超晶格结构
    62.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106025018B

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201610189330.9

    申请日:2016-03-30

    Abstract: 本公开涉及超晶格结构。提供了包括多个周期的超晶格层,多个周期中的每一个由多个子层形成。每个子层包括与(一个或者多个)相邻子层不同的组成并且包括与(一个或者多个)相邻子层的极化相反的极化。以这种方式,分别相邻子层的极化彼此补偿。此外,超晶格层可以被配置为对诸如紫外辐射的辐射至少部分透明。

    深紫外发光二极管
    65.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105590999B

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201610127836.7

    申请日:2011-06-17

    Abstract: 提供深紫外发光二极管,该深紫外发光二极管包含n型接触层和与n型接触层相邻的光产生结构。光产生结构包含量子阱组。接触层和光产生结构可被配置为使得n型接触层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。另外,光产生结构可被配置为使得其宽度与用于通过注入到光产生结构中的电子发射极性光学声子的平均自由程相当。二极管可包含阻挡层,该阻挡层被配置为使得阻挡层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。二极管可包含复合接触,该复合接触包含至少部分地对于由光产生结构产生的光透明的粘接层和被配置为反射由光产生结构产生的光的至少一部分的反射金属层。

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