-
公开(公告)号：CN100418187C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200410031210.3
申请日：2004-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/302 , H01L21/3065 , C23F4/00
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32706 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、环形部件以及等离子体处理方法，利用等离子体进行处理，当执行相互不同的多个处理时实现装置公用化，在多个装置中执行相同处理时易统一装置之间的等离子体状态，利用由绝缘材料构成的环形部件环绕处理容器内的被处理基板，在此环形部件内设置用于调整等离子体源区的电极，构成为例如在对被处理基板执行第一处理时对该电极施加第一直流电压、在执行第二处理时对该电极施加第二直流电压，此时，由于对应于执行每一处理或相同处理的各装置通过施加合适的直流电压就可统一等离子体的状态，所以可实现装置公用化，并易对等离子体状态进行调整。
-
公开(公告)号：CN101246836A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810074117.9
申请日：2008-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23F4/00 , C23C16/458 , C23C14/50 , C30B25/12
CPC classification number: H01L21/68757 , C23C16/4581 , H01J37/20 , H01L21/67366 , H01L21/6875
Abstract: 本发明公开了一种防止基板的吸附不良以便提高基板处理设备的开工率的基板载置台。该基板载置台布置在基板处理设备中并具有在其上载置基板的基板载置表面。基板载置表面的算术平均粗糙度(Ra)不小于第一预定值，并且基板载置表面的初期磨损高度(Rpk)不大于第二预定值。
-
公开(公告)号：CN111161990B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201911069339.6
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及基片支承器和等离子体处理装置。例示的实施方式的基片支承器包括支承基片的第1支承区域和支承聚焦环的第2支承区域。第2支承区域在周向延伸。第2支承区域包括下部电极、保持区域和接合区域。保持区域包括第1电极和第2电极。第1电极和第2电极在周向延伸。第1电极设置于第2电极的内侧。分别与第1电极和第2电极连接的第1导线和第2导线在接合区域内在比第2支承区域的内侧边界和外侧边界靠内侧边界与外侧边界之间的中央部的附近或者中央部上延伸。本发明谋求在第1导线和第2导线各自与等离子体空间之间确保较大的距离，该第1导线和第2导线分别与用于保持聚焦环的保持区域的第1电极和第2电极连接。
-
公开(公告)号：CN113793794B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202111085961.3
申请日：2018-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，能够在中央部载置被处理基片，在外周部以包围被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在静电卡盘的外周部与基座或聚焦环之间，具有使静电卡盘的外周部的静电电容与静电卡盘的中央部的静电电容之差减少的静电电容。
-
公开(公告)号：CN111326397B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201911273973.1
申请日：2019-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够使等离子体的面内分布均匀化的供电构造和等离子体处理装置。供电构造具备第1连接构件组和第1端子区域。第1连接构件组由多个连接构件构成，该多个连接构件以对配置于等离子体处理装置用的处理容器内的聚焦环施加偏置电位的方式沿着聚焦环的周向配置。第1端子区域为环状，该第1端子区域与多个连接构件电连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111029237B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201910856969.1
申请日：2019-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基板支承组件、等离子体处理装置、以及等离子体处理方法。在该基板支承组件中，能够以抑制支承台与聚焦环之间的阻抗的变化的方式调整聚焦环的铅垂方向的位置。例示的实施方式的基板支承组件具备支承台和一个以上的压电元件。支承台具有下部电极和静电卡盘。支承台具有上表面。该上表面包括供基板载置于其上的第1区域和供聚焦环配置于其上方的第2区域。一个以上的压电元件设置于聚焦环与第2区域之间。一个以上的压电元件各自的厚度能够以抑制聚焦环与第2区域之间产生空间的方式变化。
-
公开(公告)号：CN111668085B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010502543.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够抑制聚焦环的吸附力的降低。在静电吸盘(25)的外周部(25b)载置聚焦环(30)，在内部以与聚焦环(30)相对地设置有电极板(29)。直流电源(28)在等离子体处理的期间中，对电极板(29)周期性地施加不同极性的电压，或者阶段性地施加绝对值大的电压。
-
公开(公告)号：CN109148349B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201810618819.2
申请日：2018-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明的目的在于提供一种静电吸附方法，其包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向上述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高上述腔室内的压力的处理；第二步骤，在上述第一步骤之后，对设置在上述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；第三步骤，在上述第二步骤之后，进行停止施加上述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低上述腔室内的压力的处理中的至少任一处理；和第四步骤，在上述第三步骤之后，停止施加上述直流电压。由此，无需提高直流电压的功率，就能够提高静电吸盘的吸附力。
-
公开(公告)号：CN109509694B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201811073526.7
申请日：2018-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，能够在中央部载置被处理基片，在外周部以包围被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在静电卡盘的外周部与基座或聚焦环之间，具有使静电卡盘的外周部的静电电容与静电卡盘的中央部的静电电容之差减少的静电电容。
-
公开(公告)号：CN113363129A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110200407.9
申请日：2021-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、半导体部件和边缘环。等离子体处理装置包括半导体部件和供电部。半导体部件构成内部能够实施等离子体处理的腔室的至少一部分或者配置在腔室内，且使用有半导体材料。供电部向半导体部件供给电力或将半导体部件设为GND电位。而且，等离子体处理装置至少在半导体部件与供电部接触的接触面设置有导电部。根据本发明，能够抑制半导体部件与供电部间的异常放电的发生。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
88
records
(took 0.032 seconds)
