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公开(公告)号：CN110907033B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201911235123.2
申请日：2019-12-05
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于紫外探测器质子位移效应的辐照试验测试方法，该方法涉及测试装置是由计算机、直流电源、数据采集及时序控制电路、camlink数据线、导线和器件座组成，首先将测试装置放置在测试室内，安装好紫外探测器后，检查各项功能正常后，取下紫外探测器，将其放在辐照室内开始辐照试验，直至达到预定的最大辐照注量，停止辐照，结束辐照试验，利用已有参数计算方法，结合采集的图像计算出暗电流、输出信号、暗电流噪声、响应率、探测率和缺陷像元。本发明实现了紫外探测器的质子位移效应辐照测试，可靠性高、装置连接简单、操作方便、方法简单易行。本发明所涉及的装置具有体积小、重量轻、便携等特点，可实现异地紫外探测器性能参数测试，满足紫外探测器质子位移效应辐照试验的要求。
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公开(公告)号：CN113945833A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111153881.7
申请日：2021-09-29
Applicant: 清华大学 , 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/317 , G01R31/3181
Abstract: 本申请实施例公开了一种电离辐射总剂量和电磁辐射协和效应测试方法及平台，该方法包括：获取累积了不同电离辐射总剂量的模数转化器ADC芯片样本组；对累积了不同电离辐射总剂量的ADC芯片样本组进行电磁辐射试验，以获取所述ADC芯片样本组中的每个ADC芯片样本出现电磁辐射协和效应的阈值数据；根据获取的所述阈值数据拟合ADC芯片的电离电磁辐射协和效应阈值随电离辐射总剂量的累积而产生的变化趋势。通过该实施例方案，实现了电离辐射总剂量和电磁辐射瞬态两种环境应力的共同作用下的ADC性能在线测试。
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公开(公告)号：CN113917513A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111188148.9
申请日：2021-10-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于电离总剂量辐照后光电成像器件随机电报信号的测试方法。该方法涉及装置是由暗室和样品测试板两部分组成。将样品测试板置于暗室内，将辐照后的CMOS图像传感器固定在样品锁紧座上，盖上遮光盖，接通电源，给样品测试板供电，通过计算机软件找到工作温度、像素电压、积分时间、采图频率、采图时长、窗口大小等条件与测试结果和试验数据量之间的关系，依据计算结果确定试验条件，完成随机电报信号的测试。本发明可以在实验室条件下完成电离总剂量产生随机电报信号的准确测试，适用范围广，方法简单，可操作性强。
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公开(公告)号：CN111366340A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010385703.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法，该方法涉及装置是静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、大面阵彩色CMOS图像传感器样品、直流电源和计算机组成，首先打开积分球光源，并关闭测试室中其他照明光源，然后设置积分球光源为固定光强，由小至大调整积分时间，使输出图像由黑至最亮，根据坐标将图像传感器不同像素单元的相应数据归类放入R、GB、GR或B通道的灰度值矩阵中，分别计算各通道所有像素的平均灰度值，画出各通道所有像素的平均灰度值随积分时间变化的曲线，根据曲线可得饱和灰度值，本发明操作方便简单，可以直观的看出辐照引起器件各通道饱和灰度值退化的情况。为大面阵彩色CMOS图像传感器在空间应用时的抗辐射设计提供理论依据和技术支撑。
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公开(公告)号：CN110907033A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911235123.2
申请日：2019-12-05
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于紫外探测器质子位移效应的辐照试验测试方法，该方法涉及测试装置是由计算机、直流电源、数据采集及时序控制电路、camlink数据线、导线和器件座组成，首先将测试装置放置在测试室内，安装好紫外探测器后，检查各项功能正常后，取下紫外探测器，将其放在辐照室内开始辐照试验，直至达到预定的最大辐照注量，停止辐照，结束辐照试验，利用已有参数计算方法，结合采集的图像计算出暗电流、输出信号、暗电流噪声、响应率、探测率和缺陷像元。本发明实现了紫外探测器的质子位移效应辐照测试，可靠性高、装置连接简单、操作方便、方法简单易行。本发明所涉及的装置具有体积小、重量轻、便携等特点，可实现异地紫外探测器性能参数测试，满足紫外探测器质子位移效应辐照试验的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110702097A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910971792.X
