公开(公告)号：CN1004594B

公开(公告)日：1989-06-21

申请号：CN85108008

申请日：1985-10-30

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 戴维·B·斯伯特 ,  詹姆斯·D·琼拉瑞 ,  爱尔顿·J·赞雷斯基

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/76 ,  H01L29/68 ,  H01L21/04 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/66265 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76281 ,  H01L21/84 ,  H01L29/735

Abstract: 在被诸如氧化物之类的绝缘体[22]完全包围的一个薄的外延岛[24，70]中制成水平结构晶体管[20，68]。该晶体管[20，68]具有从同一掩模扩散到岛[24，70]中的基极区[34，80]和发射极区[26，84]，从而使基极[34，80]的宽度是可控的并且相对于发射极[26，84]来说保持不变。多晶硅基极接触[36，96]位于岛[24，70]的顶部之上并通过氧化层[90]与发射极区[26，84]和集电极区[28，86]相隔离。此水平结构晶体管很容易把互补的双极型晶体管[20，68]和互补的IGFET器件制作在同一衬底上。

公开(公告)号：CN85108008A

公开(公告)日：1986-05-10

申请号：CN85108008

申请日：1985-10-30

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 戴维·B·斯伯特 ,  詹姆斯·D·琼拉瑞 ,  爱尔顿·J·赞雷斯基

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/76 ,  H01L29/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L29/66265 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76281 ,  H01L21/84 ,  H01L29/735

Abstract: 在被诸如氧化物之类的绝缘体完全包围的一个薄的外延岛中制成水平结构晶体管。该晶体管具有从同一掩模扩散到岛中的基极区和发射极区，从而使基极的宽度是可控的并且相对于发射极来说保持不变。多晶硅基极接触位于岛的顶部之上并通过氧化层与发射极区和集电极区相隔离。此水平结构晶体管很容易把互补的双极型晶体管和互补的IGFET器件制作在同一衬底上。