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公开(公告)号：CN103852174A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020965.7
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/24
Abstract: 本发明公开了一种具有记忆功能背景抑制结构的读出集成电路，该电路通过采用具有记忆功能的背景抑制电路模块，首先将2×2排列的四个像元背景电流的平均电流进行复制记忆，然后将这个电流作为四个像元的背景电流从光电流中减去，最后通过使用高增益共享式负反馈运放的SBDI前置输入级电路模块积分得到一个电压信号，并通过采样保持电路模块将该信号采样到采样电容上，最后通过单位增益输出级模块将模拟信号输出。该电路实现了对不同像元背景电流的记忆，并在信号处理之前减去了背景电流，有效延长了积分时间，增加了对比度，提高了输出信号的信噪比。
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公开(公告)号：CN102820308A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210273991.1
申请日：2012-08-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/498 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种双波段线列红外焦平面探测器集成结构，它由拼接基板、波段一子模块、波段二子模块、集成薄膜引线等部件构成，其中位于之间的偶数子模块的引出线，通过集成引线偶数子模块连接端穿越基板背面引线穿越凹槽和基板上的穿越通槽实现的。整个探测器为模块化、装配式设计，具有可生产性。
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公开(公告)号：CN102818639A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210275848.6
申请日：2012-08-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于采集与处理短波红外探测器阵列弱信号的高帧频读出集成电路系统模拟信号链路，属于集成电路设计技术领域。其特征在于：读出电路采用了一种模拟信号链路结构。具体为：在单元结构中采用了电流源负载的共源共栅结构的CTIA结构输入级，在列公用结构中配置了相关双采样CDS模块、电荷放大模块，公共输出级采用了互补型输出级。模拟信号链中集成了CDS相关双采样结构，滤去红外探测器读出电路比较严重的低频噪声，为短波红外探测器器件在高分辨率等应用提供技术支持。
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公开(公告)号：CN101740501B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910198960.2
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种离子注入型碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面的光电p-n结修饰方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将离子注入完的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片放置在真空腔体内进行氢等离子体浴处理的光电p-n结列阵修饰的技术方案，有效解决了离子注入型光电p-n结常规修饰方法存在单步工艺时间长、操作复杂和稳定性较差，以及会影响红外光敏感元列阵芯片表面清洁度和介质膜钝化性能的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、稳定性高和与探测芯片工艺兼容性好的特点。
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公开(公告)号：CN101740662B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910198969.3
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜，并在碲镉汞红外探测芯片制备过程中对需要钝化区域的碲化镉薄膜不予以破坏的碲化镉原位钝化的技术方案，有效解决了常规碲化镉钝化方法会造成碲镉汞红外焦平面探测芯片探测性能损失和工艺稳定性低的问题。本发明方法具有工艺简单、操作便捷、稳定性高和钝化效果好的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101958331A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010234867.5
申请日：2010-07-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开了一种集成低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外中波(mid-wavelength)光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。本发明采用在HgCdTe薄膜材料表层集成一低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型HgCdTe红外中波光伏探测芯片的结构方案，有效解决了传统HgCdTe红外焦平面列阵中波光伏探测芯片存在表层物理特性不理想而引起的光敏感元二极管动态阻抗和探测性能下降的问题。本发明具有结构工艺简单和集成度高的特点。
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公开(公告)号：CN101876570A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010142926.6
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于红外焦平面阵列系统中的具有自动盲元剔除功能的读出集成电路，属于集成电路设计技术领域，其特征在于：通过对光电流积分电压值的比较判断，可得到一个数字信号，并将其反馈至开关对电路，以控制对应探测器单元与读出电路的连接，实现对探测器盲元的判断和自动剔除。并可通过对电路中阈值电压从0.2V～4.8V之间进行设置，实现对不同盲元标准和精度的要求。该电路实现了前期信号处理中自动将探测器盲元关闭的功能，完全消除了过热像元信号对周围正常像元信号的影响，使后期数据处理更快速、简易和精确。
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公开(公告)号：CN100466302C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410067487.1
申请日：2004-10-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片，该芯片采用一种注入平面结和台面异质结的混合结构，避免了高难度的两步微台面的刻蚀。最终得到的列阵芯片性能参数几乎接近于常规单波段HgCdTe焦平面器件性能。这说明本发明采用的混合结构的技术方案是合理的、可行的。
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公开(公告)号：CN100444381C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200610117106.5
申请日：2006-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种背向集成微透镜红外焦平面探测器及微透镜的制备方法，该探测器包括：红外光敏元列阵芯片、读出电路、混成互连铟柱和微透镜列阵。微透镜列阵是在红外光敏元列阵芯片的衬底背面直接通过微机械加工形成的。采用了记忆焦平面探测芯片正面图形的光刻方法以及等离子体组合刻蚀技术，获得的背向集成微透镜各个光轴在空间上与其对应的光敏像元的光敏面中心法线重合。本发明的最大优点是微透镜列阵的引入，对入射目标红外辐射有会聚功能，既提高了红外焦平面探测器光敏元的响应率，又能减小红外焦平面探测器、特别是高密度像元的红外焦平面探测器相邻像元之间的空间串音。
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公开(公告)号：CN1794473A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510030791.3
申请日：2005-10-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种微台面列阵碲镉汞红外双波段焦平面探测器芯片，包括：GaAs衬底，CdTe过渡层，在CdTe过渡层上有一维或二维排列的同向集成的两个不同波段平面结光电二极管，两个光电二极管是二步微台面结构。本发明的优点是：由于两个光电二极管列阵是由Hg空位掺杂的p－P－P多层异质材料经离子注入而形成的，这使得多层异质结HgCdTe外延材料的生长易于实现；同时两个光电二极管是同向的，它的读出电路不需要将两个波段的光信号电流分开，只需将两个单色焦平面探测的读出电路简单地融合在一起，这使读出电路的设计和加工变得易于实现。
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