申请日：2019-10-14
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于极限探测星等灵敏度的星敏感器辐射损伤评估方法，该方法中涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、样品调整转台、样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、直流电源、计算机、平行光管、自准直经纬仪、单星模拟器和成像镜头组成，利用自准直经纬仪将固定在样品测试板上的成像镜头和平行光管对齐在一条直线上，然后将单星模拟器调到5等星，通过成像镜头对模拟单星星点成像，同时调节光学镜头，使星点成像清晰，再通过暗场测试和亮场测试，计算得到不同累积辐射剂量下不同星等的单个星点信噪比SNR，即得到了不同累积辐射剂量下星敏感器的极限探测星等灵敏度。通过本发明所述方法可以准确评估星敏感器在不同累积辐射剂量下辐射损伤，方法简单快速，实用性强。
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公开(公告)号：CN106840613B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201710077573.8
申请日：2017-02-14
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。用辐照后亮场数据减掉相同积分时间的辐照后暗场数据，得到辐照后平均灰度值的差值及灰度值时域方差的差值，分别以其作为横、纵坐标绘制出辐照后正确的光子转移曲线，这曲线的线性部分的拟合斜率即为辐照后正确的转换增益。
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公开(公告)号：CN106998466A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710205736.6
申请日：2017-03-31
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
CPC classification number: H04N17/002 , G01R31/2601
Abstract: 本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、直流电源和计算机组成，当样品辐照前的饱和输出小于4000DN时，通过计算样品辐照后所有像素位置的亮场平均灰度值与暗场平均灰度值的差值，绘制光响应曲线，光响应曲线在达到饱和时的像素输出灰度值即为饱和输出，将该值除以转换增益即求解出辐照后样品的满阱。当样品辐照前的饱和输出大于等于4000DN时，将样品中可编程增益放大器的增益调到小于1后才能求解出正确的满阱。本发明操作方便简单，可以直观的看出辐照后器件动态范围、信噪比、灵敏度等性能指标的变化。
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公开(公告)号：CN106199372A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610516216.2
申请日：2016-07-04
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/265 , G01R31/303
CPC classification number: G01R31/265 , G01R31/303
Abstract: 本发明涉及用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备，该设备是由X射线辐照装置、显微成像装置、探针台、冷却与空气循环装置、辐射测量装置、控制与测试分系统、框架、水平导轨、高压程控电源、X射线控制器、UNIDOS剂量仪、控制计算机、半导体参数测试仪、示波器和矩阵开关组成，该设备实现晶片级器件的辐照与在线辐射效应参数提取及实时监测；并实现辐照测试的一体化、操作的自动化，可显著提高辐照与测试的稳定性与效率。该设备直接对晶片级器件进行试验，摒除了器件封装材料、封装结构、引线及封装过程引入的一些不确定因素的影响，可显著降低参数提取的偏差；消除了辐照、测试环境交替以及测试时间延迟给试验结果带来的影响。
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公开(公告)号：CN103926519A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410172919.9
申请日：2014-04-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种用于横向NPN晶体管辐射损伤的定量分离测试方法，该方法涉及装置是由栅控横向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成。本发明在常规双极NPN晶体管的CE结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极晶体管特性，又使的器件具有MOS管的特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势。本发明使用附加栅电极特殊结构的栅控横向NPN双极晶体管，能够对横向NPN双极晶体管的电离辐射损伤进行测试和表征，能够定量揭示和分离双极横向NPN晶体管在遭受到电离辐射后的缺陷态数目。
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