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公开(公告)号：CN102664218B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210171108.8
申请日：2012-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，本发明涉及光探测器的制备方法。本发明是要解决现有的现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题。方法：制备半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在半导体材料表面粘贴-剥离；三、将二维结构半导体材料转移至基底上；四、将铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上，沉积金层和铬层；再去掉掩膜退火处理；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对，即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。该光探测器紫外光响应度高达100AW-1以上。可作为微电子器件、光敏器件用于信息传输和储存领域。
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公开(公告)号：CN102324279B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110205508.1
申请日：2011-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于纳米软印刷技术制备石墨烯导电薄膜的方法，它涉及石墨烯导电薄膜的制备领域。本发明要解决现有制备石墨烯导电薄膜技术存在成本高，且制备的石墨烯导电薄膜厚度不能达到纳米级、形状和尺寸难以控制和不利于微纳米级半导体器件集成的问题。本发明的操作步骤如下：一、制备氧化石墨烯；二、制备氧化石墨烯薄膜；三、还原改性。本发明主要用于制备石墨烯导电薄膜。
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公开(公告)号：CN102674335A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210164314.6
申请日：2012-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种基于自由基反应低温制备石墨烯的方法，涉及一种石墨烯薄膜的制备方法。为了解决现有化学气相沉积技术制备石墨烯存在反应温度高、成本高、产率低、耗时长、要求实验条件苛刻的问题，本发明的操作步骤如下：一、选择合适的碳源；二、处理催化基底表面；三、制备石墨烯薄膜；四、转移石墨烯至所需基底。本发明将固体碳源引入化学气相沉积法(CVD)技术制备石墨烯薄膜的过程中，以碳源为碳源，在铜基底上制备出单层均一的石墨烯薄膜。该方法改进了化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯技术，提高了制备的石墨烯薄膜的产率与质量。
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公开(公告)号：CN104576805A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510030089.0
申请日：2015-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/1013 , H01L31/0304 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种基于InAs/GaSb II类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器，其包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、第一M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、第一p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型InAs/GaSb超晶格中波红外吸收层、第二M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格短波红外吸收层、第二p型InAs/GaSb超晶格接触层和盖层。该探测器具有pMp-p-π-M-n异质结构，具有低串扰、低暗电流、高探测率的优点。
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公开(公告)号：CN103236469A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310139850.5
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 碲化镓二维材料的制备方法及二维结构碲化镓柔性透明光探测器的制备方法，它涉及一种材料的制备方法及采用此材料制备光探测器的制备方法。本发明为了解决现有硅基底无法满足便携、耐磨损、可伸缩以及较高的透明度的技术问题。材料的制备：将镓与碲混合、保温，却至室温，即得。光探测器的制备：制备二维结构的碲化镓半导体，以铜制掩膜为模板利用真空镀膜机在二维结构的碲化镓半导体的表面沉积电极，得到器件，将器件退火处理即得光探测器。本发明因为采用柔性、透明的聚对苯二甲酸乙二酯为基底，所以制备的可以任意的弯曲、且透光性好，单个器件大小在几百个微米左右。本发明属于光探测器材料及制备领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104773757A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510220121.1
申请日：2015-05-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G23/053 , B82Y40/00
Abstract: 一种由TiO2纳米棒构筑而成的空心纳米结构的制备方法，属于光电半导体材料领域。所述方法以TiF4作钛源，乙二醇、冰乙酸混合溶液作为溶剂，椭球型Fe2O3纳米粒子作为模板，利用水热法制备由TiO2纳米棒构筑而成的空心纳米结构材料，其长约450~500nm，直径约180~220nm；表面纳米棒长约70~100nm，直径约10nm。本发明使用预生长模板可以操纵纳米材料的形态和内表结构，有利于更好的控制纳米空心结构的性能，所制备的TiO2空心纳米结构具有尺寸可控、操作简单、原料易得、成本低廉等特点，在环境、能源等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN102664218A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210171108.8
申请日：2012-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，本发明涉及光探测器的制备方法。本发明是要解决现有的现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题。方法：一、制备半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在半导体材料表面粘贴-剥离；三、将二维结构半导体材料转移至基底上；四、将铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上，沉积金层和铬层；再去掉掩膜退火处理；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对，即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。该光探测器紫外光响应度高达100AW-1以上。可作为微电子器件、光敏器件用于信息传输和储存领域。
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公开(公告)号：CN102680527A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210161361.5
申请日：2012-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 一种基于纳米软印刷技术批量制备石墨烯气体传感器的方法，属于石墨烯传感器的制备领域。为了解决现有技术制备的石墨烯传感器制备技术存在石墨烯形状与尺寸难以控制、制成的石墨烯传感器性能不一致，且不利于微纳米级石墨烯传感器集成的问题，本发明的操作步骤如下：一、石墨烯薄膜的制备；二、制备规则形状的石墨烯（包括还原氧化石墨烯和CVD石墨烯两种不同方法制备的石墨烯）；三、石墨烯的改性；四、批量石墨烯气体传感器的制备。本发明主要用于批量制备石墨烯气体传感器。该方法充分发挥了纳米软光刻技术与二维材料石墨烯的二者的优点，并且制备出的带状石墨烯传感器具有相同的性质，这为石墨烯做传感器的广泛应用与工业化奠定了基础。
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公开(公告)号：CN102324279A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110205508.1
申请日：2011-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于纳米软印刷技术制备石墨烯导电薄膜的方法，它涉及石墨烯导电薄膜的制备领域。本发明要解决现有制备石墨烯导电薄膜技术存在成本高，且制备的石墨烯导电薄膜厚度不能达到纳米级、形状和尺寸难以控制和不利于微纳米级半导体器件集成的问题。本发明的操作步骤如下：一、制备氧化石墨烯；二、制备氧化石墨烯薄膜；三、还原改性。本发明主要用于制备石墨烯导电薄膜。
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公开(公告)号：CN104576805B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510030089.0
申请日：2015-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器，其包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、第一M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、第一p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型InAs/GaSb超晶格中波红外吸收层、第二M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格短波红外吸收层、第二p型InAs/GaSb超晶格接触层和盖层。该探测器具有pMp?p?π?M?n异质结构，具有低串扰、低暗电流、高探测率的优点。
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