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公开(公告)号：CN113270343A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110463209.1
申请日：2021-04-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种压力键合装置、控制系统及压力键合方法，压力键合装置包括：键合凹槽，用于放置键合辅助材料；加压缓冲单元，包括：加压部件，悬空设置于键合凹槽上方；以及承压单元，设置在键合凹槽下方，用于为键合凹槽提供支撑；其中，所述加压部件可插入所述键合凹槽，以挤压容纳在所述键合凹槽内的待键合物体，实现所述待键合物体的键合。本发明通过设置键合凹槽以及设置在键合凹槽下的温度控制单元，并在压力键合过程中引入键合辅助材料，完成芯片与热沉之间键合，提高芯片键合的效率，降低芯片与热沉之间产生气泡的几率，提高芯片键合的成品率和可靠性。
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公开(公告)号：CN106918850B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710139968.6
申请日：2017-03-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种柔性超表面结构，涉及超材料技术领域。柔性超表面结构由柔性衬底以及该衬底上周期排布的多个亚波长微纳结构重复单元构成，通过特定设计的亚波长微纳结构重复单元在外加应力的情况下，改变亚波长微纳结构中的亮模式和暗模式的相互作用强度，获得了具有高透过率、高品质因子的表面等离子体耦合共振峰，并且获得了较大的群折射率。该结构设计简单，易于制备，实现了超表面结构表面等离子体耦合共振现象动态可调，对于超表面结构在等离子体传感、光开关和慢光器件等技术领域的应用展现了更广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106918850A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710139968.6
申请日：2017-03-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种柔性超表面结构，涉及超材料技术领域。柔性超表面结构由柔性衬底以及该衬底上周期排布的多个亚波长微纳结构重复单元构成，通过特定设计的亚波长微纳结构重复单元在外加应力的情况下，改变亚波长微纳结构中的亮模式和暗模式的相互作用强度，获得了具有高透过率、高品质因子的表面等离子体耦合共振峰，并且获得了较大的群折射率。该结构设计简单，易于制备，实现了超表面结构表面等离子体耦合共振现象动态可调，对于超表面结构在等离子体传感、光开关和慢光器件等技术领域的应用展现了更广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103943714B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410184396.X
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器。该InGaAs光探测器包括：半导体衬底，其两面抛光；依次沉积于半导体衬底上表面的缓冲层、下掺杂层、吸收层、上掺杂层；形成于上掺杂层上的金属光栅层，该金属光栅层为二维周期性亚波长光栅；其中，入射光波由半导体衬底未沉积薄膜的一面射入，从下掺杂层和上掺杂层分别电性连接出该InGaAs红外光探测器的两电极，该两电极引入外加偏压并收集探测信号。本发明采用二维的周期性金属孔阵结构，可以与探测的光波发生耦合，激发表面等离子体效应，表面等离子体效应能将光场局域化在金属和半导体界面附近，可以弥补减薄的吸收层损失的探测率。
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公开(公告)号：CN103943714A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410184396.X
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/022408 , H01L31/02161 , H01L31/0236 , H01L31/105
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器。该InGaAs光探测器包括：半导体衬底，其两面抛光；依次沉积于半导体衬底上表面的缓冲层、下掺杂层、吸收层、上掺杂层；形成于上掺杂层上的金属光栅层，该金属光栅层为二维周期性亚波长光栅；其中，入射光波由半导体衬底未沉积薄膜的一面射入，从下掺杂层和上掺杂层分别电性连接出该InGaAs红外光探测器的两电极，该两电极引入外加偏压并收集探测信号。本发明采用二维的周期性金属孔阵结构，可以与探测的光波发生耦合，激发表面等离子体效应，表面等离子体效应能将光场局域化在金属和半导体界面附近，可以弥补减薄的吸收层损失的探测率。
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公开(公告)号：CN100547867C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200610144306.X
申请日：2006-12-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，包括：一热沉；一散热片，该散热片制作在热沉上；一上N型电极，该上N型电极制作在散热片上的中间处；一上N型DBR层，该上N型DBR层为一倒梯形，该上N型DBR层制作在上N型电极上；一高铝组分氧化限制层，该高铝组分氧化限制层位于上N型DBR层中间的两侧；一绝缘层，该绝缘层制作在上N型DBR层的外侧；一光学谐振腔，该光学谐振腔制作在上N型DBR层上；一下N型DBR层，该下N型DBR层制作在光学谐振腔上；一衬底，该衬底制作在下N型DBR层上；一下N型电极，该下N型电极制作在衬底上，该下N型电极的中间形成一出光窗口。
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公开(公告)号：CN1719677A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200410062788.5
申请日：2004-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器，其中包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上，起到光场限制作用；一有源区，该有源区制作在下波导层上，该有源区为发光区；一上波导层，该上波导层制作在有源区上，起到光场限制作用；一上包层，该上包层制作在上波导层上；一P型镓铟磷层，该P型镓铟磷层制作在上包层上；一P型镓砷欧姆接触层，该P型镓砷欧姆接触层制作在P型镓铟磷层上；一P面电极，该P面电极制作在P型镓砷欧姆接触层上；一N面电极，该N面电极制作在衬底的下面。
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