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公开(公告)号：CN113156216A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110445247.4
申请日：2021-04-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种用于半桥模块寄生电感校准测试的测试装置及提高测试精度的方法，包括测试基板，设置在测试基板(1)上的以下接入口：开路校准接入口(201)与(202)及第一区域中的供电端子接入口(203)～(208)、短路校准接入口(301)与(302)及第二区域中的供电端子接入口(303)～(308)、测试电路接入口(401)与(402)及第三区域中的供电端子接入口(403)～(408)；其中，第一区域中的供电端子接入口(203)～(208)与第二区域中的供电端子接入口(303)～(308)、第三区域中的供电端子接入口(403)～(408)排布位置均一致；短路校准接入口(301)与(302)之间通过金属线(5)互连，测试基板1上的其他接入口之间均断开。
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公开(公告)号：CN112648548A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011550185.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光照明装置，包括：荧光材料层、激光光源、散热结构；其中，该激光光源，用于向荧光材料层发射激光；散热结构，包括导热单元和散热单元，其中，导热单元用于对荧光材料层进行导热，散热单元用于对导热单元进行散热。本发明提供的激光照明装置可以至少部分解决现有技术中荧光材料层由于散热不良导致的热淬灭的问题。
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公开(公告)号：CN107437930B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201710530035.X
申请日：2017-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种体声波谐振器底电极的制备方法，包括以下步骤：步骤1、在衬底上依次放置支撑材料和障板；其中，支撑材料和障板的边缘均与衬底的边缘平齐；中心分别具有一支撑材料通孔和障板通孔，且障板通孔的宽度小于支撑材料通孔的宽度；步骤2、在障板表面和障板通孔对应的衬底表面制备金属层；步骤3、移除支撑材料、障板及障板表面的金属层，剩余的金属层为体声波谐振器的底电极。以及一种体声波谐振器的制备方法，还包括：在底电极上生长压电材料；在压电材料上制备顶电极。通过采用障板来制备体声波器件的底电极，无需采用干法刻蚀等方法，因此制备的金属底电极的金属侧壁光滑，完全克服了传统刻蚀工艺引起的金属侧壁粗糙的问题。
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公开(公告)号：CN110299441A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201810238823.6
申请日：2018-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/60
Abstract: 本公开提供了一种可提高LED出光效率的硅基反射圈、制备方法及LED器件；其中，所述可提高LED出光效率的硅基反射圈的内壁围成一中空贯通的腔体，套设在LED芯片的周围，在所述反射圈的内壁上覆盖有反射层，用于反射所述LED芯片出射的光线从而改变其传播方向。本公开提供可提高LED出光效率的硅基反射圈、制备方法及LED器件，适用于任何LED芯片的封装体中，提高了出光效率，具备很好的散热性能，有利于实现多芯片的集成应用。
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公开(公告)号：CN107256911B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710399111.8
申请日：2017-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，包括以下步骤：将P、N电极分开的深紫外芯片固定在石英透镜上；在深紫外芯片侧面填充液体胶，使得液体胶的上表面与所述深紫外芯片的P、N电极平齐，并固化液体胶；将第一AuSn片固定在所述深紫外芯片P、N电极上方并且覆盖在液体胶上表面，并预留P、N电极的隔离道；将第二AuSn片固定在基板上，所述第二AuSn片与所述第一AuSn片上下对齐；将所述第一AuSn片和所述第二AuSn片共晶融合，完成封装。本发明将芯片尺寸工艺用在深紫外LED封装上，提高了封装效率，降低了封装成本；共晶封装工艺解决了深紫外LED芯片的散热问题，提高了深紫外LED的寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109962406A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711346623.4
申请日：2017-12-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种半导体激光器及其制备方法，所述半导体激光器由下至上依次包括：沟槽型图形化衬底、n型层、有源层和p型层；其中，所述沟槽型图形化衬底上具有多个相互平行的沟槽，所述沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行。本公开半导体激光器及其制备方法，通过长条状沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行，即使光子谐振方向与外延材料中低穿透位错区域平行，在振荡过程中，此区域的非辐射复合较低、增益较大，可以率先实现激射，降低激射阈值，从而有效提高了半导体激光器的光学效率和性能。
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公开(公告)号：CN109920727A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910192567.6
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本公开提供一种在侧向外延薄膜上自对准形成图形及制备外延材料的方法，包括：S1：制备图形化衬底；S2：在图形化衬底上通过侧向外延合并生长的方式，制备表面合并的侧向外延薄膜；S3：通过在步骤S1所制备的图形化衬底背面进行曝光处理使得在步骤S2所制备的侧向外延薄膜上自对准形成图形并制备自对准图形化光刻胶；进一步的可继续后续步骤制备外延材料，S4：以步骤S3所制备的自对准图形化光刻胶为掩膜对侧向外延薄膜进行加工；以及S5：清除自对准图形化光刻胶掩膜，完成外延材料的制备。
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公开(公告)号：CN109841708A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201711217590.3
申请日：2017-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00 , H01L33/12 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件及其制备方法。其中，所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在衬底上溅射沉积AlN缓冲层；以及采用MOCVD工艺在所述AlN缓冲层上形成功能层，完成所述半导体器件的制备。本公开半导体器件及其制备方法，制备时间短，成本低廉，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能，实现了大型工业MOCVD批量化生产。
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公开(公告)号：CN104900689B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510309494.6
申请日：2015-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L29/20
Abstract: 本发明提供一种降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法，其中降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构，其包括：一衬底；一n型集电区，其制作在衬底上；一p型组分渐变基区，其制作在n型集电区上；一n型发射区，其制作在p型基区上。本发明通过特殊的结构设计，使基区电阻率大大降低，从而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN104241352B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201410505205.5
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种GaN基HEMT外延结构及其生长方法，该外延结构沿外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、高阻层、沟道层和势垒层，其中：缓冲层外延生长在衬底上；高阻层外延生长在缓冲层上，其中，高阻层为极化诱导掺杂；沟道层外延生长在高阻层上；势垒层外延生长在沟道层上。本发明通过极化诱导掺杂实现无掺杂杂质的高阻层，从而降低器件缓冲层漏电，缓解由于缓冲层掺杂而加剧的电流崩塌，实现提高器件击穿电压、改善器件动态导通电阻可靠性的目的。
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