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公开(公告)号：CN100536069C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710162644.0
申请日：2007-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/205 , H01L21/67 , C23F4/00 , C23C16/509 , C23C16/513 , C23C16/54 , G02F1/1333 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种当在平行平板电极之间利用高频电力产生等离子体时，使高频电流的返回路径的电阻减小的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在作为升降自由的阳极电极的上部电极上，通过导电性的升降棒在处理容器外设置有导电性的移动侧接触部件。另一方面，在处理容器的外部，通过导电性的支撑部件设置有导电性的固定侧接触部，使得在上述上部电极被设定在进行等离子体处理的位置时，上述固定侧接触部与上述移动侧接触部件接触，形成高频电流的返回路径。高频电流在下部电极→等离子体→上部电极→升降棒→移动侧接触部件→固定侧接触部→支撑部件→处理容器→高频电源部的接地侧的路径中流动，因此能够减小上述返回路径的电阻。
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公开(公告)号：CN118538591A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410177420.0
申请日：2024-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供抑制副产物在罩构件沉积的等离子体处理装置和基板处理方法。一种等离子体处理装置，其在处理容器的内部生成等离子体而对基板进行处理，其具备：金属窗，其配置于处理容器的上部；以及电感耦合天线，其与金属窗分离地配置于金属窗的上部，金属窗具有：多个部分窗；绝缘构件，其配置于多个部分窗之间以及多个部分窗与处理容器的壁部之间，使多个部分窗彼此电绝缘或者使多个部分窗与处理容器的壁部电绝缘；罩构件，其覆盖绝缘构件的下部，以防止绝缘构件的下部在处理容器的内部暴露；以及导电体层，其设于罩构件的内部或表面，导电体层在罩构件形成环状部的部分具有使导电体层不连续的不连续部，以防止导电体层在电学上形成闭合电路。
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公开(公告)号：CN111430210A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010026911.7
申请日：2020-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置。利用使用了金属窗而生成的电感耦合等离子体进行等离子体控制性更高且均匀性更高的等离子体处理。具备：处理容器；载置台，其载置矩形基板；矩形形状的金属窗，其构成处理容器的顶壁，与处理容器电绝缘；以及天线单元，其设于金属窗的上方，在处理容器内生成电感耦合等离子体，金属窗被第1分割分割成电绝缘的分割区域，天线单元具有高频天线，该高频天线是将具有与金属窗的上表面相对地形成的平面部的多个天线区段配置为平面部整体上成为矩形的框状区域而成的，多个天线区段分别是将天线用线沿着纵向以卷绕轴线与金属窗的上表面平行的方式卷绕成螺旋状而构成的，能够控制向多个天线区段分别供给的电流。
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公开(公告)号：CN107527784B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201710474908.X
申请日：2017-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种对矩形的被处理基板的外周侧的区域在周向上进行更加均匀的等离子体处理的技术。本发明的等离子体处理装置(1)利用形成于阴极电极(13)与矩形的阳极电极部(3)之间的处理气体的电容耦合等离子体(P)对矩形的被处理基板(G)实施等离子体处理。此时，阳极电极部(3)在径向上被分割成多个径向分割电极(34、33、32)，外周侧的径向分割电极(32)进一步被分割成角部侧的角部分割电极(32b)和边部侧的边部分割电极(32a)。在这些角部分割电极(32b)和边部分割电极(32a)中的至少一者接地端(104)侧设置有阻抗调整部(52、51)。
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公开(公告)号：CN108203816A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201810151742.2
申请日：2014-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/505 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由等离子体导致的金属窗的溅射削落并且能够进行等离子体的强度的分布调整的感应耦合型的等离子体处理装置。该对基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(100)包括：在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线(11)；和配置在等离子体生成区域与高频天线(11)之间，与主体容器绝缘的金属窗(3)。金属窗(3)具有利用绝缘体相互绝缘的多个金属窗(30a～30d)，使这些金属窗(30a～30d)各自通过一个接地点接地。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106206234A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610364963.9
