公开(公告)号：CN87102505A

公开(公告)日：1987-12-30

申请号：CN87102505

申请日：1987-03-31

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 凯利帕特纳姆·维维克·罗

IPC: H01L21/70 ,  H01L27/02 ,  H01L29/92 ,  G11C11/24

Abstract: 一种得到非常平滑的多晶硅1层/层间绝缘层/多晶硅2层的界面。本质上，多晶硅1层18是无定形相的LPCVD的沉积层和用注入掺杂的。这以后沉积一种适当的绝缘层20，接着多晶硅1层18在约1000℃温度下重结晶。然后，用LPCVD沉积多晶硅2层和在950℃温度下掺入POCl3，得到的多晶硅2/层间绝缘层/多晶硅1界面是一种原子范围的非常平滑的界面，甚至在其它器件制造的热循环以后也是如此，并且相信将导至优良的漏泄特性。

公开(公告)号：CN86103067A

公开(公告)日：1987-07-15

申请号：CN86103067

申请日：1986-04-30

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 罗杰·A·纳肯 ,  汤姆士·C·哈罗伟 ,  汤姆士·E·塔 ,  魏切常 ,  蒙蒂·A·道格拉斯 ,  里拉·雷·海特 ,  里查德·A·查普曼 ,  戴维·A·比尔 ,  罗伯特·格罗夫III

IPC: H01L21/70 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/11543 ,  Y10S257/915

Abstract: 在氮气氛中对暴露的壕和栅极区作自对准硅化时全面形成导电的氮化钛层。对该层制作图形以提供有数量级为每方10欧姆的薄膜电阻的局部互连并允许接触与壕边界有偏差。因局部互连层能从壕向向上叠加到场氧化物以对接触孔提供底部接触和扩散阻挡层，该孔在以后被穿蚀过层间氧化物。局部互连可实现隐埋接触所能实现的全部及其它功能。在提供快速紧凑的SRAM单元和含有亚微米的、不带有隐埋构造的P-沟道器件的CMOS方面有优越性。

公开(公告)号：CN85108372A

公开(公告)日：1986-09-24

申请号：CN85108372

申请日：1985-11-01

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 罗伯特R·通尔林 ,  迈克尔P·德奎 ,  格雷戈里J·阿姆斯特朗

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L21/72 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/823892 ,  H01L27/0928 ,  Y10S148/082 ,  Y10S148/14

Abstract: 一种利用最少数量光掩膜板的双阱互补型金属氧化物半导体工艺来制造诸如动态读写存贮器等的半导体器件。在氮化物构成的凹口里形成场氧化物隔离区，因而提供一个比较平坦的表面，并且使产生的侵蚀最少。用硅化、离子注入，源极/漏极区、对栅的自对准、在侧壁氧化层安置好后使用一种注入物、提供轻掺杂的漏极来构成P沟和N沟晶体管。P沟和N沟晶体管的阈值电压是通过区槽注入，而不是通过对于阈值电压调整的分离离子注入步骤来建立的。

公开(公告)号：CN85108008A

公开(公告)日：1986-05-10

申请号：CN85108008

申请日：1985-10-30

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 戴维·B·斯伯特 ,  詹姆斯·D·琼拉瑞 ,  爱尔顿·J·赞雷斯基

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/76 ,  H01L29/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L29/66265 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76281 ,  H01L21/84 ,  H01L29/735

Abstract: 在被诸如氧化物之类的绝缘体完全包围的一个薄的外延岛中制成水平结构晶体管。该晶体管具有从同一掩模扩散到岛中的基极区和发射极区，从而使基极的宽度是可控的并且相对于发射极来说保持不变。多晶硅基极接触位于岛的顶部之上并通过氧化层与发射极区和集电极区相隔离。此水平结构晶体管很容易把互补的双极型晶体管和互补的IGFET器件制作在同一衬底上。