公开(公告)号：CN105040412A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510523168.5

申请日：2015-08-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 安加东 ,  韩文波 ,  张幸红 ,  赵广东 ,  杜红菊 ,  程业红 ,  周善宝 ,  洪长青 ,  胡平

IPC: D06M11/74 ,  C01B31/04 ,  D06M101/40

Abstract: 一种氧化石墨烯表面改性碳纤维的方法，涉及一种碳纤维表面改性的方法。本发明是要解决目前碳纤维表面惰性大、表面能低及力学、热学性能较差的技术问题。方法：一、采用改性Hummer’s方法制备氧化石墨烯；二、碳纤维的氧化处理；三、碳纤维表面修饰氨基化处理；四、碳纤维表面接枝氧化石墨烯。本发明的碳纤维表面接枝氧化石墨烯后，其表面浸润性和粘结性有显著提高，粗糙度显著增加，有利于增强复合材料中基体与增强体之间的传递效应，改善界面性能、阻止材料破坏，进而提高复合材料的力学性能和热稳定性。本发明应用于碳纤维表面改性领域。

公开(公告)号：CN104529467A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510018430.0

申请日：2015-01-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平 ,  张幸红 ,  桂凯旋 ,  方成 ,  张东洋

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 一种低温制备ZrB2-SiC超高温陶瓷复合材料的方法，本发明涉及一种低温制备ZrB2-SiC超高温陶瓷复合材料的方法。本发明是要解决现有ZrB2-SiC超高温陶瓷复合材料在高温烧结过程中晶粒长大导致材料力学性能降低且成本高的问题。方法：一、称量：称取ZrB2粉体和SiC粉体；二、配料：将ZrB2粉体和SiC粉体加入到无水乙醇中，再加分散剂PEI，超声得混合液；三、球磨：将混合液球磨，得浆料；四、干燥：将浆料真空干燥，得干燥粉体；五、热压烧结：将干燥粉体研磨过筛，装入模具，采用真空热压烧结炉烧结，冷却至室温，得ZrB2-SiC超高温陶瓷复合材料。本发明用于制备ZrB2-SiC超高温陶瓷复合材料。

公开(公告)号：CN104495849A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410675593.1

申请日：2014-11-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  董顺 ,  胡平 ,  方成 ,  张东洋

IPC: C01B31/36 ,  B82Y30/00

Abstract: 有机无机杂化制备碳化硅纳米线的方法，它涉及一种以有机酚醛树脂和无机硅粉体为原料制备超长碳化硅纳米线的方法。本发明为了解决现有方法制备超长SiC纳米线设备要求高、成本高、安全性低、操作过程复杂的技术问题。本方法如下：称取原料；将原料机械混合，然后装入瓷方舟中，将瓷方舟推至管式炉中央，在氩气保护、常压条件下保温，降温，即得。本发明主要是有机酚醛树脂粉体和无机硅粉体为原料，采用简单的制备方法在常压条件下就制备出了长达数毫米甚至是厘米的超长碳化硅纳米线。成本低、安全系数高、操作简单。该纳米线可以应用于纳米电子元器件、激光器、场发射和光催化等领域。本发明属于纳米线的制备领域。

公开(公告)号：CN103909265A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410148317.X

申请日：2014-04-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 韩文波 ,  张幸红 ,  王鹏 ,  赵广东 ,  张兆停 ,  程业红 ,  周长灵

IPC: B22F3/14 ,  B22F1/00

Abstract: 钼-钨酸钪复合材料及其制备方法，它属于复合材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法。钼-钨酸钪复合材料由钨酸钪、铁和钼制成，制备方法：一、称取原料；二、将步骤一的原料分散在分散剂中，在真空条件下烘干，然后将烘干后的浆料球磨研碎，得到混合粉料；三、将混合粉料烧结，得到钼-钨酸钪复合材料。本发明制备的钼-钨酸钪复合材料的室温抗拉强度为300MPa～400MPa，600℃抗拉强度为120MPa～160MPa，25℃～600℃热膨胀系数为－1×10-6K-1～0.3×10-6K-1，弹性模量≤100GPa。本发明属于复合材料的制备领域。

公开(公告)号：CN101698605B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910309836.9

申请日：2009-11-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 洪长青 ,  韩杰才 ,  张幸红 ,  杜建聪 ,  孟松鹤

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638 ,  C04B35/10 ,  C04B38/00

Abstract: 一种梯度多孔氧化铝陶瓷的制备方法，它涉及多孔氧化铝陶瓷的制备方法。本发明解决了现有制备方法得到的梯度多孔陶瓷存在孔分布性差、孔形状不易控制、孔隙率低的问题。本发明的制备方法：一、将氧化铝粉末、莰烯和脂肪酸缩聚物混合得浆料；二、注浆料成型得坯体；三、烘干坯体，然后热处理得梯度多孔氧化铝陶瓷。本发明利用莰烯在不同温度下结晶速率不同的性质得到梯度多孔氧化铝陶瓷的孔定向分布，形状可控，孔呈网络连通型，孔隙率高，孔隙率为71％～85％，密度为0.63～0.88g/cm3，压缩强度为8～38Mpa，可用于高温隔热、燃料电池、过滤器、吸音等行业。

