公开(公告)号：CN114883194A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202110169971.9

申请日：2021-02-05

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 王欣 ,  侯召政 ,  王弋宇 ,  高云斌 ,  胡飞 ,  胡朗

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法和半导体器件，用于形成尺寸更小和均匀性更好的自对准沟道，降低半导体器件的导通电阻，从而，提升半导体器件的良品率并降低半导体器件的制造成本。在该方法中，用于形成阱区的阻挡层包括第一硬掩模和第二硬掩模，而用于形成源区的阻挡层仅包括其中的第一硬掩模，显然，用于形成源区的阻挡层的厚度小于用于形成阱区的阻挡层的厚度，即降低了用于形成源区的阻挡层的厚度，可以得到尺寸更小的侧墙，以便于形成尺寸更小和均匀性更好的自对准沟道。

公开(公告)号：CN113178383A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110260645.9

申请日：2021-03-10

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 韩小标 ,  黄伯宁 ,  万玉喜 ,  王弋宇

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683 ,  H01L29/16

Abstract: 本申请提供一种碳化硅基板、碳化硅器件及其基板减薄方法，包括：提供一第一基板；第一基板为碳化硅基板，第一基板具有相对而置的硅面及碳面；在第一基板的硅面形成碳化硅器件，在碳化硅器件之上形成保护层；对第一基板的碳面进行离子注入；提供一第二基板；将离子注入后的第一基板与第二基板进行键合；对键合后的第一基板和第二基板进行高温退火，使注入到第一基板中的离子结合为气体；在第一基板的离子注入位置进行分离，得到减薄后的第一基板以及被分离的第一基板。本申请实施例中的基板减薄方法，无需对碳化硅器件的基板进行磨削，该基板减薄方法更易操作，并且，基板减薄后被分离的第一基板可以重复利用，经济效益更高。

公开(公告)号：CN113257888A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110347525.2

申请日：2021-03-31

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 侯召政 ,  高云斌 ,  王弋宇 ,  胡飞

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L23/31 ,  H01L23/49

Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件、封装结构及电子设备，用以减小功率半导体器件失效的风险。功率半导体器件包括：半导体衬底，半导体衬底掺杂有第一类型杂质；外延层，外延层掺杂有第一类型杂质，外延层设置于半导体衬底的一面，外延层背离半导体衬底的第一面设置有掺杂第二类型杂质的第一掺杂区，且外延层的第一面的周侧边缘具有划片道区；第一金属层，设置于外延层背离半导体衬底的一侧，第一金属层与外延层电性连接；第二金属层，设置于外延层背离半导体衬底的一侧，第二金属层位于第一金属层的边缘与划片道区之间的环形区域内；钝化层，钝化层为环形结构，钝化层覆盖第二金属层及部分第一金属层。