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公开(公告)号：CN104201220B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410426193.7
申请日：2014-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，包括：一衬底；一低温成核层，其制作在衬底上，该低温成核层为后续生长氮化镓材料提供成核中心；一非故意掺杂氮化镓缓冲层，其制作在低温成核层上；一n型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂氮化镓缓冲层上；一非故意掺杂多量子阱层，其制作在n型掺杂氮化镓层上面的一侧，另一侧的n型掺杂氮化镓层上面形成一台面，该非故意掺杂多量子阱层为铟镓氮太阳能电池的吸收层；一p型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂多量子阱层上；一N型欧姆电极，其制作在n型掺杂氮化镓层上的台面上；一P型欧姆电极，其制作在p型掺杂氮化镓层上。本发明具有增加入射光的吸收，并提高载流子的分离效率的优点。
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公开(公告)号：CN105449522A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201511001357.2
申请日：2015-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种绿光激光器外延片，其从下向上的顺序依次包括：蓝宝石衬底、低温成核层、高温非掺杂GaN层、高温n型GaN层、高温n型AlGaN限制层、非掺杂下波导层、InGaN/GaN多量子阱发光层结构、p型AlGaN电子阻挡层、非掺杂上波导层、p型AlGaN限制层、p型GaN层。本发明通过降低V型缺陷的密度，减少高In组分InGaN量子阱中富In区的密度，提高量子阱的In组分均匀性，从而提高绿光激光器中InGaN/GaN多量子阱的热稳定性，为制备高性能的绿光激光器奠定基础。
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公开(公告)号：CN105047772A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510309152.4
申请日：2015-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/32
Abstract: 一种绿光LED芯片外延层的结构，包括：一衬底；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一第一阶梯层，其生长在N型GaN层上；一多量子阱区，其生长在第一阶梯层上；一第二阶梯层，其生长在多量子阱区上；一P型GaN层，其生长在第二阶梯层上；一欧姆接触层，其生长在P型GaN层上。本发明通过在MQW区内采用InGaN垒层以及增加阶梯层结构，提高空穴的注入效率，减少电子的泄露，同时减小量子阱中的QCSE效应，实现对绿光LED发光效率的提升和对droop效应的抑制。
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公开(公告)号：CN104658831A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094671.3
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J2201/30403 , H01J2201/3048
Abstract: 一种小型化、集成化的硅基场发射-接收器件，包括：一n型硅衬底；一纳米尖端结构，其制作于n型硅衬底上表面的中间部位，其材料与n型硅衬底的材料相同；一二氧化硅绝缘层，其制作于n型硅衬底上，其中间有一电子发射-接收窗口，该电子发射-接收窗口围绕在纳米尖端结构的周围；一n型掺杂硅片，其制作在二氧化硅绝缘层上，且覆盖二氧化硅绝缘层上的电子发射-接收窗口；一高压源，其正极与n型掺杂硅片连接；一电流表，其正极与高压源连接，负极与n型硅衬底连接。本发明有利于提高大规模研制真空微纳器件过程中的性能和成品率。
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公开(公告)号：CN104658829A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094612.6
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/3048 , H01J2201/30488
Abstract: 一种阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN薄膜型冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极，其位于AlN薄膜型冷阴极的上面，且不与AlN薄膜型冷阴极接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明是利用负电子亲和势的优势，将电子发射到真空中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104201256A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410426219.8
申请日：2014-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0062
Abstract: 一种低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底升温，在氢材料气环境下热处理；步骤2：在衬底上生长一层低温成核层，为后续外延生长提供成核中心；步骤3：在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；步骤4：在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层，形成外延片；步骤5：在氮气环境下，将外延片高温退火，使其P型铝镓氮层中受主激活，得到低电阻率的P型铝镓氮层材料。本发明可以降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质浓度，从而减轻受主补偿作用，达到降低P型材料电阻率的目的。
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公开(公告)号：CN101872798A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010183403.6
申请日：2010-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层；一第二n型欧姆接触层，生长在多周期层之上，部分区域作为n型欧姆接触电极用；一禁带宽度为Eg3的本征层，生长在第二n型欧姆接触层之上，且Eg3≤Eg2；一透明电极，形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上；一上电极，形成于透明电极上一小区域；一中电极，形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口；以及一下电极，形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。
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公开(公告)号：CN101736398A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810225783.8
申请日：2008-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种用氮气、氢气混合气作为载气生长高质量AlInN单晶外延膜的方法，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温至生长温度，同时通入三甲基铟TMIn、三甲基铝TMAl、氨气NH3，氮气N2和适量氢气H2，生长出AlInN单晶外延膜。利用本发明，可以提高AlInN的结晶质量，并改善其表面形貌，提高其表面的平整度。
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公开(公告)号：CN100390511C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200410048228.4
申请日：2004-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出一种新型的氮化镓紫外色度探测器，该器件能够判别照射到器件上的紫外光的波长。由于探测器的光电流与入射光强有关，不同的入射光强，表现出不同的光电流，所以普通的氮化镓(GaN)紫外探测器只能知道入射光是否是紫外光，而不能判断出紫外光的波长。在本发明提出的氮化镓紫外色度探测器的器件结构中，包含了两个背靠背的PIN结构氮化镓紫外探测器，这两个单元器件的具体结构参数不同，导致了两个器件的响应光谱也不同，但是这两个器件的光电流谱的比值是固定的，与入射光的光强无关，只与入射光的波长有关。只要利用合适的读出电路，能够得到与这两个单元器件的光电流的比值相关的数值，就可以判断出入射紫外光的具体波长。
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公开(公告)号：CN101101935A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200610111262.0
申请日：2006-08-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上；一高浓度的N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在成核层上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上面的中间；一肖特基接触电极，该肖特基接触电极制作在有源层上；一欧姆接触电极，该欧姆接触电极为点状结构或环形结构，制作在欧姆接触层上面的两侧。
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