微纳米级半导体器件集成的问题。本发明的操作步骤如下：一、制备氧化石墨烯；二、制备氧化石墨烯薄膜；三、还原改性。本发明主要用于制备石墨烯导电薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102664218B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210171108.8
申请日：2012-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，本发明涉及光探测器的制备方法。本发明是要解决现有的现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题。方法：制备半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在半导体材料表面粘贴-剥离；三、将二维结构半导体材料转移至基底上；四、将铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上，沉积金层和铬层；再去掉掩膜退火处理；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对，即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。该光探测器紫外光响应度高达100AW-1以上。可作为微电子器件、光敏器件用于信息传输和储存领域。
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公开(公告)号：CN102324279B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110205508.1
申请日：2011-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于纳米软印刷技术制备石墨烯导电薄膜的方法，它涉及石墨烯导电薄膜的制备领域。本发明要解决现有制备石墨烯导电薄膜技术存在成本高，且制备的石墨烯导电薄膜厚度不能达到纳米级、形状和尺寸难以控制和不利于微纳米级半导体器件集成的问题。本发明的操作步骤如下：一、制备氧化石墨烯；二、制备氧化石墨烯薄膜；三、还原改性。本发明主要用于制备石墨烯导电薄膜。
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公开(公告)号：CN102674335A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210164314.6
申请日：2012-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种基于自由基反应低温制备石墨烯的方法，涉及一种石墨烯薄膜的制备方法。为了解决现有化学气相沉积技术制备石墨烯存在反应温度高、成本高、产率低、耗时长、要求实验条件苛刻的问题，本发明的操作步骤如下：一、选择合适的碳源；二、处理催化基底表面；三、制备石墨烯薄膜；四、转移石墨烯至所需基底。本发明将固体碳源引入化学气相沉积法(CVD)技术制备石墨烯薄膜的过程中，以碳源为碳源，在铜基底上制备出单层均一的石墨烯薄膜。该方法改进了化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯技术，提高了制备的石墨烯薄膜的产率与质量。
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公开(公告)号：CN102664218A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210171108.8
申请日：2012-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，本发明涉及光探测器的制备方法。本发明是要解决现有的现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题。方法：一、制备半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在半导体材料表面粘贴-剥离；三、将二维结构半导体材料转移至基底上；四、将铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上，沉积金层和铬层；再去掉掩膜退火处理；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对，即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。该光探测器紫外光响应度高达100AW-1以上。可作为微电子器件、光敏器件用于信息传输和储存领域。
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公开(公告)号：CN103091318B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310049642.6
申请日：2013-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/78
Abstract: 石墨烯/聚二丁炔复合薄膜的制备方法，它涉及一种复合薄膜的制备方法。石墨烯/聚二丁炔复合薄膜的制备方法：一、制备石墨烯薄膜；二、10,12-二十五二炔酸的氯仿溶液；三、将石墨烯薄膜浸泡在10,12-二十五二炔酸的氯仿溶液中，然后在避光的条件下反应，再用紫外灯照射，即得。本发明制备的石墨烯层数为2～5层，且透过率在蓝光区达到82％，在红光区达到76.9％。如此高的透过率，使传感器与有毒挥发性气体反应后，有利于传感器呈现颜色信号，且通过这种方法制备的石墨烯分散性很好，并且灵敏度高，为制备石墨烯/PDA薄膜传感器提供高质量的基底材料。
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