公开(公告)号：CN101298386B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200810064612.1

申请日：2008-05-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 洪长青 ,  韩杰才 ,  张幸红 ,  孟松鹤 ,  张如炳

IPC: C04B35/48 ,  C04B38/00

Abstract: 一种氧化锆多孔陶瓷的制备方法，它涉及一种多孔陶瓷的制备方法。它解决了现有氧化锆多孔陶瓷的制备工艺难以控制、所得材料孔的分布不规则、均匀性较差的问题。方法：一、将ZrO2、C10H16和聚苯乙烯湿混，得浆料；二、浆料进行预冷，然后冷冻；三、冷冻后的浆料脱模后干燥，然后进行保温烧结，再冷却到室温，即得氧化锆多孔陶瓷。本发明制备工艺易于控制，且所得材料孔的分布规则、均匀性较好。

公开(公告)号：CN101391895B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200810064759.0

申请日：2008-06-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  李伟杰 ,  韩杰才 ,  孟松鹤 ,  洪长青

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622

Abstract: 梯度防/隔热陶瓷基复合材料及其制备方法，它涉及一种陶瓷基复合材料及其制备方法。本发明解决了现有硼化物陶瓷基均质复合材料热导率单一的问题，提供了一种梯度防/隔热陶瓷基复合材料及其制备方法。本发明材料由防热层、第一中间过渡层、第二中间过渡层、第三中间过渡层和隔热层组成。本发明材料的制备方法如下：将经过超声清洗、球磨、烘干的用于制备各层的原材料粉体按顺序平铺在石墨模具中，然后在惰性气氛的条件下，将混合物升温后保温5min即得。本发明制备工艺简单、成本低，本发明防热端的室温热导率为89.77W/m·℃；1800℃时的热导率为61.86W/m·℃；而隔热端的室温热导率最低能达到8.58W/m·℃；1800℃时的热导率最低能达到18.27W/m·℃。

公开(公告)号：CN101614633A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910072536.3

申请日：2009-07-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孟松鹤 ,  张幸红 ,  陈红波 ,  王智 ,  白光辉 ,  曲伟

IPC: G01N1/44 ,  G05D23/20 ,  G05B19/04

Abstract: 快速加热硼化锆－碳化硅－石墨陶瓷基复合材料的装置，涉及一种快速加热硼化锆－碳化硅－石墨陶瓷基复合材料的装置。本发明的目的是为了解决目前硼化锆－碳化硅－石墨陶瓷基复合材料在1800℃以上的高温氧化中采用的实验装置升温速度慢、成本高的问题。本发明包括可控硅调压变压器、微处理器、电压传感器和两个铜电极，可控硅调压变压器的正、负极电压输出端分别连接一个铜电极的一端，可控硅调压变压器的正、负极电压输出端之间连接电压传感器，电压传感器的采样信号输出端连接微处理器的电压信号输入端；微处理器的控制信号输出端连接可控硅调压变压器的调压控制信号输入端。本发明作为快速加热硼化锆－碳化硅－石墨陶瓷基复合材料的装置。

公开(公告)号：CN101602597A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910072132.4

申请日：2009-05-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  韩文波 ,  王智 ,  胡平 ,  洪长青 ,  孙新

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 硼化锆－碳化硅－碳黑三元高韧化超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，它涉及陶瓷基复合材料及其制备方法。它解决了现有ZrB2超高温陶瓷基复合材料的抗热冲击性能差、临界温差低、强度高、断裂韧性低和临界裂纹尺寸低的问题。硼化锆－碳化硅－碳黑三元高韧化超高温陶瓷基复合材料由硼化锆粉末、碳化硅粉末和碳黑粉末制成。方法：一、称取原料湿混后得浆料；二、浆料烘干后研磨得混合粉料；三、混合粉料烧结后冷却取出即得。本发明中材料的抗热冲击性能好，其临界温差为470～1000℃，强度为132.03～695.54MPa，断裂韧性为2.01～6.57MPa·m1/2，临界裂纹尺寸为65.9～249.9μm。

公开(公告)号：CN101417880A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810137597.9

申请日：2008-11-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  韩杰才 ,  孟松鹤 ,  徐林 ,  韩文波 ,  胡平

IPC: C04B35/58

Abstract: 低温烧结硼化物基陶瓷材料及其制备方法，它涉及一种硼化物基陶瓷材料及其制备方法。本发明解决了现有技术中硼化物基陶瓷材料烧结温度及压力过高、烧结致密度低的问题。本发明硼化物基陶瓷材料由硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂制成；添加剂为氧化铝与氧化钇混合粉末。本发明的方法如下：一、将硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂混合；二、再放入无水乙醇中进行超声波清洗分散，球磨混合，烘干；三、热压烧结后冷却即可。本发明在1800～1850℃、30MPa下烧结所获得低温烧结硼化物基陶瓷材料的组织均匀、致密，且晶粒度细小，同时力学性能优良，相对密度为96％以上，强度和韧性分别高达786MPa和7.12MPam1/2。本发明方法的工艺简单实用，成本低廉、易于推广。