公开(公告)号：CN102011191A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010243313.1

申请日：2010-07-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上松康二 ,  长田英树 ,  中畑成二

IPC: C30B29/40 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/36 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供GaN单晶衬底、基于GaN的半导体器件及它们的制造方法。所述GaN单晶衬底具有面积为10cm2以上的主面，所述主面具有相对于(0001)面和(000-1)面中的一个面以65°～85°倾斜的面取向，所述衬底具有在所述主面中载流子浓度基本均匀分布、在所述主面中位错密度基本均匀分布和光弹性变形值不超过5×10-5中的至少一种特性，所述光弹性变形值通过在25℃环境温度下在垂直于所述主面施加光时在所述主面中任意点处的光弹性测得。因此，能够获得GaN单晶衬底，所述GaN单晶衬底适用于制造具有小的特性偏差的基于GaN的半导体器件。

公开(公告)号：CN101911258A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880124228.4

申请日：2008-12-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/338 ,  H01L21/66 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L22/12 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件制造方法，其中降低了片分割时的不合格发生率并提高了收率。所述半导体器件制造方法包括：位错密度评价步骤，其中测定GaN衬底中与主面交叉的截面的位错密度，并选择位错密度为预定值以下的GaN衬底；以及分割步骤，其中在由位错密度评价步骤中选择的GaN衬底上层压功能器件部分之后，将所述GaN衬底分割成片状部分。

公开(公告)号：CN101565854A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910137022.1

申请日：2009-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明公开了一种其平均位错密度不超过5×105cm－2且抗断裂的III族氮化物单晶自立式衬底，以及一种利用这类III族氮化物单晶自立式衬底制造半导体装置的方法。所述III族氮化物单晶自立式衬底包括一个以上的高位错密度区域(20h)，以及多个低位错密度区域(20k)，所述低位错密度区域(20k)的位错密度低于所述高位错密度区域(20h)的位错密度，其中所述平均位错密度不超过5×105cm－2。此处，所述高位错密度区域(20h)的位错密度对所述平均位错密度的比值大得足以阻止裂纹在所述衬底中传播。并且所述半导体装置的制造方法利用了所述III族氮化物单晶自立式衬底(20p)。

公开(公告)号：CN101553605A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200780039049.6

申请日：2007-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明获得一种其上能够形成良好质量外延生长层的III族氮化物衬底，以及一种制造上述衬底的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。

公开(公告)号：CN101509146A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910006384.7

申请日：2009-02-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤史隆 ,  中畑成二

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/20 ,  C30B33/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/12

Abstract: 本发明提供了III族氮化物晶体的制造方法，借此方法，当除去III族氮化物衬底时，III族氮化物晶体中的破裂发生率保持最小。III族氮化物晶体制造方法包括：在III族氮化物衬底(10)的一个主面(10m)上生长III族氮化物晶体(20)的步骤，其中至少III族氮化物晶体(20的构成原子类型和比例、或其掺杂剂类型和浓度与III族氮化物衬底(10)不同；以及通过气相腐蚀除去III族氮化物衬底(10)的步骤。

公开(公告)号：CN101466878A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200680055009.6

申请日：2006-06-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  藤原伸介 ,  中畑成二 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B23/005 ,  C30B29/403 ,  C30B35/002 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供了生长结晶度良好的第III族氮化物单晶的方法，所述方法具有优良的再现性，并提供了通过所述生长方法形成的第III族氮化物晶体。本发明的一个方面是在晶体生长容器(11)内生长第III族氮化物单晶(3)的方法，所述方法的特征在于，由金属碳化物形成的孔隙率为0.1％～70％的多孔体被用作所述晶体生长容器(11)的至少一部分。使用晶体生长容器(11)，可将晶体生长容器(11)内1％～50％的原料气体(4)经由多孔体中的孔而排放至晶体生长容器(11)的外部。

公开(公告)号：CN100466176C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510088295.3

申请日：2005-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  中畑成二

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B25/08 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 发明改善AlGaN单晶基材的断裂韧度，并且降低该基材的吸收系数。氮化物半导体单晶基材具有由通式AlxGa1-xN(0≤x≤1)表示的组成，其特征在于断裂韧度为(1.2-0.7x)MPa·m1/2或更大以及表面积为20cm2；或者它具有通式AlxGa1-xN(0.5≤x≤1)表示的组成，其特征在于在350～780nm的整个波长范围内其吸收系数为50cm-1或更小。

公开(公告)号：CN101144182A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710138204.1

申请日：2007-07-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 弘田龙 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  冈久拓司 ,  上松康二

IPC: C30B25/04 ,  C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/183

Abstract: 根据本发明，一种生长氮化镓晶体的方法，包括步骤：在基底基板(U)上部分地形成掩膜(M)，其抑制晶体的外延生长；通过气相淀积，在上面形成了掩膜(M)的基底基板(U)上外延生长晶体，其中在外延生长晶体的步骤中，晶体是在第一生长条件下生长的，其中以μm/h为单位表述的生长速率Vj和以绝对温度表述的生长温度T被表示为(a1/T+b1)＜Vj＜(a2/T+b2)，其中使用系数a1＝－4.39×105，b1＝3.87×102，a2＝－7.36×105和b2＝7.37×102。这样，晶体中的位错密度减小。

公开(公告)号：CN101086963A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710110258.7

申请日：2007-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  元木健作 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  井尻英幸 ,  笠井仁 ,  藤田俊介 ,  佐藤史隆 ,  松冈彻

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。

公开(公告)号：CN101071794A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710102802.3

申请日：2004-04-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02642 ,  H01S5/323 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12681

Abstract: 一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量III－V族晶体的方法，该方法成本低而且容易简单。一种生产III－V族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上(1)沉积金属膜(2)的步骤；在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜(2)的步骤；以及在热处理后的金属膜上生长III－V族晶体(4)的步骤。另外一种生产III－V族晶体的方法，其特征在于包括：在热处理后的金属膜上生长III－V族化合物缓冲膜的步骤；在III－V族化合物缓冲膜上生长III－V族晶体的步骤。