申请日：2016-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/244 , H01J37/32715
Abstract: 本发明通过检测等离子体处理中的异常放电的发生，快速地检测基板的剥离。本发明在将具有载置基板(G)的基板载置面的载置台(21)配置于腔室(20)的内部的等离子体处理装置(11)中，在基板载置面上载置有基板(G)的状态下，在基板(G)所覆盖的位置将导电性销(60)以在基板载置面露出的方式配置于载置台(21)，在对基板(G)的等离子体处理中，由直流电源(63)对导电性销(60)施加直流电压，监视导电性销(60)的电位和流过导电性销(60)的电流中的至少一者。在导电性销(60)的电位发生变化时或者流过导电性销(60)的电流发生变化时，控制等离子体处理装置(11)的装置控制器(44)判断发生了基板(G)的剥离，中止等离子体的生成。
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公开(公告)号：CN105742146A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510993810.6
申请日：2015-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/50 , C23C16/513 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/32 , C23C16/50 , C23C16/513 , H01L21/683 , H01L21/68785
Abstract: 在进行等离子体处理时使用的、具有聚焦环(6)的载置台(2)中，抑制由垂直方向的电场引起的聚焦环的削减，从而降低粒子。使载置有玻璃基板G的载置台主体成为侧周面为平坦的柱状的构造，在聚焦环的下方侧，以包围载置台主体且与载置台主体的侧周面接触的方式设置侧部绝缘部件。因此，在聚焦环的正下方不存在载置台主体，所以在聚焦环不产生垂直方向的电场，能够抑制聚焦环的削减。此外，通过使侧部绝缘部件(31)与下部电极(20)的侧周面压接，使辅助绝缘部件(32)与绝缘间隔部件压接，并且使侧部绝缘部件和辅助绝缘部件之间的间隙成为曲径构造，能够抑制异常放电。
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公开(公告)号：CN102438390B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110272056.9
申请日：2011-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够生成与矩形基板正对的状态的等离子体的天线单元，和能够使用该天线单元对矩形基板进行均匀的等离子体处理的感应耦合等离子体处理装置。在具有轮廓呈矩形的平面型天线(13a)的天线单元中，天线(13a)通过将多个天线导线(61、62、63、64)在同一平面内以角部的匝数比边的中央部的匝数多的方式卷绕而整体呈螺旋状地构成，天线导线的配置区域呈边框状，按照由天线(13a)的外廓线(65)和内廓线(66)围成的边框区域(67)相对于将天线(13a)的相对的2个边贯穿的中心线成为线对称的方式，在各天线导线形成有弯曲部(68)。
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公开(公告)号：CN103247510A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310047105.8
申请日：2013-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 通过以期望的处理分布进行感应耦合等离子体处理。利用具备高频天线的感应耦合等离子体处理装置，在不同的时间实施第一处理和第二处理，使得在处理结束的时刻对基板得到所期望的处理分布，其中，上述高频天线具有供给有高频电力而形成外侧感应电场的形成为螺旋状的外侧天线、和在外侧天线的内侧同心状地设置、供给有高频电力而形成内侧感应电场的形成为螺旋状的内侧天线，第一处理为使在内侧天线中流动相对较大的电流值的电流，利用在与内侧天线对应的部分形成的内侧感应电场生成局部的等离子体进行处理，第二处理为使在外侧天线中流动相对较大的电流值的电流，利用在与上述外侧天线对应的部分形成的外侧感应电场生成局部的等离子体进行处理。
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公开(公告)号：CN101740303B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200910208723.X
申请日：2009-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。其对被处理体进行面内均匀性高的等离子体处理。以隔着电介质窗部件(3)与载置台(27)相对的方式设置天线(5)。该天线(5)，由各个长度相等、相互横向平行排列的直线状的多个天线部件(51)构成。该天线(5)的一端侧通过电源侧电路(61)连接至高频电源部(6)，并且其另一端侧通过接地侧电路(62)连接至接地点。在上述电源侧电路(61)和接地侧电路(62)的至少一方，设置有用于调整天线(5)的电位分布的电位分布调整用的电容器(7)，从所述高频电源部(6)通过各天线部件(51)至接地点的各高频路径的阻抗被设定为相互相等。
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