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公开(公告)号：CN102148563B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201010113619.5
申请日：2010-02-10
Applicant: 华为技术有限公司
CPC classification number: H03G3/004 , H03F1/0227 , H03F1/0244 , H03F3/24 , H03F2200/432 , H03F2200/462 , H03F2200/511 , H03G3/3047
Abstract: 本发明实施例公开了一种跟踪电源、电源控制方法及通信设备。本发明跟踪电源的一个实施例包括：基本电压输出单元，用于提供基本电压；补偿电压输出单元，用于提供补偿电压；补偿电压输出单元与基本电压输出单元串联，为负载提供基本电压和补偿电压之和的电压。
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公开(公告)号：CN103092248A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210590554.2
申请日：2012-12-31
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G05F1/563
CPC classification number: G05F1/10 , G05F1/46 , H02M3/157 , H02M3/33515 , H02M2001/0022
Abstract: 本发明实施例公开一种前馈控制方法及装置，前馈控制方法包括根据输入电压参考值与快速低精度模数转换器周期采样获得的输入电压测量值之间的差值确定输入电压是快速变化或者是慢速变化；当快速变化时，根据输入电压参考值与当前采样周期下快速低精度模数转换器获取的第一输入电压测量值之间的差值从查找表中确定与差值对应的第一前馈增益系数；当慢速变化时，第二前馈增益系数为所述输入电压参考值与当前采样周期下慢速高精度模数转换器获得的第二输入电压测量值之间的比值；将第一前馈增益系数或者第二前馈增益系数作为当前输入电压的前馈增益系数并与输出电压的反馈环路的输出值相乘，以控制所述输出电压的稳定输出。
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公开(公告)号：CN102981540A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210437651.8
申请日：2012-11-06
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明实施例公开了电源前馈控制方法及相关装置。其中，一种电源前馈控制方法可包括：在电源的第一输出电压采样位置采样得到第一输出电压采样值；若第一输出电压采样值与第一输出电压采样位置对应的参考输出电压值的差值的绝对值大于或等于第一阈值，则选择第一前馈增益系数作为电源的输入电压前馈增益系数；若第一输出电压采样值与参考输出电压值的差值的绝对值小于或等于第二阈值，则选择第二前馈增益系数作为电源的输入电压前馈增益系数。本发明实施例提供的方案有利于满足输入电压多种变化速率下的调控要求。
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公开(公告)号：CN101662222B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910174588.1
申请日：2009-09-30
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor： 侯召政
IPC: H02M7/217
CPC classification number: H03F3/2175 , H03F1/0244 , H03F2203/21196
Abstract: 本发明实施例公开了一种电源跟踪方法，所述电源跟踪方法，包括：控制器接收待跟踪信号；根据所述待跟踪信号输出对应的控制信号，控制至少两套电平选择电路从对应的至少两组隔离电平中选取至少一个跟踪电平，且每套电平选择电路从对应的一组隔离电平中选取至多一个跟踪电平，其中，隔离电源根据待跟踪信号的电平区间，提供所述至少两组隔离电平，每组隔离电平中包括至少两个跟踪电平；所述选取的跟踪电平经过所述电平选择电路，对负载电路供电。本发明实施例还公开了一种电源跟踪装置，本发明适用于对参考信号进行电源跟踪。
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公开(公告)号：CN101662222A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910174588.1
申请日：2009-09-30
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor： 侯召政
IPC: H02M7/217
CPC classification number: H03F3/2175 , H03F1/0244 , H03F2203/21196
