公开(公告)号：CN85108372A

公开(公告)日：1986-09-24

申请号：CN85108372

申请日：1985-11-01

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 罗伯特R·通尔林 ,  迈克尔P·德奎 ,  格雷戈里J·阿姆斯特朗

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L21/72 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/823892 ,  H01L27/0928 ,  Y10S148/082 ,  Y10S148/14

Abstract: 一种利用最少数量光掩膜板的双阱互补型金属氧化物半导体工艺来制造诸如动态读写存贮器等的半导体器件。在氮化物构成的凹口里形成场氧化物隔离区，因而提供一个比较平坦的表面，并且使产生的侵蚀最少。用硅化、离子注入，源极/漏极区、对栅的自对准、在侧壁氧化层安置好后使用一种注入物、提供轻掺杂的漏极来构成P沟和N沟晶体管。P沟和N沟晶体管的阈值电压是通过区槽注入，而不是通过对于阈值电压调整的分离离子注入步骤来建立的。