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    贴合晶片的制造方法
    62.
    发明公开
    贴合晶片的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN102414785A

    公开(公告)日：2012-04-11

    申请号：CN201080019226.6

    申请日：2010-04-30

    Applicant: 信越化学工业株式会社

    Inventor： 川合信 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

    CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/67109

    Abstract: 本发明提供一种贴合晶片的制造方法，在操作基板的热膨胀系数比施主基板大的情况下，也可以进行剥离，而不会在基板上产生裂纹。所述制造方法至少包括下述步骤：从施主基板(3)的表面向所述施主基板(3)注入离子，形成离子注入界面(5)；在所述施主基板(3)的已经注入了离子的表面上，贴合热膨胀系数比所述施主基板(3)大的操作基板(7)，制成贴合基板；对所述贴合基板进行热处理，制成接合体(1)；和当所述接合体(1)由冷却装置(20)冷却到室温以下的温度后，在所述离子注入界面上剥离所述接合体(1)的所述施主基板(3)，将施主膜转印到所述操作基板(7)上。

    转印有硅薄膜的绝缘性晶片的制造方法
    64.
    发明公开
    转印有硅薄膜的绝缘性晶片的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN102017070A

    公开(公告)日：2011-04-13

    申请号：CN200980116731.X

    申请日：2009-10-29

    Applicant: 信越化学工业株式会社

    Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  野岛义弘

    IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

    CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76256

    Abstract: 本发明提供了一种SOI晶片的制造方法，上述方法可防止由绝缘性基板和SOI层的热膨胀系数的差异引起的热应力、剥离、裂缝等问题的产生，同时改善SOI层的膜厚均一性。上述SOI晶片的制造方法包含以下工序：对绝缘性晶片的表面及具有氢离子注入层的单晶硅晶片的氢离子注入面中的至少一个表面施以表面活化处理的工序；将氢离子注入面与绝缘性晶片的表面贴合以获得贴合晶片的工序；将贴合晶片在第1温度进行热处理的工序；为了降低贴合晶片中单晶硅晶片的厚度，对贴合晶片中单晶硅晶片侧施以研削和/或蚀刻的工序；将贴合晶片在高于第1温度的第2温度下进行热处理的工序；通过对贴合晶片中的氢离子注入层施以机械性冲击，将氢离子注入层进行剥离的工序。

    制备具有单晶薄膜的基板的方法
    65.
    发明公开
    制备具有单晶薄膜的基板的方法 有权

    公开(公告)号：CN101521155A

    公开(公告)日：2009-09-02

    申请号：CN200910117817.6

    申请日：2009-02-25

    Applicant: 信越化学工业株式会社

    Inventor： 久保田芳宏 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次 ,  野岛义弘

    IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78

    Abstract: 本发明提供一种在没有使用特殊基板的情况下容易地制备几乎没有晶体缺陷的包括在上面或上方的单晶薄膜的基板的方法。更具体地说，提供一种制备包括形成在处理基板的上面或上方的单晶薄膜的基板的方法，所述方法包括：步骤A：提供供体基板和处理基板；步骤B：在所述供体基板上生长单晶层；步骤C：将离子注入到所述供体基板上的单晶层中，形成离子注入层；步骤D：将注入离子的供体基板的单晶层的表面与所述处理基板的表面粘合；和步骤E：在存在于所述单晶层中的离子注入层处剥离粘合的供体基板，从而在所述处理基板上面或上方形成单晶薄膜；其中，通过使用所述的上面或上方形成有单晶薄膜的处理基板作为供体基板，重复至少步骤A～E。

    SOI基板的制造方法
    66.
    发明公开
    SOI基板的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN101286444A

    公开(公告)日：2008-10-15

    申请号：CN200810088669.5

    申请日：2008-04-10

    Applicant: 信越化学工业株式会社

    Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/78603

    Abstract: 本发明提供一种SOI基板，其不会有起因于氧施体的生成所导致的电特性变动的疑虑。在贴合步骤中所使用的单晶硅基板10，是以红外线吸收法测得的晶格间氧浓度为1×1018cm－3以下的单晶硅基板。将单晶硅基板的晶格间氧浓度设为1×1018cm－3以下的理由，是因为氧施体的形成程度与该晶格间氧浓度密切相关。若将结晶硅基板的晶格间氧浓度设为1×1018cm－3以下，SOI基板的硅层(SOI层)的电特性(电阻率)的变动，能够抑制在实用上不会有问题的程度。如此的单晶硅基板，通过对硅熔液施加磁场来控制其对流的MCZ法、或是通过没有使用石英坩埚的FZ法，能够容易地获得。

    SOI基板的制造方法
    68.
    发明公开
    SOI基板的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN101207009A

    公开(公告)日：2008-06-25

    申请号：CN200710161139.4

    申请日：2007-12-18

    Applicant: 信越化学工业株式会社

    Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

    CPC classification number: H01L21/76254

    Abstract: 一种SOI基板的制造方法，包括：离子注入工艺，此工艺是在硅基板的主面侧，形成氢离子注入层；表面处理工艺，此工艺是对绝缘性基板和上述硅基板的至少其中一方的主面，施行活性化处理；贴合工艺，此工艺是贴合上述绝缘性基板的主面和上述硅基板的主面；以及剥离工艺，此工艺是从上述贴合基板的上述硅基板，机械性地剥离硅薄膜，而在上述绝缘性基板的主面上，形成硅膜；上述离子注入工艺中的上述硅基板的温度，保持在400℃以下。本发明的方法可抑制剥离后的SOI膜的表面粗糙度，确保SOI基板的全部表面有均匀的SOI膜的厚度。由于全部是低温工艺，又可抑制转印缺陷或滑移错位等的发生，而得到高品质的SOI晶片。

    单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
    70.
    发明公开
    单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池 失效

    公开(公告)号：CN101174659A

    公开(公告)日：2008-05-07

    申请号：CN200710185124.1

    申请日：2007-10-30

    Applicant: 信越化学工业株式会社

    Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

    IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

    CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；形成透明导电性膜于透明绝缘性基板的表面的工序；于该单晶硅基板的离子注入面及/或该透明绝缘性基板上的该透明导电性膜的表面，进行表面活化处理的工序；贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板上的该透明导电性膜表面的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，形成单晶硅层的工序；以及于该单晶硅层形成pn结的工序。由此，提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。

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