Abstract: 本发明实施例公开了一种电源跟踪方法，所述电源跟踪方法，包括：控制器接收待跟踪信号；根据所述待跟踪信号输出对应的控制信号，控制至少两套电平选择电路从对应的至少两组隔离电平中选取至少一个跟踪电平，且每套电平选择电路从对应的一组隔离电平中选取至多一个跟踪电平，其中，隔离电源根据待跟踪信号的电平区间，提供所述至少两组隔离电平，每组隔离电平中包括至少两个跟踪电平；所述选取的跟踪电平经过所述电平选择电路，对负载电路供电。本发明实施例还公开了一种电源跟踪装置，本发明适用于对参考信号进行电源跟踪。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101588125A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910087546.4
申请日：2009-06-23
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种电源装置及其控制方法、功率放大装置。其中，所述装置包括线性电源支路和第一开关电源组，第一开关电源组包括第一电流检测器和至少两个开关电源支路；所述开关电源支路包括滞环控制器和开关电源驱动及功率电路，所述第一电流检测器的输入端与所述线性电源支路的输出端连接，所述滞环控制器的输入端与所述第一电流检测器的输出端连接；所述开关电源驱动及功率电路的输入端与所述滞环控制器的输出端连接，输出端与所述线性电源支路的输出端并联连接。本发明实施例可以提高开关电源的带宽和跟踪精度，进而提高ET功率放大器的整体效率。
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公开(公告)号：CN115443531A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202080015410.7
申请日：2020-09-15
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/31
Abstract: 一种功率模组(10)及其制造方法，所述功率模组(10)包括功率组件(11)和驱动板(12)，所述功率组件(11)包括基板(111)、功率芯片(112)和封装体(113)，所述功率芯片(112)设于所述基板(111)的安装面(1110)，所述封装体(113)将所述功率芯片(112)封装于所述基板(111)上，所述驱动板(12)设于所述封装体(113)内并位于所述功率芯片(112)背向所述安装面(1110)的一侧，所述驱动板(12)和所述功率芯片(112)电连接。所述功率模组可以降低驱动板(12)和功率组件(11)之间的寄生参数，提高功率模组(10)的电性能。
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公开(公告)号：CN113707623A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110845274.0
申请日：2021-07-26
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L21/52 , H01L23/552
Abstract: 本申请公开一种芯片封装组件、电子设备及芯片封装组件的制作方法，芯片封装组件包括封装基板、芯片和散热部，封装基板包括上导电层、下导电层和连接在上导电层和下导电层之间的导电部；芯片包括相背设置的正面电极和背面电极，芯片内嵌在封装基板内，导电部包围芯片，正面电极与下导电层连接，背面电极与上导电层连接；散热部连接于上导电层远离芯片的表面；上导电层、下导电层和导电部均具导热性能。本申请通过设置芯片与封装基板的上导电层以及下导电层连接，从而芯片产生的热量可进行双向传导散热，并在上导电层上设置散热部，使得芯片封装组件能够达到更优的散热效果。
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公开(公告)号：CN113257888A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110347525.2
申请日：2021-03-31
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件、封装结构及电子设备，用以减小功率半导体器件失效的风险。功率半导体器件包括：半导体衬底，半导体衬底掺杂有第一类型杂质；外延层，外延层掺杂有第一类型杂质，外延层设置于半导体衬底的一面，外延层背离半导体衬底的第一面设置有掺杂第二类型杂质的第一掺杂区，且外延层的第一面的周侧边缘具有划片道区；第一金属层，设置于外延层背离半导体衬底的一侧，第一金属层与外延层电性连接；第二金属层，设置于外延层背离半导体衬底的一侧，第二金属层位于第一金属层的边缘与划片道区之间的环形区域内；钝化层，钝化层为环形结构，钝化层覆盖第二金属层及部分第一金属层。
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公开(公告)号：CN113178474A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110228786.2
申请日：2021-03-02
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制作方法、及电子设备。半导体器件包括漂移区、第一电极结构和第二电极结构，第一电极结构和第二电极结构位于漂移区的同侧。第一电极结构包括第一绝缘层和第一电极，第一绝缘层位于第一电极的外围，第二电极结构包括第二绝缘层和第二电极，第二绝缘层位于第二电极的外围，第一电极和第二电极之间设有缓冲结构，缓冲结构用于增加导通时载流子在漂移区的积累。本申请通过在第一电极和第二电极之间设置缓冲结构，缓冲了半导体器件导通时漂移区存储的载流子的流动，提高漂移区载流子的浓度，有利于降低半导体器件的导通压降。
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